文章分類： 碳化硅SiC

安意法8英寸SiC項目一期一階段試產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 24 日 17:39 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，據(jù)重慶眾致環(huán)保有限公司披露的環(huán)保驗收文件顯示，安意法半導體位于重慶的8英寸碳化硅（SiC）外延與芯片項目一期一階段已通過竣工環(huán)境保護驗收，并于2025年5月進入試生產(chǎn)階段。 圖片來源：環(huán)保驗收文件截圖 目前，該條生產(chǎn)線已具備年產(chǎn)2萬片車規(guī)級MOSFET芯片的能力，產(chǎn)品將主...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed 發(fā)布兩款全新1200V碳化硅模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 19 日 14:33 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
Wolfspeed近日宣布，其面向電動汽車（EV）牽引逆變系統(tǒng)推出兩大全新1200V碳化硅功率模塊系列。這兩大系列均搭載Wolfspeed最新的第四代(Gen4) SiC MOSFET技術(shù)和創(chuàng)新封裝工藝，旨在提供前所未有的系統(tǒng)耐久性、效率與設(shè)計靈活性，為電動汽車的性能和可靠性樹立...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)推進 GaN/SiC 技術(shù)新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 18 日 14:33 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，功率半導體行業(yè)迎來重要技術(shù)進展，英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域取得新進展。 01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管 11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 17 日 14:34 |
| 分類: 碳化硅SiC
11月16日，芯聯(lián)集成宣布正式發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺，采用了8英寸更先進制造技術(shù)，已達到全球領(lǐng)先水平。 據(jù)介紹，該技術(shù)平臺通過器件結(jié)構(gòu)與工藝制程的雙重優(yōu)化，實現(xiàn)“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標，全面覆蓋電驅(qū)與電源兩大核心應用場景，可廣泛應用新能源汽車主驅(qū)、車載電源及...  [詳內(nèi)文]

SiC基礎(chǔ)原料偷偷漲，6英寸襯底價格血戰(zhàn)，誰是最后的贏家？

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 13 日 14:10 |
| 分類: 碳化硅SiC
截至2025年11月，碳化硅市場正經(jīng)歷關(guān)鍵的價值重估與結(jié)構(gòu)性分化。在價格端，低端大宗原料成本推升價格上漲，而主流6英寸襯底則因產(chǎn)能過剩而持續(xù)暴跌。但在應用端，SiC憑借其卓越散熱性能，極有可能成為NVIDIA Rubin平臺和臺積電先進封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略性關(guān)鍵材料，預示Si...  [詳內(nèi)文]

1.25億元收購已完成，又一巨頭加速進軍SiC

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 12 日 13:51 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
11月12日，韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣布，已完成SK Powertech的收購，正加速開發(fā)碳化硅（SiC）化合物功率半導體技術(shù)，目標在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術(shù)，并于2026年上半年啟動碳化硅功率半導體代工業(yè)務(wù)。 圖片來源...  [詳內(nèi)文]

功率半導體大廠：有望實現(xiàn)碳化硅業(yè)務(wù)盈利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 12 日 13:50 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，羅姆公布涵蓋2026至2028財年的三年中期經(jīng)營計劃，并設(shè)定了2028財年的財務(wù)目標，包括營收超過5000億日元、營業(yè)利潤率超過20%以及凈資產(chǎn)收益率（ROE）超過9%。 圖片來源：羅姆 業(yè)務(wù)方面，羅姆將大幅拓展基于碳化硅的功率器件業(yè)務(wù)，同時縮減并淘汰不盈利的業(yè)務(wù)。應用領(lǐng)...  [詳內(nèi)文]

SiC賦能：Wolfspeed與禾望電氣推風電變流器重大突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 11 日 14:37 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，Wolfspeed與全球可再生能源解決方案創(chuàng)新者深圳市禾望電氣股份有限公司 (以下簡稱“禾望電氣，Hopewind”)達成合作。 此次合作的核心產(chǎn)品是Wolfspeed的2.3kV LM Pack模塊。該模塊為風電應用帶來了顯著的系統(tǒng)優(yōu)勢，包括簡化系統(tǒng)設(shè)計、提高能效、增加功...  [詳內(nèi)文]

SDI/英飛凌戰(zhàn)略結(jié)盟：共推AI與SiC/GaN導線架技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 10 日 14:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
導線架解決方案領(lǐng)導廠商順德工業(yè)股份有限公司（以下簡稱“SDI”）于11月6日宣布，已與全球功率半導體巨擘德國英飛凌科技簽署了產(chǎn)品優(yōu)先開發(fā)權(quán)（Right of First Offer, ROFO）合作協(xié)議。這項戰(zhàn)略合作協(xié)議旨在共同推進AI加速器所需的關(guān)鍵導線架技術(shù)開發(fā)，并攜手布局包...  [詳內(nèi)文]

政策加碼，河北聚焦碳化硅、氮化鎵等領(lǐng)域

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 10 日 14:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，河北省工業(yè)和信息化廳發(fā)布《關(guān)于2025年第三代半導體、新型顯示產(chǎn)業(yè)擬支持項目的公示》，重點聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等高端材料領(lǐng)域，通過財政補貼、產(chǎn)能扶持與產(chǎn)學研協(xié)同等方式，推動國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 公示的名單中，涉及碳化硅/氮化鎵領(lǐng)域的企業(yè)如下： 河北同...  [詳內(nèi)文]