近日，三菱電機官方宣布，將于1月21日起正式出貨四款全新溝槽型SiC MOSFET功率半導體裸片樣品，產品聚焦電動汽車主驅逆變器、車載充電器及可再生能源供電系統(tǒng)等核心場景，憑借結構優(yōu)化實現(xiàn)功率損耗較平面型產品降低50%的性能突破，進一步完善其SiC功率器件產品線布局。
圖片來源：三菱電機官網(wǎng)新聞稿
相關產品將于1月21-23日在東京第40屆Nepcon Japan R&D and Manufacturing展首次公開亮相，并計劃在北美、歐洲、中國、印度等核心市場展會持續(xù)展出。
作為第三代半導體材料的核心應用方向，SiC MOSFET憑借耐高溫、低損耗、高效率的特性，已成為新能源汽車及可再生能源領域的關鍵器件。
三菱電機自2010年起布局SiC功率半導體模塊業(yè)務，產品廣泛應用于空調、工業(yè)設備及鐵路車輛逆變系統(tǒng)，此次推出的溝槽型裸片則是對其現(xiàn)有技術體系的重要升級。據(jù)官方資料顯示，四款新品均采用750V額定電壓設計，導通電阻覆蓋20mΩ、40mΩ、60mΩ、80mΩ四個檔位，型號分別為WF0020P-0750AA、WF0040P-0750AA、WF0060P-0750AA及WF0080P-0750AA，可滿足不同功率等級器件的封裝需求。
據(jù)悉，在封裝適配性與環(huán)保性方面，新品表面電極支持焊接連接，背電極兼容焊接鍵合與銀燒結鍵合兩種工藝，為下游廠商提供靈活的封裝解決方案，可廣泛集成于各類功率器件中。產品嚴格符合RoHS指令（2011/65/EU，(EU) 2015/863）要求，在性能提升的同時實現(xiàn)綠色環(huán)保設計，契合全球新能源產業(yè)的發(fā)展趨勢。
（集邦化合物半導體整理）
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