近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)頻頻，國(guó)際大廠三菱電機(jī)位于日本熊本的8英寸SiC晶圓廠已正式竣工，預(yù)示著其試生產(chǎn)即將啟動(dòng)，同時(shí)也揭示了面對(duì)市場(chǎng)波動(dòng)的彈性產(chǎn)能策略；與此同時(shí)，南亞市場(chǎng)亦邁出歷史性一步，SiCSem在印度啟動(dòng)了該國(guó)首個(gè)端到端SiC制造設(shè)施的動(dòng)工儀式。
01、三菱電機(jī)：8英寸碳化硅晶圓廠竣工，正加速投產(chǎn)
近日，三菱電機(jī)位于日本熊本縣菊池市的8英寸SiC功率半導(dǎo)體制造設(shè)施已于2025年10月1日舉行竣工典禮，正式宣告工廠主體建設(shè)完成。
根據(jù)計(jì)劃，該設(shè)施將立即進(jìn)入準(zhǔn)備階段，并預(yù)計(jì)于2025年11月啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，采用8英寸SiC襯底開始試生產(chǎn)，為實(shí)現(xiàn)2027年正式量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。
該工廠是三菱電機(jī)長(zhǎng)期戰(zhàn)略的核心體現(xiàn)。該擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃于2023年3月宣布，初期投資約1,000億日?qǐng)A，旨在應(yīng)對(duì)電動(dòng)車（EV）市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求。工廠擁有六層結(jié)構(gòu)，總建筑面積約4.2萬平方米，設(shè)計(jì)上專注于8英寸SiC晶圓的前端制程，并全面導(dǎo)入自動(dòng)化系統(tǒng)。
然而，在工廠竣工的同時(shí)，公司對(duì)產(chǎn)能投放采取了更為謹(jǐn)慎的彈性策略。鑒于近期電動(dòng)車市場(chǎng)的需求增長(zhǎng)速度略低于原先預(yù)期，三菱電機(jī)總裁UrumaKei在竣工典禮上透露，公司已決定將新設(shè)施的部分設(shè)備強(qiáng)化計(jì)劃延后到2031財(cái)年及之后?？偛帽硎?，公司將透過審查市場(chǎng)條件和其他因素，決定要安裝多少條生產(chǎn)線，這顯示三菱電機(jī)將根據(jù)實(shí)際的市場(chǎng)需求，靈活調(diào)整產(chǎn)能的爬坡速度和資本支出，以平衡積極擴(kuò)張與市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)。
在產(chǎn)能與銷售目標(biāo)方面，三菱電機(jī)的目標(biāo)是到2026財(cái)年將SiC產(chǎn)能提升至2022財(cái)年的5倍，并設(shè)定了到2030財(cái)年將功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中的SiC銷售比例提高到30%以上的遠(yuǎn)期目標(biāo)，顯示出公司在SiC領(lǐng)域全面超越既有6英寸產(chǎn)線（2010年代后期建立）的決心。
02、SiCSem印度建廠：南亞首座端到端SiC芯片制造設(shè)施啟動(dòng)
在亞洲新興市場(chǎng)中，印度在推動(dòng)本土半導(dǎo)體制造的進(jìn)程中邁出了歷史性的一步。11月1日，SiCSem公司在印度奧里薩邦（Odisha）隆重啟動(dòng)了該國(guó)首個(gè)端到端（End-to-End）碳化硅半導(dǎo)體制造設(shè)施的動(dòng)工儀式。
該SiC制造設(shè)施總投資額約2067億盧比，彰顯了對(duì)本土高科技制造的巨大信心和支持。在產(chǎn)能方面，該設(shè)施的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)年處理6萬片SiC晶圓的規(guī)模，并預(yù)計(jì)在2027年至2028年期間投入正式運(yùn)營(yíng)。
作為一家新興的印度本土半導(dǎo)體公司，SiCSem的這一舉措具有高度的戰(zhàn)略意義，將有助于印度減少對(duì)外部SiC供應(yīng)鏈的依賴，極大地增強(qiáng)該國(guó)在電動(dòng)汽車（EV）及可再生能源系統(tǒng)等核心產(chǎn)業(yè)的自主可控能力。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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