文章分類： 氮化鎵GaN

SDI/英飛凌戰(zhàn)略結(jié)盟：共推AI與SiC/GaN導(dǎo)線架技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 10 日 14:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
導(dǎo)線架解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商順德工業(yè)股份有限公司（以下簡稱“SDI”）于11月6日宣布，已與全球功率半導(dǎo)體巨擘德國英飛凌科技簽署了產(chǎn)品優(yōu)先開發(fā)權(quán)（Right of First Offer, ROFO）合作協(xié)議。這項戰(zhàn)略合作協(xié)議旨在共同推進(jìn)AI加速器所需的關(guān)鍵導(dǎo)線架技術(shù)開發(fā)，并攜手布局包...  [詳內(nèi)文]

政策加碼，河北聚焦碳化硅、氮化鎵等領(lǐng)域

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 10 日 14:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，河北省工業(yè)和信息化廳發(fā)布《關(guān)于2025年第三代半導(dǎo)體、新型顯示產(chǎn)業(yè)擬支持項目的公示》，重點聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等高端材料領(lǐng)域，通過財政補貼、產(chǎn)能扶持與產(chǎn)學(xué)研協(xié)同等方式，推動國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 公示的名單中，涉及碳化硅/氮化鎵領(lǐng)域的企業(yè)如下： 河北同...  [詳內(nèi)文]

國博電子：硅基氮化鎵功放芯片成功量產(chǎn)應(yīng)用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 04 日 15:02 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN
10月30日，國博電子公告稱，公司與國內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片，在手機等終端中成功量產(chǎn)應(yīng)用，累計交付數(shù)量超100萬只。 圖片來源：國博電子公告截圖 國博電子表示，公司與國內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片，針對手機等終端應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計優(yōu)化，填補了業(yè)內(nèi)硅基...  [詳內(nèi)文]

這家功率大廠宣布推出垂直GaN半導(dǎo)體！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 03 日 14:57 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月31日，安森美官微宣布推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標(biāo)桿。該技術(shù)在安森美紐約錫拉丘茲的工廠研發(fā)和制造，并已獲得涵蓋垂直GaN技術(shù)的基礎(chǔ)工藝、器件設(shè)計、制造以及系統(tǒng)創(chuàng)新的130多項全球?qū)＠? 圖片來源：安森美 據(jù)介紹，安森美的...  [詳內(nèi)文]

英飛凌攜手海信推出氮化鎵電視適配器

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 31 日 14:38 |
| 分類: 氮化鎵GaN
氮化鎵憑借高頻、高效、高功率密度等特性，在消費電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從快充普及到多場景滲透的跨越式發(fā)展。近期，電視電源領(lǐng)域，氮化鎵應(yīng)用傳出新進(jìn)展。 功率半導(dǎo)體大廠英飛凌宣布，其高性能氮化鎵功率器件IGD70R270D2S已成功應(yīng)用于海信最新推出的43R7Q電視適配器。 海信43R7Q適配...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)12英寸氮化鎵達(dá)成一起新合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 21 日 14:06 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月20日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“東微半導(dǎo)體”）官微消息，其與蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“晶湛半導(dǎo)體”）雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同推進(jìn)12英寸氮化鎵技術(shù)與產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用。 圖片來源：蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司 資料顯示，東微半導(dǎo)體成立于2008年，產(chǎn)品覆...  [詳內(nèi)文]

垂直GaN新秀獲1100萬美元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 17 日 10:40 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
硅谷AI硬件基礎(chǔ)設(shè)施迎來一家極具潛力的初創(chuàng)公司。由麻省理工學(xué)院（MIT）分拆成立的Vertical Semiconductor Inc.（以下簡稱“Vertical”）10月15日宣布，已成功完成1100萬美元種子輪融資。本輪融資由知名風(fēng)投機構(gòu)Playground Global領(lǐng)...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體大廠談氮化鎵前景

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 16 日 18:27 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月13日，瑞薩電子官微發(fā)文，介紹了瑞薩及其GaN（氮化鎵）技術(shù)發(fā)展征程，氮化鎵應(yīng)用情況，以及未來氮化鎵面臨的挑戰(zhàn)與機會。 2024年瑞薩電子收購GaN領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè)Transphorm，進(jìn)而完成了布局氮化鎵的關(guān)鍵一步。此次收購，瑞薩獲得了Transphorm的GaN知識產(chǎn)權(quán)、...  [詳內(nèi)文]

CGD宣布與格芯合作，擴(kuò)大ICeGaN? 產(chǎn)能！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 14 日 17:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月13日，劍橋氮化鎵器件公司（Cambridge GaN Devices, 以下簡稱“CGD”）宣布，與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商GlobalFoundries（格芯）達(dá)成重要制造合作。 此次合作將大幅增強CGD的供應(yīng)鏈能力，利用格芯成熟的8英寸晶圓制程，擴(kuò)大其獨有的ICeGaN...  [詳內(nèi)文]

擬募資15.5億港元，國內(nèi)氮化鎵龍頭將擴(kuò)產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 11 日 14:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月10日，英諾賽科發(fā)布公告表示，擬募資15.5億港元，約4.82億港元用于產(chǎn)能擴(kuò)充及產(chǎn)品迭代升級。 圖片來源：英諾賽科公告截圖 英諾賽科在公告中指出，公司與配售代理訂立配售協(xié)議，配售代理同意作為本公司代理盡力促使不少于六名承配人按照配售協(xié)議所載條款并在其條件規(guī)限下購20,7...  [詳內(nèi)文]