文章分類： 氮化鎵GaN

國(guó)際首次突破！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室攻克GaN/SiC單片集成技術(shù)瓶頸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室官微宣布，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室近日在GaN/SiC集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，在國(guó)際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。 據(jù)了解，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術(shù)瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)...  [詳內(nèi)文]

中芯國(guó)際：未來(lái)將配合建立SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國(guó)際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績(jī)會(huì)上表示，公司未來(lái)將根據(jù)國(guó)際客戶的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能。 這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著中芯國(guó)際在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展，旨在滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)高端半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，...  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)射頻新篇章，歐益睿芯6英寸GaN工藝平臺(tái)開放

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:39 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
隨著5G/6G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星互連等高頻高功率應(yīng)用場(chǎng)景的快速發(fā)展，碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。在國(guó)際廠商主導(dǎo)的市場(chǎng)格局下，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的自主化進(jìn)程對(duì)高可靠性、高性能、低成本的本土工藝平臺(tái)需求日益迫切。 近日，合肥歐益睿芯科技有限公...  [詳內(nèi)文]

英國(guó)這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專利進(jìn)軍GaN與SiC市場(chǎng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域部分核心專利陸續(xù)到期，一場(chǎng)技術(shù)創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國(guó)初創(chuàng)公司#柵源漏半導(dǎo)體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機(jī)遇，正專注于研發(fā)新一代的專利保護(hù)型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。該公司計(jì)劃在未來(lái)2-3年內(nèi)，推出垂直...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體透露碳化硅、氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，納微半導(dǎo)體公布2025年第二季度財(cái)報(bào)，同時(shí)該公司在財(cái)報(bào)會(huì)議中透露了碳化硅與氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展。 圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體官網(wǎng)新聞稿截圖 據(jù)悉，英偉達(dá)已經(jīng)與納微半導(dǎo)體進(jìn)行開發(fā)合作，以支持下一代 800V 數(shù)據(jù)中心。納微半導(dǎo)體將在固態(tài)變壓器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [詳內(nèi)文]

月產(chǎn)2億顆芯片，SiC/GaN封裝工廠正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 04 日 14:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)濱海發(fā)布消息，8月1日，伯芯微電子（天津）有限公司（簡(jiǎn)稱“伯芯微電子”）在天津經(jīng)開區(qū)微電子創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園正式投產(chǎn)。 圖片來(lái)源：濱海發(fā)布 根據(jù)預(yù)測(cè)，該項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)月封裝芯片產(chǎn)能在2億顆以上，年收入將達(dá)到2億元以上。 公開資料顯示，伯芯微電子成立于2022年，由中科院微電子研究所...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科登榜，英偉達(dá)最新800V架構(gòu)供應(yīng)商名單！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 01 日 14:07 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
8月1日，英偉達(dá)官網(wǎng)更新800V直流電源架構(gòu)合作商名錄，氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科上榜，為英偉達(dá)Kyber機(jī)架系統(tǒng)提供全鏈路氮化鎵電源解決方案，這也是名單中唯一的中國(guó)芯片企業(yè)。 據(jù)悉，英偉達(dá)與英諾賽科此次合作將推動(dòng)800V直流（800 VDC）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?；瘧?yīng)用，并將...  [詳內(nèi)文]

三代半電力領(lǐng)域“大顯身手”，安森美x英偉達(dá)、英諾賽科x聯(lián)合電子、浩思動(dòng)力加速布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 31 日 14:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在全球能源轉(zhuǎn)型與科技升級(jí)的浪潮下，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)憑借高功率密度、低能耗、小體積等卓越特性，正成為驅(qū)動(dòng)各行業(yè)能效提升與技術(shù)革新的核心引擎，在AI數(shù)據(jù)中心供電、新能源汽車電力電子系統(tǒng)等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用價(jià)值，推動(dòng)著相關(guān)產(chǎn)業(yè)向更高效、更綠色的方向邁進(jìn)。 ...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)又一氮化鎵項(xiàng)目新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 29 日 16:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
憑借高頻、高效、耐高壓等特性，氮化鎵在新一輪半導(dǎo)體革命浪潮中逐漸成為“寵兒”，吸引全球關(guān)注。我國(guó)氮化鎵技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化方面加速突圍，近期國(guó)內(nèi)氮化鎵相關(guān)項(xiàng)目傳出新進(jìn)展。 “汶上縣投資促進(jìn)服務(wù)中心”消息，7月28日，山東汶上縣舉行氮化鎵半導(dǎo)體智能制造項(xiàng)目暨芯片綜合配套項(xiàng)目簽約儀式。這...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)氮化鎵技術(shù)迎來(lái)新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 23 日 16:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN
“中國(guó)科學(xué)院微電子研究所”官微消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、北京大學(xué)、香港科技大學(xué)、劍橋大學(xué)、武漢大學(xué)和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司等，首次澄清了GaN異質(zhì)外延中螺位錯(cuò)和刃位錯(cuò)對(duì)GaN基功率電子器件的關(guān)鍵可靠性-動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻退化的影...  [詳內(nèi)文]