英飛凌擴展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列
近日,英飛凌宣布采用新的行業標準封裝,以擴展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列。
該款經過驗證的62mm器件采用半橋拓撲設計,并基于最近推出的先進M1H碳化硅(SiC)M...  [詳內文]
英飛凌、巨子半導體推出1200V MOSFET新品 |
作者 huang, Mia | 發布日期: 2023 年 11 月 28 日 14:40 | | 分類: 企業 |