文章分類： 氮化鎵GaN

韓國650V氮化鎵功率半導體，實現(xiàn)首次量產！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 25 日 13:38 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，韓國半導體公司ChipScale宣布，已經成功量產650V氮化鎵功率半導體，成為韓國首家實現(xiàn)這一技術的公司。 ChipScale是一家韓國無晶圓廠（Fabless）半導體公司，位于京畿道，專注于氮化鎵（GaN）功率半導體的設計與開發(fā)。據(jù)悉該公司的核心技術人員來自于韓國電子通...  [詳內文]

英諾賽科第三代700V氮化鎵全面上市

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 20 日 14:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
8月18日，英諾賽科宣布其第三代(Gen3) 700V 增強型氮化鎵功率器件系列正式全面上市。 圖片來源：英諾賽科 相較Gen2.5，英諾賽科Gen3產品核心性能實現(xiàn)躍升，具體包括： 芯片面積縮減30%：通過先進的工藝優(yōu)化與結構創(chuàng)新，顯著提升硅片利用率，助力實現(xiàn)更高功率密度設計...  [詳內文]

超過碳化硅！新型氮化鎵晶體管已突破800℃高溫

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:27 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，由賓夕法尼亞州立大學電氣工程教授Rongming Chu領導的研究團隊，設計出了一種可在800?℃下工作的氮化鎵晶體管——足以熔化食鹽的高溫。這項技術突破不僅挑戰(zhàn)了現(xiàn)有半導體材料的物理極限，更可能重塑極端環(huán)境下電子設備的設計邏輯。 傳統(tǒng)硅基晶體管因帶隙較窄（1.12eV），...  [詳內文]

臺積電宣布退出/調整6、8英寸產能，SiC、GaN受關注！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）披露，董事會已決定在未來兩年內逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務，并持續(xù)整并8英寸晶圓產能。此舉對第三代半導體的碳化硅和氮化鎵產生了不同程度的影響。 臺積電在聲明中指出，此項決定不會影響公司先前公布的財務目標，即2025年美元營收將增長約30...  [詳內文]

深圳在氮化鎵/碳化硅集成領域取得突破性進展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳國資”官微消息，近期由市屬國企深重投集團與深圳市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領域取得突破性進展。 國創(chuàng)中心首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延。這一成果...  [詳內文]

Wolfspeed、英諾賽科動態(tài)，涉及碳化硅、氮化鎵新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導體領域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車規(guī)級碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅動IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車動力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V車...  [詳內文]

國際首次突破！深圳平湖實驗室攻克GaN/SiC單片集成技術瓶頸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖實驗室官微宣布，深圳平湖實驗室近日在GaN/SiC集成領域取得突破性進展，在國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量AlGaN/GaN異質結構外延。 據(jù)了解，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)...  [詳內文]

中芯國際：未來將配合建立SiC、GaN等第三代半導體產能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績會上表示，公司未來將根據(jù)國際客戶的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導體產能。 這一戰(zhàn)略舉措標志著中芯國際在第三代半導體領域的進一步拓展，旨在滿足國內市場對高端半導體產品的需求，...  [詳內文]

國產射頻新篇章，歐益睿芯6英寸GaN工藝平臺開放

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:39 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
隨著5G/6G通信、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星互連等高頻高功率應用場景的快速發(fā)展，碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術已成為全球半導體產業(yè)的競爭焦點。在國際廠商主導的市場格局下，國內產業(yè)鏈的自主化進程對高可靠性、高性能、低成本的本土工藝平臺需求日益迫切。 近日，合肥歐益睿芯科技有限公...  [詳內文]

英國這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專利進軍GaN與SiC市場

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著寬禁帶半導體領域部分核心專利陸續(xù)到期，一場技術創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國初創(chuàng)公司#柵源漏半導體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機遇，正專注于研發(fā)新一代的專利保護型寬禁帶半導體材料與器件。該公司計劃在未來2-3年內，推出垂直...  [詳內文]