文章分類： 氮化鎵GaN

納微半導(dǎo)體透露碳化硅、氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，納微半導(dǎo)體公布2025年第二季度財(cái)報(bào)，同時(shí)該公司在財(cái)報(bào)會(huì)議中透露了碳化硅與氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展。 圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體官網(wǎng)新聞稿截圖 據(jù)悉，英偉達(dá)已經(jīng)與納微半導(dǎo)體進(jìn)行開發(fā)合作，以支持下一代 800V 數(shù)據(jù)中心。納微半導(dǎo)體將在固態(tài)變壓器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [詳內(nèi)文]

月產(chǎn)2億顆芯片，SiC/GaN封裝工廠正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 04 日 14:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)濱海發(fā)布消息，8月1日，伯芯微電子（天津）有限公司（簡(jiǎn)稱“伯芯微電子”）在天津經(jīng)開區(qū)微電子創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園正式投產(chǎn)。 圖片來(lái)源：濱海發(fā)布 根據(jù)預(yù)測(cè)，該項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)月封裝芯片產(chǎn)能在2億顆以上，年收入將達(dá)到2億元以上。 公開資料顯示，伯芯微電子成立于2022年，由中科院微電子研究所...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科登榜，英偉達(dá)最新800V架構(gòu)供應(yīng)商名單！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 01 日 14:07 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
8月1日，英偉達(dá)官網(wǎng)更新800V直流電源架構(gòu)合作商名錄，氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科上榜，為英偉達(dá)Kyber機(jī)架系統(tǒng)提供全鏈路氮化鎵電源解決方案，這也是名單中唯一的中國(guó)芯片企業(yè)。 據(jù)悉，英偉達(dá)與英諾賽科此次合作將推動(dòng)800V直流（800 VDC）電源架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)模化應(yīng)用，并將...  [詳內(nèi)文]

三代半電力領(lǐng)域“大顯身手”，安森美x英偉達(dá)、英諾賽科x聯(lián)合電子、浩思動(dòng)力加速布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 31 日 14:53 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在全球能源轉(zhuǎn)型與科技升級(jí)的浪潮下，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)憑借高功率密度、低能耗、小體積等卓越特性，正成為驅(qū)動(dòng)各行業(yè)能效提升與技術(shù)革新的核心引擎，在AI數(shù)據(jù)中心供電、新能源汽車電力電子系統(tǒng)等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用價(jià)值，推動(dòng)著相關(guān)產(chǎn)業(yè)向更高效、更綠色的方向邁進(jìn)。 ...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)又一氮化鎵項(xiàng)目新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 29 日 16:05 |
| 分類: 氮化鎵GaN
憑借高頻、高效、耐高壓等特性，氮化鎵在新一輪半導(dǎo)體革命浪潮中逐漸成為“寵兒”，吸引全球關(guān)注。我國(guó)氮化鎵技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化方面加速突圍，近期國(guó)內(nèi)氮化鎵相關(guān)項(xiàng)目傳出新進(jìn)展。 “汶上縣投資促進(jìn)服務(wù)中心”消息，7月28日，山東汶上縣舉行氮化鎵半導(dǎo)體智能制造項(xiàng)目暨芯片綜合配套項(xiàng)目簽約儀式。這...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)氮化鎵技術(shù)迎來(lái)新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 23 日 16:16 |
| 分類: 氮化鎵GaN
“中國(guó)科學(xué)院微電子研究所”官微消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、北京大學(xué)、香港科技大學(xué)、劍橋大學(xué)、武漢大學(xué)和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司等，首次澄清了GaN異質(zhì)外延中螺位錯(cuò)和刃位錯(cuò)對(duì)GaN基功率電子器件的關(guān)鍵可靠性-動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻退化的影...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵x機(jī)器人，中科半導(dǎo)體發(fā)布新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 22 日 15:01 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月21日，中科半導(dǎo)體宣布正式發(fā)布氮化鎵機(jī)器人智能快充芯片。 據(jù)了解，本次發(fā)布的氮化鎵（GaN）ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007與CT-1901）四個(gè)型號(hào)，通過(guò)“氮化鎵ASIC芯片+GaN功率管”集成的差異設(shè)計(jì)，是為機(jī)器人定制化的快充專用芯片...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器，成功研制！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 18 日 14:48 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所官微消息，依托中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所建設(shè)的半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與蘇州實(shí)驗(yàn)室合作，近日研制出GaN基光子晶體面發(fā)射激光器，并實(shí)現(xiàn)了室溫電注入激射。 研究團(tuán)隊(duì)首先仿真設(shè)計(jì)了GaN基PCSEL器件結(jié)構(gòu)，隨后外延生長(zhǎng)了高質(zhì)量的GaN基激光器材料，并開發(fā)了低損...  [詳內(nèi)文]

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 16 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“廣東致能半導(dǎo)體有限公司”官微消息，近期，廣東致能創(chuàng)始人黎子蘭博士參加在瑞典舉辦的第十五屆國(guó)際氮化物半導(dǎo)體會(huì)議（ICNS-15）并作邀請(qǐng)報(bào)告（Invited Talk）。報(bào)告分享了團(tuán)隊(duì)在硅基垂直氮化鎵功率器件（GaN HEMT）技術(shù)上的原創(chuàng)性突破及應(yīng)用前景。 廣東致能團(tuán)隊(duì)全球首創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科宣布，產(chǎn)能再擴(kuò)張！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 15 日 13:47 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
英諾賽科（Innoscience）正通過(guò)產(chǎn)能拓展、技術(shù)創(chuàng)新及戰(zhàn)略合作強(qiáng)化，持續(xù)鞏固其市場(chǎng)地位。公司計(jì)劃在未來(lái)五年內(nèi)顯著提升晶圓產(chǎn)能，同時(shí)推出新一代產(chǎn)品平臺(tái)并積極布局車規(guī)級(jí)、AI服務(wù)器等高增長(zhǎng)應(yīng)用市場(chǎng)。 產(chǎn)能布局與技術(shù)路線：聚焦8英寸，展望12英寸 英諾賽科正加速其8英寸氮化鎵晶圓...  [詳內(nèi)文]