文章分類： 碳化硅SiC

時代電氣、三安光電披露碳化硅業(yè)務最新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 17 日 13:46 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，時代電氣、三安光電兩家公司在投資者互動平臺答復投資者關(guān)心的問題，涉及碳化硅產(chǎn)能、技術(shù)等新進展。 時代電氣表示，公司擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線，當前已具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸SiC芯片產(chǎn)能。 當前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設計定型，達行業(yè)先進水平，第五代SiC技術(shù)也已...  [詳內(nèi)文]

總投資3000萬元，新碳化硅項目落地長春

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 17 日 13:46 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，吉林省投資項目在線審批監(jiān)管平臺發(fā)布了長春長光精瓷復合材料有限公司精密碳化硅陶瓷件精密加工項目備案公示。 圖片來源：公示截圖 該項目投資3000萬元。項目租賃廠區(qū)內(nèi)原有的廠房和辦公樓，總建筑面積1958.66平方米，其中廠房面積1958.66平方米。項目新購置15臺（套）生...  [詳內(nèi)文]

跨界聯(lián)合，天岳先進與舜宇奧來達成SiC戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 16 日 13:52 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月15日，據(jù)天岳先進官微消息，舜宇奧來已經(jīng)于7月14日與天岳先進達成戰(zhàn)略合作，開啟微納米光學領(lǐng)域和新材料領(lǐng)域兩家龍頭企業(yè)合作新篇章。作為行業(yè)內(nèi)的兩大重要企業(yè)，雙方的攜手將為SiC技術(shù)的應用拓展與產(chǎn)業(yè)升級注入新的活力。 圖片來源：天岳先進 天岳先進成立于2010年，2022年上...  [詳內(nèi)文]

日本研究人員計劃用芯片廢料制造SiC

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 15 日 14:03 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，媒體報道Resonac（原昭和電工公司）和日本東北大學正探索使用由硅晶片制造過程中產(chǎn)生的污泥和二氧化碳制成的SiC粉末作為SiC單晶材料的原材料。 據(jù)悉，雙方目前已經(jīng)完成了基礎研究，并已開始針對實際應用的全面研究。在基礎研究中，東北大學在其碳回收示范研究中心使用微波加熱硅污...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子、珂瑪科技披露碳化硅產(chǎn)品新動態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 14 日 15:36 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
在全球能源轉(zhuǎn)型與半導體技術(shù)升級的交匯點上，#碳化硅 正以技術(shù)升級與產(chǎn)業(yè)化落地雙輪驅(qū)動，重塑電力電子與高端制造的競爭格局。我國在SiC器件設計、模塊封裝及高端材料制備領(lǐng)域正不斷取得新突破。近期，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈再傳捷報：瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET實現(xiàn)百萬級量產(chǎn)交...  [詳內(nèi)文]

助力第三代半導體客戶量產(chǎn)突破，CGB碳化硅專用清洗設備交付

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 11 日 14:32 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，北京華林嘉業(yè)科技有限公司（CGB）宣布成功向國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導體企業(yè)交付了自主研發(fā)的濕法清洗設備集群。該設備將用于碳化硅外延及器件產(chǎn)線，助力其提升晶圓制造良率與產(chǎn)能效率。 CGB公司介紹，交付設備構(gòu)成完整的清洗鏈條：從光刻環(huán)節(jié)的顯影/去膠（半自動顯影機、無機去膠清洗機），...  [詳內(nèi)文]

基本半導體核心子公司增資至2.1億元，將在深圳建設車規(guī)級SiC模塊制造基地

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 11 日 14:19 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月9日，基本半導體股份有限公司旗下核心子公司——基本封裝測試（深圳）有限公司完成了工商變更。其注冊資本從原有的1000萬元人民幣增至2.1億元人民幣，增幅逾20倍。 圖片來源：企查查截圖 這筆巨額資金由母公司基本半導體與深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有...  [詳內(nèi)文]

我國碳化硅激光剝離技術(shù)實現(xiàn)重大突破，單片切割損耗降至75微米以下

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 10 日 14:14 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳平臺（深圳平湖實驗室）宣布在碳化硅襯底加工領(lǐng)域取得里程碑式進展。該團隊自主研發(fā)的全自動化激光剝離系統(tǒng)，成功將碳化硅襯底單片切割損耗從傳統(tǒng)工藝的280-300微米降至75微米以下，單片成本降低26%，技術(shù)水平達到國際先進。 在第三代半導體材料產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

納設智能官宣：全自動雙腔8英寸碳化硅外延設備交付

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 09 日 14:22 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著新能源汽車、超高壓充電樁等場景對碳化硅器件的需求激增，全球產(chǎn)業(yè)正加速向8英寸晶圓升級。納設智能憑借自主可控的技術(shù)核心，實現(xiàn)8英寸設備量產(chǎn)交付。 7月8日，納設智能宣布自主研發(fā)的全自動雙腔8英寸碳化硅外延設備及多臺8英寸單腔設備交付龍頭客戶。 圖片來源：納設智能 納設智能表示...  [詳內(nèi)文]

11.2億元，又一碳化硅企業(yè)被收購

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 09 日 14:20 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月8日晚間，正帆科技發(fā)布公告，擬以現(xiàn)金的方式向SINGAREVIVAL控股私人有限公司等5名股東，購買漢京半導體材料有限公司62.23%股權(quán)，交易估值18億元，預計交易金額約11.2億元。交易完成后，漢京半導體將成為正帆科技的控股子公司。 圖片來源：正帆科技公告截圖 公開資料...  [詳內(nèi)文]