英諾賽科登榜,英偉達(dá)最新800V架構(gòu)供應(yīng)商名單!

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 08 月 01 日 14:07 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN

8月1日,英偉達(dá)官網(wǎng)更新800V直流電源架構(gòu)合作商名錄,氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科上榜,為英偉達(dá)Kyber機(jī)架系統(tǒng)提供全鏈路氮化鎵電源解決方案,這也是名單中唯一的中國(guó)芯片企業(yè)。

據(jù)悉,英偉達(dá)與英諾賽科此次合作將推動(dòng)800V直流(800 VDC)電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?;瘧?yīng)用,并將單機(jī)房算力密度將提升10倍以上,助力單機(jī)柜功率密度突破300kW,推動(dòng)全球AI數(shù)據(jù)中心正式邁入兆瓦級(jí)供電時(shí)代。

業(yè)界認(rèn)為,英偉達(dá)選擇英諾賽科作為其核心合作伙伴,主要看中后者具備的從襯底、外延、芯片設(shè)計(jì)到封裝測(cè)試的IDM全鏈優(yōu)勢(shì),擁有“技術(shù)+產(chǎn)能+服務(wù)”綜合實(shí)力。

資料顯示,英諾賽科專注于氮化鎵研發(fā)與制造,擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地,產(chǎn)品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等,可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)與家電、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與工業(yè)等領(lǐng)域。

英諾賽科堅(jiān)定推行IDM(設(shè)計(jì)-制造-封測(cè)一體化)模式,戰(zhàn)略重心聚焦8英寸GaN產(chǎn)線的工程化成熟度。資料顯示,英諾賽科自主研發(fā)的8英寸GaN-on-Si量產(chǎn)線,良率達(dá)95%以上,推動(dòng)成本下降40%,是目前業(yè)界最先進(jìn)的生產(chǎn)線之一,產(chǎn)能居行業(yè)首位。

圖片來(lái)源:英諾賽科

今年7月,媒體報(bào)道英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)張。公司計(jì)劃將當(dāng)前每月13000片的產(chǎn)能提升至2025年底的20000片。長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo)是未來(lái)五年內(nèi)將月產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)大至70000片。

技術(shù)方面,英諾賽科第三代GaN器件高頻效率達(dá)98.5%,支持15V-1200V全電壓場(chǎng)景。

此外,英諾賽科還提供高壓/中壓/低壓三級(jí)DC-DC轉(zhuǎn)換架構(gòu),系統(tǒng)性提升整體轉(zhuǎn)換效率,實(shí)現(xiàn)從電網(wǎng)到GPU的端到端的高效傳輸。

 

(集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理)

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。