文章分類： 碳化硅SiC

總投資30億元，12英寸硅基晶圓襯底項目正式簽約

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 04 日 15:34 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，總投資30億元的集成電路級12英寸硅基晶圓襯底材料研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)化項目投資簽約活動舉行，該項目正式落地麒麟科創(chuàng)園，將為區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供支撐，助力提升我國關(guān)鍵半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化水平。 據(jù)悉，此次落地項目由江蘇卓航致遠(yuǎn)科技有限公司主導(dǎo)建設(shè)，該公司由江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司全資...  [詳內(nèi)文]

這家廠商發(fā)布高純度P型SiC襯底，賦能IGBT產(chǎn)業(yè)升級

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 31 日 17:23 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱超芯星）正式在全球同步發(fā)布High Purity P-type SiC（高純度P型碳化硅）襯底。 圖片來源：超芯星 資料顯示，P型碳化硅襯底是制備超高壓IGBT的核心基礎(chǔ)材料。長期以來，全球P型碳化硅襯底行業(yè)始終被一個致命痛點困擾——Fe...  [詳內(nèi)文]

這家設(shè)備廠實現(xiàn)12英寸碳化硅單晶爐小批量發(fā)貨

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 30 日 15:09 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
2025年12月，晶升股份在碳化硅單晶爐領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步：公司自主研發(fā)的12英寸碳化硅單晶爐已于12月29日完成小批量發(fā)貨，正式交付客戶投入應(yīng)用。這一進(jìn)展不僅填補了國產(chǎn)300mm SiC長晶設(shè)備的空白，也為12英寸碳化硅襯底在先進(jìn)封裝、AR眼鏡等新興場景的落地奠定了“材料之基”。...  [詳內(nèi)文]

這家公司水導(dǎo)激光技術(shù)成功實現(xiàn)12英寸碳化硅晶錠一次性高效精密加工

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 29 日 15:53 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，晟光硅研成功應(yīng)用水導(dǎo)激光加工技術(shù)，對12英寸超大尺寸碳化硅晶錠實現(xiàn)了高質(zhì)量、高效率的精密加工，具備應(yīng)對超厚材料能力強、加工質(zhì)量卓越、適用于大尺寸工件、環(huán)保與高效等特點，未來有望提升襯底制備能力、降低綜合成本，為我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控與高質(zhì)量發(fā)展注入強勁動能。 圖片...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 26 日 16:38 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，晶盛機(jī)電在碳化硅（SiC）核心裝備領(lǐng)域取得重大突破，12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付全球頭部SiC外延晶片生產(chǎn)商#瀚天天成。 新設(shè)備采用獨創(chuàng)“垂直分流進(jìn)氣”結(jié)構(gòu)，可在同一平臺兼容8/12英寸工藝，實現(xiàn)晶圓表面溫度≤±0.5℃的高精度閉環(huán)控制、工藝氣體多區(qū)獨立控制、全...  [詳內(nèi)文]

產(chǎn)學(xué)簽約！聯(lián)合攻關(guān)8英寸液相法SiC制備

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 26 日 16:33 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，常州臻晶半導(dǎo)體有限公司與南昌大學(xué)國際材料創(chuàng)新研究院正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將聚焦“8英寸厚SiC單晶的低成本制備”這一產(chǎn)業(yè)核心課題，依托臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)的液相法碳化硅長晶爐及全套工藝技術(shù)支持，開展深度聯(lián)合攻關(guān)。 圖片來源：江西省公共資源交易平臺截圖 臻晶半導(dǎo)體成立于2...  [詳內(nèi)文]

7.5億+20億，安徽兩大碳化硅相關(guān)項目開工/投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 26 日 16:27 |
| 分類: 碳化硅SiC
12月26日，安徽半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一日連傳兩大捷報：合肥高新區(qū)，總投資7.5億元的“四象半導(dǎo)體部件總部基地”破土動工。向北400公里的穆棱，北一半導(dǎo)體20億元的三期項目宣布投產(chǎn)。 總投資7.5億！一半導(dǎo)體部件總部生產(chǎn)基地項目在皖開工 近日，四象半導(dǎo)體部件總部生產(chǎn)基地項目在高新區(qū)正式開工...  [詳內(nèi)文]

全球首發(fā)！瀚天天成12英寸SiC外延晶片正式發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 24 日 16:27 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，瀚天天成全球首發(fā)12英寸碳化硅外延晶片。 作為寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，SiC外延晶片是制造高壓、高溫、高頻功率器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲能、軌道交通、航空航天等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。 隨著下游行業(yè)對器件性能、能效要求的不斷提升，大尺寸SiC外延晶片成為產(chǎn)業(yè)升級的...  [詳內(nèi)文]

三代半廠商完成2.5億元融資，已交付10萬顆SiC車載模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 23 日 14:59 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，悉智科技完成2.5億元Pre-A輪融資，本輪投資方為安芯基金、浙江省新能源汽車基金、交銀國際信托、清純半導(dǎo)體。資金將重點用于寬禁帶半導(dǎo)體模塊研發(fā)、新廠房建設(shè)與產(chǎn)能擴(kuò)張，以及AIDC（人工智能數(shù)據(jù)中心）事業(yè)部擴(kuò)充。 悉智科技2017年注冊成立，2022年正式運營，總部位于蘇州...  [詳內(nèi)文]

這家廠商推出方形碳化硅散熱晶片

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 18 日 18:03 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，超芯星公司宣布正式推出#方形碳化硅散熱晶片，旨在為人工智能、汽車電子、能源管理等多種領(lǐng)域的合作伙伴，提供更直接、更高效、更貼合設(shè)計需求的散熱襯底選擇。 超芯星表示，傳統(tǒng)圓形襯底在先進(jìn)封裝中面臨邊緣利用不足、熱分布不均的挑戰(zhàn)。 為此，超芯星正式推出方形結(jié)構(gòu)晶片。其契合芯片矩形...  [詳內(nèi)文]