2026年1月16日，天域半導體與青禾晶元半導體科技集團（下文簡稱“青禾晶元”）正式締結(jié)了戰(zhàn)略合作伙伴關系。
圖片來源：天域半導體
基于此次合作，雙方將整合各自優(yōu)勢資源——天域半導體在碳化硅材料領域的深厚積累，以及青禾晶元在鍵合設備定制與優(yōu)化方面的專長，攜手推進鍵合材料（涵蓋鍵合碳化硅（bonded SiC）、絕緣體上硅（SOI）、絕緣體上壓電基板（POI）以及超大尺寸（12英寸及以上）SiC復合散熱基板等）的工藝研發(fā)與技術(shù)革新。
根據(jù)合作協(xié)議，天域半導體將負責bonded SiC、SOI、POI、12英寸SiC復合散熱基板及中介層等鍵合材料的工藝開發(fā)及規(guī)模化生產(chǎn)導入工作。青禾晶元則承諾為天域半導體提供離子注入、晶圓級鍵合、精密拋光、晶體修復及剝離等關鍵設備，并給予相應的技術(shù)支持。此次攜手，旨在充分發(fā)揮雙方在各自領域的專長，助力天域半導體在鍵合材料領域的技術(shù)實力再上新臺階，從而穩(wěn)固并擴大其市場版圖。
此次合作，不僅是技術(shù)層面的深度融合，更是天域半導體順應產(chǎn)業(yè)發(fā)展潮流，進行的一次前瞻性戰(zhàn)略布局。近年來，全球半導體行業(yè)的競爭焦點正逐步從傳統(tǒng)硅材料向碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料轉(zhuǎn)移。新能源汽車、光伏發(fā)電、5G通信等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，對高性能功率器件的需求日益增長，而這些器件的核心材料正是碳化硅及其復合基板。天域半導體與青禾晶元的合作，正是對這一行業(yè)趨勢的精準把握。
鍵合技術(shù)，作為一種將不同材料緊密結(jié)合的工藝，正成為推動新一代芯片性能躍升的關鍵因素。以SOI（絕緣體上硅）為例，其獨特的“三明治”結(jié)構(gòu)能有效減少漏電流和寄生電容，使芯片運行更快、更節(jié)能、更抗輻射，廣泛應用于人工智能、5G通信、汽車電子及航空航天等領域。而POI（絕緣體上壓電基板）則在聲學和光學器件中發(fā)揮著重要作用，如噪聲監(jiān)測、TWS耳機主動降噪、醫(yī)學成像及高分辨率顯示等。
至于Bonded SiC（鍵合碳化硅），其優(yōu)勢尤為突出：一方面，它能顯著提高高質(zhì)量碳化硅單晶的利用率，一片標準厚度的單晶拋光片可制造出50片以上的鍵合拋光片；另一方面，它能降低功率器件的導通電阻，優(yōu)化電學性能。更值得一提的是，鍵合技術(shù)有望成為解決AI芯片散熱難題的關鍵工藝，臺積電、英偉達等行業(yè)巨頭已在此領域展開探索，未來或?qū)⒋呱f片級的市場需求。天域半導體已在金剛石、GaN、AlN等前沿材料上實現(xiàn)了鍵合晶片的制備，進一步拓寬了技術(shù)應用的邊界。
展望未來，天域半導體將繼續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級為核心驅(qū)動力，在保持碳化硅外延片領先優(yōu)勢的同時，積極探索更廣泛的材料應用與解決方案。隨著與青禾晶元合作的不斷深入，天域半導體有望在先進鍵合材料領域構(gòu)建起新的技術(shù)壁壘，推動整個產(chǎn)業(yè)鏈的升級發(fā)展，為中國半導體材料產(chǎn)業(yè)的崛起貢獻重要力量。
（集邦化合物半導體整理）
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