文章分類： 碳化硅SiC

超70億元，安森美再獲SiC大訂單

作者 | 發布日期: 2023 年 07 月 19 日 17:45 |
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| 分類: 碳化硅SiC
今日，安森美宣布與博格華納擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協議總價值超10億美元（約合人民幣72.2億元）。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。 長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰略合作，其中即包括Elit...  [詳內文]

總投資10億，這個高純電子信息材料項目落地

作者 | 發布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
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| 分類: 碳化硅SiC
7月14日，拓材科技總部及高純電子信息材料研發生產基地項目落戶武漢新城葛華片區。 圖片來源：拍信網正版圖庫 項目由武漢拓材科技有限公司投資10億元建設，占地100畝，主要建設公司總部以及電子級高純材料、半導體級高純材料、高純化合物多晶材料、半導體單晶襯底和靶材、再生資源回收的綜...  [詳內文]

中芯國際換帥

作者 | 發布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
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| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨日，中芯國際在港交所發布公告稱，高永崗因工作調整，辭任公司董事長、執行董事及董事會提名委員會主席職務，自2023年7月17日起生效。 公司副董事長、執行董事及董事會提名委員會委員劉訓峰獲委任為公司董事長、執行董事及董事會提名委員會主席，自2023年7月17日起生效。 據公告內容...  [詳內文]

第三度沖刺A股，瑞能半導體離夢想還有多遠 ？

作者 | 發布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
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| 分類: 碳化硅SiC
近期，證監會披露，瑞能半導體向不特定合格投資者公開發行股票并，并由西南證券保薦，在北京證券交易所上市輔導備案。這是瑞能半導體第三次沖刺A股。 瑞能半導體的上市歷程 瑞能半導體的上市夢起于2020年。當年8月，瑞能半導體正式向A股發起沖擊，擬登錄科創板，在先后經歷了三輪問詢回復，排...  [詳內文]

不要把800V的高成本妖魔化，這些主機廠和Tier 1正在卷技術卷規模

作者 | 發布日期: 2023 年 07 月 18 日 17:50 |
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| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
小鵬G6上市熱潮再度掀起800V的適用性和適配性討論。同樣電驅Tier 1在近兩年陸續發布了許多800V新品。 在這個過程中，整個行業提出了幾大問題：800V電驅該怎么降本，面臨著哪些技術挑戰？外資Tier 1能否在800V時代超車？ 為什么800V？ 800V的興起源于對超快充...  [詳內文]

韓國新目標？化合物功率半導體技術強國

作者 | 發布日期: 2023 年 07 月 17 日 17:58 |
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| 分類: 碳化硅SiC
據外媒報道，韓國正在推進一項價值約1400億韓元的研發項目，目標是成為“化合物功率半導體技術強國”。 韓國產業通商資源部部長李昌洋7月13日在國家研究開發項目評估綜合委員會上宣布，“化合物功率半導體先進技術開發項目”已通過初步可行性研究，總計費用1384.6億韓元（政府預算938...  [詳內文]

又一公司CVD設備發貨，國產化到哪步了？

作者 | 發布日期: 2023 年 07 月 17 日 17:46 |
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| 分類: 碳化硅SiC
7月16日，微導納米發布官方消息，公司的首臺半導體CVD薄膜沉積設備順利發貨。微導納米的iTronix?系列CVD薄膜沉積設備，主要用于制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等不同種類薄膜，可應用于邏輯、存儲、先進封裝、顯示器件以及化合物半導體等領域芯片制造。 CVD設備需求提升...  [詳內文]

Axcelis：向SiC企業批量出貨Purion Power系列離子注入機

作者 | 發布日期: 2023 年 07 月 14 日 17:14 |
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| 分類: 碳化硅SiC
7月11日，半導體離子注入解決方案供應商Axcelis Technologies，Inc.（以下簡稱“Axcelis”）宣布，其向全球領先的碳化硅（SiC）功率器件芯片制造商批量出貨Purion Power系列?離子注入機系統。 Axcelis表示，這些出貨均在第二季度交付，其中...  [詳內文]

天岳先進：8英寸導電型產品具備量產能力

作者 | 發布日期: 2023 年 07 月 14 日 17:14 |
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| 分類: 碳化硅SiC
近期，天岳先進在投資者互動平臺表示，公司在上海臨港工廠已經于2023年5月進入6英寸導電型產品交付階段，并獲得了英飛凌、博世等國際知名企業的合作。公司8英寸導電型產品也已具備量產能力。 隨著產品交付的順利進行，臨港工廠正處于產能產量將持續爬坡階段。得益于公司充足的訂單需求和廣泛的...  [詳內文]

東芝推出第三代650V SiC肖特基勢壘二極管

作者 | 發布日期: 2023 年 07 月 14 日 17:13 |
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| 分類: 碳化硅SiC
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出最新一代用于工業設備的碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）——“TRSxxx65H系列”。首批12款產品（均為650V）中有7款產品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。 新...  [詳內文]