硅谷AI硬件基礎(chǔ)設(shè)施迎來(lái)一家極具潛力的初創(chuàng)公司。由麻省理工學(xué)院（MIT）分拆成立的Vertical Semiconductor Inc.（以下簡(jiǎn)稱“Vertical”）10月15日宣布，已成功完成1100萬(wàn)美元種子輪融資。本輪融資由知名風(fēng)投機(jī)構(gòu)Playground Global領(lǐng)投，Jimco Technology Ventures、Milemark-Capital和Shin-etsu等機(jī)構(gòu)跟投。
圖片來(lái)源：Vertical官網(wǎng)新聞稿截圖
Vertical公司的核心使命是解決日益嚴(yán)峻的人工智能數(shù)據(jù)中心電力輸送瓶頸問題，其突破性技術(shù)在于開發(fā)并商業(yè)化垂直氮化鎵（Vertical GaN）晶體管。
公開資料顯示，Vertical脫胎于麻省理工學(xué)院著名的Palacios Group實(shí)驗(yàn)室，專注于氮化鎵（GaN）晶體管的研究。GaN作為新一代半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅基芯片，具備更高的效率、更快的開關(guān)速度，以及在更高溫度和電壓下工作的能力，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車和電力電子領(lǐng)域。
Vertical的技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)在于顛覆了傳統(tǒng)的橫向晶體管設(shè)計(jì)，將GaN晶體管設(shè)計(jì)成垂直堆疊結(jié)構(gòu)。這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)帶來(lái)了多重優(yōu)勢(shì)。
首先，它能夠提高密度，在單個(gè)芯片內(nèi)集成更多晶體管。其次，它能支持更高電壓，允許電流流經(jīng)晶體管的更多部分，從而顯著提升性能。更重要的是，垂直結(jié)構(gòu)憑借其卓越的熱管理能力，熱量散逸優(yōu)于橫向設(shè)計(jì)，支持更高的功率密度。此外，它還能強(qiáng)化可靠性，利用一種名為“雪崩”的自我保護(hù)機(jī)制，確保晶體管在電壓尖峰期間仍能穩(wěn)定工作。
Vertical的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Cynthia Liao堅(jiān)信，垂直氮化鎵晶體管正是AI數(shù)據(jù)中心當(dāng)前迫切需要的解決方案。她指出：“人工智能硬件最大的瓶頸在于我們向芯片供電的速度。AI的發(fā)展速度不再僅僅受限于算法?！?/p>
廖首席執(zhí)行官進(jìn)一步解釋，現(xiàn)有的芯片設(shè)計(jì)已難以提供足夠的功率來(lái)維持更先進(jìn)的AI工作負(fù)載。Vertical的垂直GaN技術(shù)能夠?qū)⒛芰哭D(zhuǎn)換推向更靠近芯片的位置，使其以更少的能量和熱量完成更多計(jì)算。
據(jù)公司估算，采用Vertical的解決方案，可以將數(shù)據(jù)中心的效率提高高達(dá)30%，同時(shí)將功耗降低一半。
Horizontal已在八英寸晶圓上展示了其技術(shù)，并利用標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造方法，證明其技術(shù)能夠無(wú)縫集成到現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造和數(shù)據(jù)中心生態(tài)中。
領(lǐng)投方Playground Global的Matt Hershenson對(duì)此表示高度贊賞：“Vertical破解了困擾半導(dǎo)體行業(yè)多年的難題，即如何提供高壓、高效且可擴(kuò)展、可制造的電力電子器件?！彼J(rèn)為，Vertical不僅推動(dòng)了科學(xué)進(jìn)步，更將“改變計(jì)算的經(jīng)濟(jì)性”。
Vertical表示，本次獲得的1100萬(wàn)美元資金將用于加速其商業(yè)化進(jìn)程。目前，垂直GaN晶體管原型已在開發(fā)中，公司計(jì)劃在今年年底前開始向早期客戶提供封裝器件樣品。如果一切順利，預(yù)計(jì)將在2026年底前推出完全集成的解決方案。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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