文章分類： 氮化鎵GaN

先為科技首臺(tái)GaN MOCVD外延設(shè)備正式發(fā)貨

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 18 日 13:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“先為科技”官微消息，6月16日無(wú)錫先為科技有限公司首臺(tái) GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備正式發(fā)往國(guó)內(nèi)頭部的化合物半導(dǎo)體企業(yè)。 圖片來(lái)源：先為科技 先為科技表示，此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備，各項(xiàng)性能均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。該設(shè)備運(yùn)用特有的溫...  [詳內(nèi)文]

GaN驅(qū)動(dòng)電源革新，多款氮化鎵電源產(chǎn)品發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 13 日 17:00 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，氮化鎵（GaN）技術(shù)正以其卓越的性能，為電源領(lǐng)域帶來(lái)一場(chǎng)深刻變革。近期，MPS芯源系統(tǒng)和小米生態(tài)鏈企業(yè)酷態(tài)科，分別推出集成氮化鎵技術(shù)的新產(chǎn)品，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。 1、MPS發(fā)布集成氮化鎵的高效電源方案 6月初，MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布兩款新品——NovoOne開(kāi)關(guān)...  [詳內(nèi)文]

又一批第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目刷新進(jìn)度：封頂、試運(yùn)行、沖刺生產(chǎn)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:20 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下，第三代半導(dǎo)體憑借其卓越的性能，成為推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域多個(gè)項(xiàng)目取得重要進(jìn)展，為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導(dǎo)體級(jí)等靜壓石墨項(xiàng)目：設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行 6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號(hào)消息，奧通碳素（內(nèi)...  [詳內(nèi)文]

華東理科大學(xué)氮化鎵晶圓檢測(cè)研究新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:11 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，華東理科大學(xué)上海市智能感知與檢測(cè)技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室智能傳感團(tuán)隊(duì)在氮化鎵晶圓檢測(cè)研究中取得重要進(jìn)展。 圖片來(lái)源：華東理科大學(xué) 團(tuán)隊(duì)利用開(kāi)發(fā)的二維有機(jī)薄膜憶阻器實(shí)現(xiàn)了有圖案晶圓的缺陷檢測(cè)和無(wú)圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關(guān)研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內(nèi)文]

穩(wěn)懋半導(dǎo)體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)正迎來(lái)重大突破。近日，純化合物半導(dǎo)體代工廠#穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長(zhǎng)度D型GaN HEMT技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年第三季度量產(chǎn)，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術(shù)在5G/...  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)首顆機(jī)器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動(dòng)器芯片”正式商用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:49 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，中科無(wú)線半導(dǎo)體有限公司正式宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機(jī)器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動(dòng)器芯片已成功推出并投入商用。該芯片作為中科半導(dǎo)體機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片家族 “機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器芯片系列” 的重要一員，具備卓越性能，可有效滿足高功率密度場(chǎng)景需求。 圖片來(lái)源：中科半導(dǎo)體 ...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子：從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:30 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團(tuán)隊(duì)，并取消原定于2025年初的SiC功率半導(dǎo)體量產(chǎn)計(jì)劃，這一消息在半導(dǎo)體行業(yè)激起千層浪。 結(jié)合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準(zhǔn)備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設(shè)備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內(nèi)文]

布里斯托大學(xué)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn) GaN 突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 03 日 9:24 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，英國(guó)布里斯托大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在《自然·電子學(xué)》（Nature Electronics）期刊發(fā)表突破性研究，首次揭示了氮化鎵（GaN）多通道晶體管中鎖存效應(yīng)的物理機(jī)制，并成功開(kāi)發(fā)出超晶格城堡場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SLCFET）技術(shù)。 圖片來(lái)源：《自然·電子學(xué)》期刊截圖 該研究通過(guò)設(shè)計(jì)超...  [詳內(nèi)文]

羅姆首款高耐壓GaN驅(qū)動(dòng)器IC量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 28 日 14:16 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月27日，羅姆宣布推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過(guò)與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)，有助于電機(jī)和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。 圖片來(lái)源：羅姆半...  [詳內(nèi)文]

英偉達(dá)攜手納微升級(jí)電源架構(gòu)，氮化鎵和碳化硅發(fā)揮核心作用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 23 日 16:31 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月21日，納微半導(dǎo)體宣布與英偉達(dá)達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同開(kāi)發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)，該技術(shù)將率先應(yīng)用于英偉達(dá)下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計(jì)算平臺(tái)。 圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體 當(dāng)前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配...  [詳內(nèi)文]