文章分類： 碳化硅SiC

SiC基礎原料偷偷漲，6英寸襯底價格血戰(zhàn)，誰是最后的贏家？

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 13 日 14:10 |
| 分類: 碳化硅SiC
截至2025年11月，碳化硅市場正經(jīng)歷關鍵的價值重估與結構性分化。在價格端，低端大宗原料成本推升價格上漲，而主流6英寸襯底則因產(chǎn)能過剩而持續(xù)暴跌。但在應用端，SiC憑借其卓越散熱性能，極有可能成為NVIDIA Rubin平臺和臺積電先進封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略性關鍵材料，預示Si...  [詳內(nèi)文]

1.25億元收購已完成，又一巨頭加速進軍SiC

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 12 日 13:51 | | 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
11月12日，韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣布，已完成SK Powertech的收購，正加速開發(fā)碳化硅（SiC）化合物功率半導體技術，目標在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術，并于2026年上半年啟動碳化硅功率半導體代工業(yè)務。 圖片來源...  [詳內(nèi)文]

功率半導體大廠：有望實現(xiàn)碳化硅業(yè)務盈利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 12 日 13:50 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，羅姆公布涵蓋2026至2028財年的三年中期經(jīng)營計劃，并設定了2028財年的財務目標，包括營收超過5000億日元、營業(yè)利潤率超過20%以及凈資產(chǎn)收益率（ROE）超過9%。 圖片來源：羅姆 業(yè)務方面，羅姆將大幅拓展基于碳化硅的功率器件業(yè)務，同時縮減并淘汰不盈利的業(yè)務。應用領...  [詳內(nèi)文]

SiC賦能：Wolfspeed與禾望電氣推風電變流器重大突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 11 日 14:37 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，Wolfspeed與全球可再生能源解決方案創(chuàng)新者深圳市禾望電氣股份有限公司 (以下簡稱“禾望電氣，Hopewind”)達成合作。 此次合作的核心產(chǎn)品是Wolfspeed的2.3kV LM Pack模塊。該模塊為風電應用帶來了顯著的系統(tǒng)優(yōu)勢，包括簡化系統(tǒng)設計、提高能效、增加功...  [詳內(nèi)文]

SDI/英飛凌戰(zhàn)略結盟：共推AI與SiC/GaN導線架技術

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 10 日 14:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
導線架解決方案領導廠商順德工業(yè)股份有限公司（以下簡稱“SDI”）于11月6日宣布，已與全球功率半導體巨擘德國英飛凌科技簽署了產(chǎn)品優(yōu)先開發(fā)權（Right of First Offer, ROFO）合作協(xié)議。這項戰(zhàn)略合作協(xié)議旨在共同推進AI加速器所需的關鍵導線架技術開發(fā)，并攜手布局包...  [詳內(nèi)文]

政策加碼，河北聚焦碳化硅、氮化鎵等領域

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 10 日 14:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，河北省工業(yè)和信息化廳發(fā)布《關于2025年第三代半導體、新型顯示產(chǎn)業(yè)擬支持項目的公示》，重點聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等高端材料領域，通過財政補貼、產(chǎn)能扶持與產(chǎn)學研協(xié)同等方式，推動國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 公示的名單中，涉及碳化硅/氮化鎵領域的企業(yè)如下： 河北同...  [詳內(nèi)文]

華潤微電子第四代碳化硅MOS主驅模塊批量上車

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 06 日 16:01 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，華潤微電子功率器件事業(yè)群（以下簡稱PDBG）SiC主驅模塊板塊再獲重要進展，PDBG自主研發(fā)的第四代SiC MOS主驅模塊成功導入某頭部車企并實現(xiàn)批量上車。 #PDBG 是華潤微電子旗下全面負責功率器件設計、研發(fā)、制造與銷售服務的業(yè)務單元。其下設有中低壓MOS產(chǎn)品線，高壓M...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶宣布，12英寸碳化硅晶圓原型開發(fā)已成功

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 06 日 15:57 |
| 分類: 碳化硅SiC
11月4日，環(huán)球晶（GlobalWafers）宣布，公司在核心技術研發(fā)上取得重大突破：其方形碳化硅（SiC）晶圓以及具有里程碑意義的12英寸碳化硅（SiC）晶圓的原型開發(fā)已成功完成，并已正式進入客戶送樣與驗證階段。 環(huán)球晶此次原型產(chǎn)品的成功，旨在迎合電動汽車（EV）、再生能源和高...  [詳內(nèi)文]

全球新增兩座碳化硅晶圓廠，啟動/加速投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 04 日 14:30 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體動態(tài)頻頻，國際大廠三菱電機位于日本熊本的8英寸SiC晶圓廠已正式竣工，預示著其試生產(chǎn)即將啟動，同時也揭示了面對市場波動的彈性產(chǎn)能策略；與此同時，南亞市場亦邁出歷史性一步，SiCSem在印度啟動了該國首個端到端SiC制造設施的動工儀式。 01、三...  [詳內(nèi)文]

深圳、蘇州兩地相繼取得SiC新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 31 日 14:36 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，國內(nèi)第三代半導體領域捷報頻傳，深圳、蘇州兩地在核心技術與關鍵工藝上相繼取得突破性進展：深圳平湖實驗室聯(lián)合高校團隊研制出具備反向導電特性的新型SiC光控晶體管，為脈沖功率領域應用提供新方向；蘇州則由科研機構與企業(yè)攜手，在大尺寸碳化硅晶錠激光隱形切割技術上實現(xiàn)重大突破，進一步完...  [詳內(nèi)文]