2月25日，香港特區(qū)政府財政司司長陳茂波在立法會發(fā)表《2026至2027財政年度政府財政預(yù)算案》時宣布，香港微電子研發(fā)院第三代半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)與試產(chǎn)中試線將于2026年內(nèi)投入運(yùn)作。
陳茂波同時披露，特區(qū)政府“新型工業(yè)加速計劃”已支持兩家專注半導(dǎo)體芯片技術(shù)及設(shè)備的企業(yè)，相關(guān)項目總投資超15億港元；截至目前，該計劃累計支持4個項目，總投資約25億港元，私人投資占比超七成，有效撬動社會資本參與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
香港微電子研發(fā)院于2024年正式成立，是特區(qū)政府布局微電子與半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心研發(fā)平臺，而第三代半導(dǎo)體中試線則是其重點建設(shè)項目，該中試線的建設(shè)聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）兩大主流第三代半導(dǎo)體材料，核心目的是補(bǔ)齊香港從實驗室研發(fā)到小規(guī)模試產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，破解研發(fā)成果“落地難”的痛點。
此前2024年7月，香港微電子研發(fā)院將設(shè)立碳化硅、氮化鎵兩條中試線，協(xié)助初創(chuàng)/中小企業(yè)試產(chǎn)、測試與認(rèn)證。同月首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線啟動，該中試線是香港科技園與麻省光子技術(shù)合作，投資約2億港元，聚焦GaN外延片工藝。
本次微電子研發(fā)院中試線投運(yùn)后，將與現(xiàn)有中試線形成互補(bǔ)協(xié)同，進(jìn)一步完善香港第三代半導(dǎo)體中試能力。
全鏈條布局發(fā)力 香港第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步前行
近年來，香港將第三代半導(dǎo)體列為國際創(chuàng)新科技中心建設(shè)的重點領(lǐng)域，依托自身雄厚的科研優(yōu)勢與持續(xù)的政策支持，穩(wěn)步推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全鏈條布局，以香港微電子研發(fā)院為核心，逐步建成多條第三代半導(dǎo)體中試線，其中元朗微電子中心8英寸碳化硅襯底良率已提升至85%，接近國際先進(jìn)水平，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了堅實的硬件支撐。
特區(qū)政府通過“新型工業(yè)加速計劃”“創(chuàng)新香港研發(fā)平臺”等一系列專項政策，持續(xù)加大對半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)、設(shè)備制造與企業(yè)落戶的支持力度，不斷強(qiáng)化資金與產(chǎn)業(yè)的精準(zhǔn)對接。
2025年6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局轄下的創(chuàng)新科技署宣布，#杰立方半導(dǎo)體（香港）有限公司提交的“新型工業(yè)加速計劃”申請已獲評審委員會支持。該項目計劃在香港興建一座第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶圓生產(chǎn)設(shè)施。該晶圓廠項目的總預(yù)算超過7億港元，其中新型工業(yè)加速計劃將提供2億港元的資助。
如今，香港第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已逐步從研發(fā)、中試向設(shè)計、設(shè)備、應(yīng)用等環(huán)節(jié)延伸，成功吸引海內(nèi)外相關(guān)企業(yè)集聚，在功率半導(dǎo)體、射頻器件等領(lǐng)域形成了自身特色優(yōu)勢，能夠有效服務(wù)新能源、通信、汽車電子等下游市場，朝著產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?；姆较蚍€(wěn)步邁進(jìn)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）
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