文章分類： 氮化鎵GaN

國內又一氮化鎵項目新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 29 日 16:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
憑借高頻、高效、耐高壓等特性，氮化鎵在新一輪半導體革命浪潮中逐漸成為“寵兒”，吸引全球關注。我國氮化鎵技術研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化方面加速突圍，近期國內氮化鎵相關項目傳出新進展。 “汶上縣投資促進服務中心”消息，7月28日，山東汶上縣舉行氮化鎵半導體智能制造項目暨芯片綜合配套項目簽約儀式。這...  [詳內文]

國內氮化鎵技術迎來新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 23 日 16:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN
“中國科學院微電子研究所”官微消息，中國科學院微電子研究所聯(lián)合中國科學院半導體研究所、北京大學、香港科技大學、劍橋大學、武漢大學和蘇州能訊高能半導體有限公司等，首次澄清了GaN異質外延中螺位錯和刃位錯對GaN基功率電子器件的關鍵可靠性-動態(tài)導通電阻退化的影...  [詳內文]

氮化鎵x機器人，中科半導體發(fā)布新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 22 日 15:01 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月21日，中科半導體宣布正式發(fā)布氮化鎵機器人智能快充芯片。 據(jù)了解，本次發(fā)布的氮化鎵（GaN）ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007與CT-1901）四個型號，通過“氮化鎵ASIC芯片+GaN功率管”集成的差異設計，是為機器人定制化的快充專用芯片...  [詳內文]

氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器，成功研制！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 18 日 14:48 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)中國科學院蘇州納米所官微消息，依托中國科學院蘇州納米所建設的半導體顯示材料與芯片重點實驗室與蘇州實驗室合作，近日研制出GaN基光子晶體面發(fā)射激光器，并實現(xiàn)了室溫電注入激射。 研究團隊首先仿真設計了GaN基PCSEL器件結構，隨后外延生長了高質量的GaN基激光器材料，并開發(fā)了低損...  [詳內文]

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 16 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“廣東致能半導體有限公司”官微消息，近期，廣東致能創(chuàng)始人黎子蘭博士參加在瑞典舉辦的第十五屆國際氮化物半導體會議（ICNS-15）并作邀請報告（Invited Talk）。報告分享了團隊在硅基垂直氮化鎵功率器件（GaN HEMT）技術上的原創(chuàng)性突破及應用前景。 廣東致能團隊全球首創(chuàng)...  [詳內文]

英諾賽科宣布，產(chǎn)能再擴張！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 15 日 13:47 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
英諾賽科（Innoscience）正通過產(chǎn)能拓展、技術創(chuàng)新及戰(zhàn)略合作強化，持續(xù)鞏固其市場地位。公司計劃在未來五年內顯著提升晶圓產(chǎn)能，同時推出新一代產(chǎn)品平臺并積極布局車規(guī)級、AI服務器等高增長應用市場。 產(chǎn)能布局與技術路線：聚焦8英寸，展望12英寸 英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓...  [詳內文]

新品爆發(fā)，英諾賽科/wolfspeed/英飛凌/羅姆等企業(yè)加速競逐

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 08 日 14:05 |
| 分類: 企業(yè) , 半導體產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN
以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料持續(xù)推動功率電子和通信領域的技術革新。從新能源汽車到5G基站，從工業(yè)設備到消費電子，這些寬禁帶材料正憑借高頻、高效、高功率密度的特性重塑產(chǎn)業(yè)格局。 近期，第三代半導體領域迎來一輪新品爆發(fā)期，英諾賽科、Wolfspeed、...  [詳內文]

英飛凌：12英寸GaN晶圓量產(chǎn)在即

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 04 日 14:34 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月3日，英飛凌在其官方網(wǎng)站宣布，其基于12英寸晶圓的可擴展氮化鎵（GaN）制造技術已取得突破性進展。這一里程碑標志著GaN功率器件的大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)邁出了關鍵一步，首批樣品預計將于2025年第四季度交付客戶。 圖片來源：英飛凌官網(wǎng)截圖 氮化鎵作為新一代寬禁帶半導體材料，以其卓...  [詳內文]

新加坡成立氮化鎵國家半導體轉換和創(chuàng)新中心，2026年年中開啟商業(yè)運營

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 02 日 14:41 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，新加坡科學技術研究署（A*Star）成立的氮化鎵國家半導體轉換和創(chuàng)新中心（NSTIC（GaN））舉行開幕儀式并正式啟用，計劃從2026年年中開始在本地提供商業(yè)生產(chǎn)代工服務。 半導體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代科技的核心驅動力，氮化鎵作為第三代半導體材料代表，具有高電子遷移率、高擊穿電場、高熱...  [詳內文]

行業(yè)雙強聯(lián)手，啟動8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計劃！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 02 日 13:38 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月1日，氮化鎵（GaN）功率半導體領域的領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）宣布，與全球領先的晶圓代工廠力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）達成戰(zhàn)略合作。 此次合作的核...  [詳內文]