文章分類: 氮化鎵GaN

英飛凌:12英寸GaN晶圓量產(chǎn)在即

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 04 日 14:34 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月3日,英飛凌在其官方網(wǎng)站宣布,其基于12英寸晶圓的可擴(kuò)展氮化鎵(GaN)制造技術(shù)已取得突破性進(jìn)展。這一里程碑標(biāo)志著GaN功率器件的大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步,首批樣品預(yù)計(jì)將于2025年第四季度交付客戶。 圖片來源:英飛凌官網(wǎng)截圖 氮化鎵作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料,以其卓...  [詳內(nèi)文]

新加坡成立氮化鎵國(guó)家半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換和創(chuàng)新中心,2026年年中開啟商業(yè)運(yùn)營(yíng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 02 日 14:41 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日,新加坡科學(xué)技術(shù)研究署(A*Star)成立的氮化鎵國(guó)家半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換和創(chuàng)新中心(NSTIC(GaN))舉行開幕儀式并正式啟用,計(jì)劃從2026年年中開始在本地提供商業(yè)生產(chǎn)代工服務(wù)。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代科技的核心驅(qū)動(dòng)力,氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料代表,具有高電子遷移率、高擊穿電場(chǎng)、高熱...  [詳內(nèi)文]

行業(yè)雙強(qiáng)聯(lián)手,啟動(dòng)8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計(jì)劃!

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 02 日 13:38 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月1日,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)宣布,與全球領(lǐng)先的晶圓代工廠力積電(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC)達(dá)成戰(zhàn)略合作。 此次合作的核...  [詳內(nèi)文]

麻省理工學(xué)院推出氮化鎵與硅芯片3D集成新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 24 日 14:44 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日,麻省理工學(xué)院(MIT)的研究團(tuán)隊(duì)取得了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,開發(fā)出一種創(chuàng)新的制造工藝,能夠?qū)⒏咝阅艿墸℅aN)晶體管與標(biāo)準(zhǔn)硅芯片進(jìn)行三維集成。這一成果有望顯著提升高頻應(yīng)用(如視頻通話和實(shí)時(shí)深度學(xué)習(xí))的性能表現(xiàn),為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開辟新的道路。 圖片來源:麻省理工學(xué)院新聞 ...  [詳內(nèi)文]

羅姆為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 24 日 14:27 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月23日,羅姆宣布成為支持英偉達(dá)全新800V高壓直流(HVDC)架構(gòu)的主要硅供應(yīng)商之一。 羅姆介紹,公司不僅提供硅(Si)功率元器件,還擁有包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等#寬禁帶半導(dǎo)體?在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容,可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計(jì)提供更優(yōu)解決方案。 羅姆的Si MOSFET...  [詳內(nèi)文]

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組迎新成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 23 日 14:29 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期,深圳平湖實(shí)驗(yàn)室的論文《肖特基型p-GaN柵HEMT中雙跨導(dǎo)峰與單跨導(dǎo)峰的演變:部分耗盡與完全耗盡p-GaN層的影響》被IEEE ISPSD確認(rèn)接收,論文第一作者為劉軒博士,通訊作者為萬玉喜、David Zhou。 IEEE ISPSD涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、工藝...  [詳內(nèi)文]

先為科技首臺(tái)GaN MOCVD外延設(shè)備正式發(fā)貨

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 18 日 13:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“先為科技”官微消息,6月16日無錫先為科技有限公司首臺(tái) GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備正式發(fā)往國(guó)內(nèi)頭部的化合物半導(dǎo)體企業(yè)。 圖片來源:先為科技 先為科技表示,此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備,各項(xiàng)性能均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。該設(shè)備運(yùn)用特有的溫...  [詳內(nèi)文]

GaN驅(qū)動(dòng)電源革新,多款氮化鎵電源產(chǎn)品發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 13 日 17:00 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,氮化鎵(GaN)技術(shù)正以其卓越的性能,為電源領(lǐng)域帶來一場(chǎng)深刻變革。近期,MPS芯源系統(tǒng)和小米生態(tài)鏈企業(yè)酷態(tài)科,分別推出集成氮化鎵技術(shù)的新產(chǎn)品,引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。 1、MPS發(fā)布集成氮化鎵的高效電源方案 6月初,MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布兩款新品——NovoOne開關(guān)...  [詳內(nèi)文]

又一批第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目刷新進(jìn)度:封頂、試運(yùn)行、沖刺生產(chǎn)!

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:20 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下,第三代半導(dǎo)體憑借其卓越的性能,成為推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近期,第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域多個(gè)項(xiàng)目取得重要進(jìn)展,為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導(dǎo)體級(jí)等靜壓石墨項(xiàng)目:設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行 6月9日,據(jù)“最內(nèi)江”公眾號(hào)消息,奧通碳素(內(nèi)...  [詳內(nèi)文]

華東理科大學(xué)氮化鎵晶圓檢測(cè)研究新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:11 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日,華東理科大學(xué)上海市智能感知與檢測(cè)技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室智能傳感團(tuán)隊(duì)在氮化鎵晶圓檢測(cè)研究中取得重要進(jìn)展。 圖片來源:華東理科大學(xué) 團(tuán)隊(duì)利用開發(fā)的二維有機(jī)薄膜憶阻器實(shí)現(xiàn)了有圖案晶圓的缺陷檢測(cè)和無圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關(guān)研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內(nèi)文]