第三代半導體領域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產(chǎn)品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車規(guī)級碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅(qū)動IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車動力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動能。
1、Wolfspeed推出第四代1200V車... [詳內(nèi)文]
文章分類： 碳化硅SiC
國際首次突破！深圳平湖實驗室攻克GaN/SiC單片集成技術瓶頸 |
| 作者 KikiWang | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 | | 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC |
8月7日，深圳平湖實驗室官微宣布，深圳平湖實驗室近日在GaN/SiC集成領域取得突破性進展，在國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結構外延。
據(jù)了解，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)... [詳內(nèi)文]
中芯國際：未來將配合建立SiC、GaN等第三代半導體產(chǎn)能 |
| 作者 KikiWang | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC |
8月7日，中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績會上表示，公司未來將根據(jù)國際客戶的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導體產(chǎn)能。
這一戰(zhàn)略舉措標志著中芯國際在第三代半導體領域的進一步拓展，旨在滿足國內(nèi)市場對高端半導體產(chǎn)品的需求，... [詳內(nèi)文]
英國這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專利進軍GaN與SiC市場 |
| 作者 KikiWang | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC |
隨著寬禁帶半導體領域部分核心專利陸續(xù)到期，一場技術創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國初創(chuàng)公司#柵源漏半導體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機遇，正專注于研發(fā)新一代的專利保護型寬禁帶半導體材料與器件。該公司計劃在未來2-3年內(nèi)，推出垂直... [詳內(nèi)文]
應對中國廠商競爭，羅姆加速SiC研發(fā) |
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作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 08 月 07 日 17:12
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關鍵字:
SiC碳化硅
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近期，羅姆半導體公布了2025財年一季度財報（2025年4月-6月）。該季，羅姆半導體實現(xiàn)營收1162億日元，同比下滑1.8%，凈利潤為29億日元，同比下滑14.3%。
圖片來源：羅姆半導體
羅姆半導體表示，該季車用碳化硅器件銷售保持穩(wěn)健，但受客戶調(diào)整因素影響，對外銷售的SiC... [詳內(nèi)文]
九峰山實驗室宣布，碳化硅獲得新突破！ |
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作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 08 月 07 日 17:09
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關鍵字:
SiC碳化硅
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8月6日，根據(jù)九峰山實驗室官微消息，九峰山實驗室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅溝槽MOSFET科研級器件樣品，旨在滿足產(chǎn)業(yè)及科研機構對具有完全自主知識產(chǎn)權的SiC溝槽新型器件的測試、分析及應用探索需求，進一步推動下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
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納微半導體透露碳化硅、氮化鎵業(yè)務進展 |
| 作者 KikiWang | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC |
近期，納微半導體公布2025年第二季度財報，同時該公司在財報會議中透露了碳化硅與氮化鎵業(yè)務進展。
圖片來源：納微半導體官網(wǎng)新聞稿截圖
據(jù)悉，英偉達已經(jīng)與納微半導體進行開發(fā)合作，以支持下一代 800V 數(shù)據(jù)中心。納微半導體將在固態(tài)變壓器（SST）、800V DC/DC以及48V... [詳內(nèi)文]
晶升股份推出SCML320A碳化硅外延爐 |
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作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 08 月 06 日 14:05
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關鍵字:
SiC碳化硅
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8月5日，晶升股份官微宣布成功開發(fā)出新一代SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延爐。
圖片來源：晶升股份
據(jù)了解，晶升股份SCML320A碳化硅外延爐生長速率≥60μm/h，膜厚均勻性＜1%，摻雜均勻性＜2%，指標達到國際先進水平。此外，還支持N/P兩種摻雜類型，可以滿足不... [詳內(nèi)文]
方正微電子、安世半導體發(fā)布最新碳化硅新品 |
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作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 08 月 06 日 13:42
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關鍵字:
SiC碳化硅
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近期，碳化硅（SiC）技術領域迎來了一系列重要新品發(fā)布，其中安世半導體（Nexperia）以及方正微電子均推出了各自的新產(chǎn)品。
方正微電子：高性能碳化硅 MOS 功率模塊發(fā)布
近日，深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團有限公司旗下的深圳方正微電子有限公司（以下簡稱“方正微電子”）正式推出了一款... [詳內(nèi)文]
月產(chǎn)2億顆芯片，SiC/GaN封裝工廠正式投產(chǎn) |
| 作者 KikiWang | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 04 日 14:25 | | 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC |
據(jù)濱海發(fā)布消息，8月1日，伯芯微電子（天津）有限公司（簡稱“伯芯微電子”）在天津經(jīng)開區(qū)微電子創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園正式投產(chǎn)。
圖片來源：濱海發(fā)布
根據(jù)預測，該項目達產(chǎn)后，預計月封裝芯片產(chǎn)能在2億顆以上，年收入將達到2億元以上。
公開資料顯示，伯芯微電子成立于2022年，由中科院微電子研究所... [詳內(nèi)文]
