相關(guān)資訊：SiC碳化硅

東芝公布碳化硅新技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，東芝發(fā)布公告表示，其基于自主研發(fā)的“小型芯片布局設(shè)計(jì)技術(shù)”和“基于AI設(shè)計(jì)優(yōu)化技術(shù)”，開(kāi)發(fā)出了一種“樹(shù)脂絕緣型SiC功率半導(dǎo)體模塊”，能顯著提高使用“樹(shù)脂”作為絕緣基板的SiC功率模塊的功率密度（單位面積的功率處理能力）。 東芝介紹，無(wú)論何種絕緣類型（包括陶瓷）的功率模塊都...  [詳內(nèi)文]

繼武漢碳化硅基地投產(chǎn)后，長(zhǎng)飛先進(jìn)再獲進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:03 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長(zhǎng)飛先進(jìn)官微消息，近日，北京經(jīng)緯恒潤(rùn)科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱 “經(jīng)緯恒潤(rùn)”）與安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱 “長(zhǎng)飛先進(jìn)”）順利完成戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約。未來(lái)，雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動(dòng)力及碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的資源優(yōu)勢(shì)，共同推進(jìn)國(guó)產(chǎn)碳化硅模塊的車規(guī)認(rèn)證進(jìn)程及批量生產(chǎn)、交付，助...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 09 日 14:56 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，瞻芯電子與浙江大學(xué)在一場(chǎng)行業(yè)會(huì)議上聯(lián)合發(fā)表了10kV等級(jí)SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界廣泛關(guān)注。這一成果彰顯了瞻芯電子在SiC功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)地位。 10kV等級(jí)SiC MOSFET器件在下一代智能電網(wǎng)、高壓大容量功率變換系統(tǒng)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景。但...  [詳內(nèi)文]

借力IPO，基本半導(dǎo)體中山百萬(wàn)級(jí)SiC封裝線項(xiàng)目獲批
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 09 日 14:17 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月4日，廣東省投資項(xiàng)目在線審批監(jiān)管平臺(tái)發(fā)布了基本半導(dǎo)體（中山）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”）年產(chǎn)100萬(wàn)只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目備案公示，這一重大進(jìn)展，與基本半導(dǎo)體此前5月27日向香港聯(lián)合交易所遞交上市申請(qǐng)的消息相呼應(yīng)。 圖片來(lái)源：廣東省投資項(xiàng)目在線審批監(jiān)管平臺(tái) 此次...  [詳內(nèi)文]

瞄準(zhǔn)車規(guī)級(jí)碳化硅，理想發(fā)表重要成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 06 日 13:53 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月5日，理想汽車官方公眾號(hào)發(fā)文表示，近期理想汽車在第37屆ISPSD（功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議）上發(fā)表了與車規(guī)級(jí)碳化硅相關(guān)的論文。 該篇論文來(lái)自理想汽車自研SiC芯片團(tuán)隊(duì)，論文題為《1200V汽車級(jí)碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術(shù)研究》，展示了碳化...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子：從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 05 日 15:30 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團(tuán)隊(duì)，并取消原定于2025年初的SiC功率半導(dǎo)體量產(chǎn)計(jì)劃，這一消息在半導(dǎo)體行業(yè)激起千層浪。 結(jié)合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準(zhǔn)備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設(shè)備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內(nèi)文]

《2025全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》最新版現(xiàn)已上線！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 04 日 18:04 | 分類 報(bào)告 , 碳化硅SiC
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的《全球2025 SiC Power Device市場(chǎng)分析》報(bào)告指出，憑借晶圓技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能迅速擴(kuò)張，SiC功率器件將逐步在高壓應(yīng)用場(chǎng)景（≥900V）確立領(lǐng)導(dǎo)地位，2030年整體市場(chǎng)規(guī)模有望成長(zhǎng)至164億美元。同時(shí)，在核心電動(dòng)汽車市場(chǎng)增長(zhǎng)放...  [詳內(nèi)文]

碳化硅領(lǐng)域再吸金，兩家企業(yè)獲大額融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 04 日 18:00 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，碳化硅（SiC）領(lǐng)域迎來(lái)兩筆重要融資，#遼寧漢硅半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱 “遼寧漢硅”）完成A+輪融資，#合肥鈞聯(lián)汽車電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱 “鈞聯(lián)電子”）完成近億元A輪融資。這兩起融資事件凸顯了資本市場(chǎng)對(duì)碳化硅技術(shù)商業(yè)化前景的高度關(guān)注，也體現(xiàn)中國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域...  [詳內(nèi)文]

宏微科技透露碳化硅芯片以及模塊進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 03 日 15:16 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，宏微科技舉辦投資者交流會(huì)，對(duì)外透露了碳化硅芯片以及模塊最新進(jìn)展。 宏微科技表示，第三代半導(dǎo)體是公司今年主要聚焦的方向。2025年第一季度，公司碳化硅產(chǎn)品加速出貨，產(chǎn)品收入占比超20%，同比增長(zhǎng)顯著。 據(jù)悉，宏微科技自研的SiC SBD芯片已通過(guò)終端客戶驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)批量出貨。模...  [詳內(nèi)文]

又一企業(yè)取得12英寸碳化硅晶體新突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 03 日 15:15 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，合盛硅業(yè)股份有限公司旗下子公司 —— 寧波合盛新材料有限公司宣布成功研發(fā)出 12 英寸（300mm）導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶晶體，并同步啟動(dòng)了針對(duì)大尺寸晶體的切割、研磨、拋光等工藝的系統(tǒng)研究。這一成果標(biāo)志著我國(guó)在 SiC 大尺寸晶體制造領(lǐng)域取得了具有里程碑意義的技術(shù)突破。...  [詳內(nèi)文]