月產(chǎn)2億顆芯片,SiC/GaN封裝工廠正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 08 月 04 日 14:25 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

據(jù)濱海發(fā)布消息,8月1日,伯芯微電子(天津)有限公司(簡稱“伯芯微電子”)在天津經(jīng)開區(qū)微電子創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園正式投產(chǎn)。

圖片來源:濱海發(fā)布

根據(jù)預(yù)測,該項目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計月封裝芯片產(chǎn)能在2億顆以上,年收入將達(dá)到2億元以上。

公開資料顯示,伯芯微電子成立于2022年,由中科院微電子研究所注冊成立,是一家專注于半導(dǎo)體集成電路封裝測試的企業(yè),主要開展DFN(雙扁平無引腳封裝)和QFN(方形扁平無引腳封裝)兩大類形式的封裝,封裝產(chǎn)品主要是電源保護類芯片。

除現(xiàn)有產(chǎn)品產(chǎn)能提升外,伯芯微電子還將增加Flip chip(倒裝芯片)工藝先進封裝樣品線、功率SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)芯片封裝以及RF射頻模塊、音頻功放IC模塊等產(chǎn)品線,逐步從小型化封裝擴展到高級封裝。

SiC和GaN作為第三代半導(dǎo)體材料,憑借耐高溫、高頻、高效等特性,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、儲能、光伏逆變器、5G基站等高壓高頻場景。例如,在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅功率器件可提升逆變器效率,降低整車能耗與重量,增加續(xù)航里程;氮化鎵器件則在5G基站射頻電路中展現(xiàn)出高功率密度、高效率等性能,有效縮小基站體積與成本。

但相比傳統(tǒng)硅功率器件封裝,SiC和GaN具有的優(yōu)點也對器件的物理保護、散熱、電氣連接等提出了更嚴(yán)苛的要求,必須通過專門的封裝設(shè)計解決。既要解決高頻高壓下的電氣性能瓶頸,也要應(yīng)對高功率密度帶來的散熱和可靠性挑戰(zhàn),技術(shù)要求更高。

作為芯片實現(xiàn)價值的“最后一公里”,半導(dǎo)體封裝測試環(huán)節(jié)是產(chǎn)業(yè)鏈不可或缺的重要一環(huán)。此次伯芯微電子落戶天津經(jīng)開區(qū),將為區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈補上關(guān)鍵一環(huán),進一步完善主題園區(qū)產(chǎn)業(yè)生態(tài),提升產(chǎn)業(yè)整體競爭力。

 

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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