近期，功率半導體行業(yè)迎來重要技術進展，英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領域取得新進展。
01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管
11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應用標準的氮化鎵(GaN)晶體管系列，正式進軍車規(guī)級GaN市場。該系列命名為CoolGaN? 100V G1，已開始提供符合AEC-Q101標準的預量產(chǎn)樣品，包括CoolGaN?高壓(HV)車規(guī)級晶體管及多種雙向開關。
圖片來源：英飛凌
英飛凌科技GaN業(yè)務線負責人Johannes Schoiswohl表示：”通過將GaN功率技術引入快速發(fā)展的軟件定義汽車和電動汽車市場，英飛凌將進一步鞏固其在汽車半導體解決方案領域的全球領先優(yōu)勢。此次推出100V GaN車規(guī)級晶體管解決方案和即將擴展的高壓產(chǎn)品組合，是我們開發(fā)高能效、高可靠性的車規(guī)級功率晶體管進程中的重要里程碑。”
相比傳統(tǒng)硅基器件，GaN功率器件能實現(xiàn)更小的尺寸、提供更高的能效，同時降低系統(tǒng)成本。在軟件定義汽車從12V向48V系統(tǒng)轉型的過程中，基于GaN的功率轉換系統(tǒng)不僅能提升性能，還可支持線控轉向、實時底盤控制等先進功能，極大改善駕乘舒適性與操控性。
CoolGaN? 100V G1車規(guī)級晶體管主要適用于區(qū)域控制和主DC-DC轉換器、高性能輔助系統(tǒng)及D類音頻放大器等應用場景，為車載信息娛樂系統(tǒng)、高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和新型氣候控制系統(tǒng)提供高效電源解決方案。
02、GE Aerospace發(fā)布第4代碳化硅MOSFET器件
11月12日，GE Aerospace宣布在紐約尼斯卡尤納的研究中心成功演示了第四代碳化硅（SiC）功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）芯片，這將提升切換速度、效率和耐用性。
圖片來源：GE Aerospace官網(wǎng)
據(jù)了解，這款最新一代的SiC功率器件芯片尺寸為5毫米×5毫米，提供1200V和11mΩ的電壓，擁有業(yè)內領先的200°C溫度額定。 隨著各行業(yè)在混合動力和純電動車（HEV和BEV）平臺中采用先進半導體技術，以及更高效的電力解決方案，這些先進電力設備將在效率和功率密度上帶來重大突破，以滿足日益增長的能源和電力需求。
GE Aerospace 總裁兼總經(jīng)理Kris Shepherd表示：“我們最新的第四代SiC MOSFET在性能上帶來了飛躍性的變化，使其在汽車、可再生能源、人工智能數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電力行業(yè)等多個行業(yè)中極具吸引力。”這些行業(yè)有機會在所有這些應用領域實現(xiàn)效率、可靠性和功率密度的顯著提升。”
03、SemiQ推出新型SOT-227封裝高性能碳化硅模塊
11月13日，SemiQ Inc宣布推出了五款提供R功能的SOT-227模塊DSon（DSon）分別是7.4、14.5和34 mΩ。SemiQ的GCMS模塊采用肖特基勢場二極管（SBD），在高溫下開關損耗更低，尤其與非SBD的GCMX模塊相比。
圖片來源：SemiQ Inc官網(wǎng)
該設備面向中壓高功率轉換應用，包括電池充電器、光伏逆變器、服務器電源和儲能系統(tǒng)。所有模塊均通過晶圓級柵極氧化層燒入測試進行篩查，電壓超過1400伏，并進行了800 mJ的雪崩測試（34 mΩ模塊為330 mJ），它們專為堅固、易于安裝和熱性能而設計，具有隔離背板和直接安裝到散熱器的能力。
7.4mΩ GCMX007C120S1-E1模塊實現(xiàn)了4.66mJ（3.72mJ導通，0.94mJ關斷）的低開關損耗和593nC的體二極管反向恢復電荷。結到殼的熱阻范圍為0.23°C/W至0.70°C/W，具體取決于模塊。
資料顯示，SemiQ Inc是一家總部位于美國的碳化硅（SiC）功率半導體專業(yè)企業(yè)，專注為高壓場景提供高性能碳化硅解決方案，產(chǎn)品包括分立、模塊和裸芯片格式的MOSFET和二極管等。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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