在半導(dǎo)體材料技術(shù)不斷革新的浪潮中,12英寸碳化硅(SiC)單晶襯底技術(shù)成為眾多廠商競(jìng)相角逐的關(guān)鍵領(lǐng)域。近期,外媒報(bào)道Wolfspeed在12英寸碳化硅單晶襯底方面取得重要進(jìn)展,與此同時(shí),國(guó)內(nèi)多家廠商也在該技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力,不斷實(shí)現(xiàn)新的突破,為人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)、高壓器件等眾多行業(yè)...  [詳內(nèi)文]
12英寸SiC單晶襯底技術(shù)再傳廠商新突破 |
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作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2026 年 01 月 08 日 14:46
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關(guān)鍵字:
SiC碳化硅
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