10月30日，國博電子公告稱，公司與國內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片，在手機(jī)等終端中成功量產(chǎn)應(yīng)用，累計(jì)交付數(shù)量超100萬只。
圖片來源：國博電子公告截圖
國博電子表示，公司與國內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片，針對手機(jī)等終端應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化，填補(bǔ)了業(yè)內(nèi)硅基氮化鎵功放終端射頻應(yīng)用的空白。新產(chǎn)品攻克了硅基氮化鎵外延的晶格缺陷比例高的材料難題，充分發(fā)揮了新型三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)優(yōu)勢，在兼顧功率、效率、帶寬等指標(biāo)的前提下，實(shí)現(xiàn)了對傳統(tǒng)砷化鎵功放的性能提升，并突破了硅基氮化鎵功放芯片的量產(chǎn)技術(shù)，在業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了硅基氮化鎵功放芯片在終端射頻領(lǐng)域的量產(chǎn)交付。
此外，新產(chǎn)品具備高功率、高效率、高寬帶特性，可為客戶進(jìn)一步降低能耗，降低系統(tǒng)鏈路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度，助力客戶進(jìn)一步提升手機(jī)等終端的數(shù)據(jù)傳輸速率、降低工作能耗。
國博電子預(yù)計(jì)公司新產(chǎn)品將持續(xù)對現(xiàn)有砷化鎵終端功放產(chǎn)品形成替代，并有望在終端射頻功放領(lǐng)域全頻段、全場景推廣應(yīng)用，該產(chǎn)品系列有望為公司營收提供第二增長曲線。
資料顯示，國博電子成立于2000年，主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品覆蓋防務(wù)與民用領(lǐng)域。在防務(wù)領(lǐng)域，為陸、海、空、天等各型裝備配套關(guān)鍵產(chǎn)品；在民用領(lǐng)域，是基站射頻器件核心供應(yīng)商，產(chǎn)品性能達(dá)國際先進(jìn)水平。
10月30日，國博電子公布最新財(cái)報(bào)，數(shù)據(jù)顯示，2025年三季度，國博電子實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入15.69億元，當(dāng)期凈利潤為2.47億元，其中，T/R 組件和射頻模塊收入9.44億元，占比88.19%；射頻芯片收入9086.8萬元，占比8.49%。
射頻企業(yè)錨定氮化鎵，競逐新賽道
射頻企業(yè)布局氮化鎵（GaN）領(lǐng)域具有諸多優(yōu)勢。一方面，射頻企業(yè)本身具備射頻設(shè)計(jì)、電路優(yōu)化等全鏈條經(jīng)驗(yàn)，能降低氮化鎵研發(fā)門檻，加速量產(chǎn)轉(zhuǎn)化；同時(shí)，氮化鎵的高頻、高功率等特性，可精準(zhǔn)匹配5G、毫米波通信等場景需求，與射頻企業(yè)技術(shù)升級方向高度契合。此外，從市場看，5G、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域催生大量氮化鎵器件需求，射頻企業(yè)布局可搶占新市場，構(gòu)建第二增長曲線。
除國博電子外，行業(yè)內(nèi)還有銳石創(chuàng)芯、銳捷創(chuàng)芯、慧智微、卓勝微、昂瑞微、唯捷創(chuàng)芯、紫光展銳等多家射頻企業(yè)在氮化鎵前端模塊、功率放大器等方向持續(xù)技術(shù)攻堅(jiān)。
例如，銳石創(chuàng)芯聚焦氮化鎵射頻前端模塊開發(fā)，采用低溫共燒陶瓷（LTCC）封裝技術(shù)，將功率放大器模塊尺寸縮小50%，顯著提升散熱效率，其產(chǎn)品在專網(wǎng)通信、衛(wèi)星載荷等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定供貨，成為細(xì)分市場的重要參與者。
中瓷電子原是國內(nèi)領(lǐng)先的電子陶瓷供應(yīng)商，2023年通過資產(chǎn)重組，收購了河北博威集成電路有限公司和北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司的部分股權(quán)，新增了氮化鎵通信基站射頻芯片與器件等業(yè)務(wù)，構(gòu)建了氮化鎵通信基站射頻芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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