相關資訊：SiC碳化硅

12英寸SiC單晶襯底技術再傳廠商新突破
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 08 日 14:46 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
在半導體材料技術不斷革新的浪潮中，12英寸碳化硅（SiC）單晶襯底技術成為眾多廠商競相角逐的關鍵領域。近期，外媒報道Wolfspeed在12英寸碳化硅單晶襯底方面取得重要進展，與此同時，國內多家廠商也在該技術領域持續(xù)發(fā)力，不斷實現(xiàn)新的突破，為人工智能、虛擬現(xiàn)實、高壓器件等眾多行業(yè)...  [詳內文]

河南年產300噸碳化硅項目進入滿產狀態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 06 日 14:40 | 分類 碳化硅SiC
“孟津融媒”官微消息，近期，河南省洛陽市孟津區(qū)的碳化硅相關項目迎來發(fā)展新階段。洛陽中硅高科技有限公司的“年產300噸碳化硅項目”已進入滿產狀態(tài)，排產已經到四個月以后。 自2025年初投產以來，上述碳化硅生產項目產品已成功應用于12英寸碳化硅晶圓制備。隨著產業(yè)化應用加速，2025年...  [詳內文]

士蘭微：8英寸碳化硅產線通線，12英寸高端模擬芯片產線同步開工
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 06 日 14:37 | 分類 碳化硅SiC
據士蘭微電子股份有限公司消息，2026年1月4日，杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門海滄區(qū)舉行儀式，宣布其8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線正式通線，同時12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產線項目同步開工建設。 圖片來源：士蘭微 此次通線的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線，由...  [詳內文]

碳化硅投資熱潮涌動！又一家公司完成近3億元C輪融資
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 06 日 14:31 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
碳化硅領域投資熱度持續(xù)攀升，國內多家企業(yè)紛紛獲得融資。其中，致瞻科技（上海）有限公司憑借其在碳化硅功率模塊和先進電驅系統(tǒng)領域的表現(xiàn)，成功完成近3億元C輪融資，受到業(yè)內關注。同時，這也進一步彰顯了碳化硅市場的巨大潛力與吸引力。 致瞻科技完成近3億元C輪融資，士蘭微等機構參與 1月5...  [詳內文]

聚焦碳化硅核心材料，三孚股份關鍵項目驗收
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 05 日 15:38 | 分類 碳化硅SiC
近日，唐山三孚硅業(yè)股份有限公司（簡稱“三孚股份”）發(fā)布公告披露，其全資子公司唐山三孚電子材料有限公司新建的“正硅酸乙酯充裝及儲存項目”已正式通過驗收并取得相關批復許可，標志著公司8000噸/年高純正硅酸乙酯的生產及充裝能力全面落地，為半導體關鍵輔材國產化進程再添助力。 圖片來源...  [詳內文]

比亞迪公開新款1500V碳化硅功率模塊規(guī)格書
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 05 日 15:34 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，比亞迪半導體對外發(fā)布碳化硅（SiC）功率模塊BME1400B15JE34U5N的完整規(guī)格書，這意味著這款此前僅用于自研車型的核心部件，如今已具備批量對外供貨能力。 圖片來源：比亞迪半導體規(guī)格書截圖 該模塊為比亞迪超級e平臺千伏高壓架構配套部件，基于#第三代半導體 材料研發(fā)...  [詳內文]

這家設備廠實現(xiàn)12英寸碳化硅單晶爐小批量發(fā)貨
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 30 日 15:09 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
2025年12月，晶升股份在碳化硅單晶爐領域邁出關鍵一步：公司自主研發(fā)的12英寸碳化硅單晶爐已于12月29日完成小批量發(fā)貨，正式交付客戶投入應用。這一進展不僅填補了國產300mm SiC長晶設備的空白，也為12英寸碳化硅襯底在先進封裝、AR眼鏡等新興場景的落地奠定了“材料之基”。...  [詳內文]

這家公司水導激光技術成功實現(xiàn)12英寸碳化硅晶錠一次性高效精密加工
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 29 日 15:53 | 分類 碳化硅SiC
近期，晟光硅研成功應用水導激光加工技術，對12英寸超大尺寸碳化硅晶錠實現(xiàn)了高質量、高效率的精密加工，具備應對超厚材料能力強、加工質量卓越、適用于大尺寸工件、環(huán)保與高效等特點，未來有望提升襯底制備能力、降低綜合成本，為我國第三代半導體產業(yè)的自主可控與高質量發(fā)展注入強勁動能。 圖片...  [詳內文]

晶盛機電12英寸單片式碳化硅外延生長設備順利交付
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 26 日 16:38 | 分類 碳化硅SiC
近日，晶盛機電在碳化硅（SiC）核心裝備領域取得重大突破，12英寸單片式碳化硅外延生長設備順利交付全球頭部SiC外延晶片生產商#瀚天天成。 新設備采用獨創(chuàng)“垂直分流進氣”結構，可在同一平臺兼容8/12英寸工藝，實現(xiàn)晶圓表面溫度≤±0.5℃的高精度閉環(huán)控制、工藝氣體多區(qū)獨立控制、全...  [詳內文]

產學簽約！聯(lián)合攻關8英寸液相法SiC制備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 26 日 16:33 | 分類 碳化硅SiC
近日，常州臻晶半導體有限公司與南昌大學國際材料創(chuàng)新研究院正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將聚焦“8英寸厚SiC單晶的低成本制備”這一產業(yè)核心課題，依托臻晶半導體自主研發(fā)的液相法碳化硅長晶爐及全套工藝技術支持，開展深度聯(lián)合攻關。 圖片來源：江西省公共資源交易平臺截圖 臻晶半導體成立于2...  [詳內文]