隨著5G/6G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星互連等高頻高功率應(yīng)用場(chǎng)景的快速發(fā)展，碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。在國(guó)際廠商主導(dǎo)的市場(chǎng)格局下，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的自主化進(jìn)程對(duì)高可靠性、高性能、低成本的本土工藝平臺(tái)需求日益迫切。
近日，合肥歐益睿芯科技有限公司（簡(jiǎn)稱“歐益睿芯”）宣布，其自主研發(fā)的6英寸0.45μm GaN on SiC工藝平臺(tái)正式對(duì)外開放。作為擁有國(guó)內(nèi)稀有的6英寸GaN射頻及毫米波量產(chǎn)線的企業(yè)，此舉不僅標(biāo)志著其發(fā)展的階段性里程碑，更為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體射頻產(chǎn)業(yè)鏈注入了新的活力。
圖片來源：歐益睿圖片來源：歐益睿
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1、技術(shù)核心：6英寸0.45μm GaN on SiC工藝平臺(tái)的價(jià)值突破
官方資料顯示，歐益睿芯的該工藝平臺(tái)已通過獨(dú)立第三方及首批合作客戶的嚴(yán)格驗(yàn)證，其綜合性能指標(biāo)表現(xiàn)被業(yè)內(nèi)專家評(píng)價(jià)為“達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平”。這一技術(shù)突破的價(jià)值，深刻體現(xiàn)在對(duì)“6英寸GaN on SiC規(guī)模化量產(chǎn)”和“微米級(jí)柵極工藝”兼顧的成功跨越。
GaN on SiC技術(shù)憑借GaN的高頻、高功率特性與SiC襯底出色的熱導(dǎo)率，已成為射頻器件領(lǐng)域的主流方向。然而，在實(shí)際制造中，6英寸GaN on SiC工藝存在巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)。
從市場(chǎng)情況看，雖然6英寸SiC襯底已趨于成熟，但在其上實(shí)現(xiàn)高均勻性、低缺陷密度的GaN外延生長(zhǎng)，并確保后續(xù)大規(guī)模生產(chǎn)中的工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性，仍是國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵瓶頸。
與此同時(shí)，微米級(jí)柵極工藝構(gòu)成了GaN技術(shù)的另一道核心壁壘。柵極尺寸直接決定了射頻器件的頻率特性和功率密度，是實(shí)現(xiàn)高頻、高功率性能的關(guān)鍵。
在國(guó)內(nèi)射頻GaN領(lǐng)域，能夠成熟掌握6英寸GaN on SiC技術(shù)的平臺(tái)屈指可數(shù)，這凸顯了歐益睿芯在產(chǎn)業(yè)鏈中的稀缺地位與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
歐益睿芯技術(shù)團(tuán)隊(duì)介紹，該平臺(tái)經(jīng)過多輪工藝驗(yàn)證，展現(xiàn)出良好的參數(shù)穩(wěn)定性與一致性。依托其全流程自主可控的IDM模式，確保了從設(shè)計(jì)、流片到測(cè)試各環(huán)節(jié)的高效協(xié)同，目前已具備為客戶提供定制化芯片開發(fā)服務(wù)的成熟能力。
2、歐益速度：IDM模式驅(qū)動(dòng)的高效研發(fā)與制造
歐益睿芯的建設(shè)與研發(fā)速度在業(yè)內(nèi)引人矚目，被冠以“歐益速度”。從2023年3月產(chǎn)線動(dòng)工到2024年初產(chǎn)線調(diào)試通線，僅用時(shí)約9個(gè)月。在此之后一年多的時(shí)間內(nèi)，公司就完成了包括此次開放的0.45μm GaN on SiC工藝在內(nèi)的多項(xiàng)GaN、GaAs射頻及毫米波工藝開發(fā)。
2023年3月：合肥產(chǎn)線正式動(dòng)工
2023年7月：主體廠房封頂
2023年9月：首臺(tái)設(shè)備移機(jī)
2023年12月：設(shè)備安裝就緒
2024年初：產(chǎn)線調(diào)試通線
公司CEO張若丹博士將此歸因于IDM模式下設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試環(huán)節(jié)的高效協(xié)同，這顯著減少了技術(shù)迭代過程中的“體外循環(huán)”損耗，將傳統(tǒng)上需要約3年的研發(fā)周期大幅壓縮。
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3、開放平臺(tái)：拓展國(guó)產(chǎn)GaN應(yīng)用的廣闊邊界
此次開放的6英寸0.45μm GaN on SiC工藝平臺(tái)，是歐益睿芯推動(dòng)國(guó)產(chǎn)GaN技術(shù)邁向廣闊市場(chǎng)應(yīng)用的第一步。公司強(qiáng)調(diào)，第三代半導(dǎo)體的突破需要產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)力。歐益睿芯期望以自身的技術(shù)為支點(diǎn)，聯(lián)合上下游合作伙伴，共同推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體在5G/6G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、電子對(duì)抗、低空經(jīng)濟(jì)、衛(wèi)星互連等關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景的落地。
歐益睿芯的這一舉措，為國(guó)內(nèi)通信、國(guó)防等領(lǐng)域的高性能射頻芯片需求提供了本土化規(guī)?；倪x擇，有望加速國(guó)產(chǎn)GaN技術(shù)從“跟跑”向“并跑”邁進(jìn)。其后續(xù)的工藝平臺(tái)持續(xù)開發(fā)進(jìn)度、產(chǎn)品市場(chǎng)接受度、量產(chǎn)良率與長(zhǎng)期可靠性表現(xiàn)，將成為產(chǎn)業(yè)界持續(xù)關(guān)注的焦點(diǎn)。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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