近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009系列650V 9mΩ車規(guī)級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。這款符合汽車AEC-Q101標準的650V氮化鎵分立器件，以全球最小的9mΩ導通電阻（Rds(on)），將為新能源汽車、工業(yè)電機、儲能系統(tǒng)、光伏逆變等多領域帶來更多技術突破的可能，引起行業(yè)內(nèi)關注。
圖片來源：鎵未來
鎵未來指出，當行業(yè)還在為15mΩ的導通電阻參數(shù)競爭時， G2E65R009系列產(chǎn)品直接將這一數(shù)值縮小至9mΩ。這帶來了眾多影響：
導通損耗降低60%：相比傳統(tǒng)硅基IGBT，其開關損耗和導通損耗均降低60%以上，相當于每臺新能源汽車電機控制器可減少約150W的無效功耗，對應續(xù)航里程提升3%~5%；
熱管理革命：僅為9mΩ的超低導通電阻配合TO-247PLUS-4L和ITO-247PLUS-3L封裝的優(yōu)異散熱設計，熱阻低至0.2℃/W相較傳統(tǒng)SiC MOSFET降低約40%；
效率躍升：經(jīng)過鎵未來實驗室實測，在P-out為5.3kW時，峰值效率可達99.35%；
功率翻倍：單顆分立器件支持高達20kW的功率輸出 ，穩(wěn)居行業(yè)頂尖水平?？梢詽M足更多大功率應用
場景需求，實現(xiàn)高功率密度和高設計自由度的結(jié)合。
目前，該產(chǎn)品已與多家頭部車企及核心Tier1供應商攜手，進入實質(zhì)性的研發(fā)驗證階段，共同推進技術落地與應用升級。
（集邦化合物半導體整理）
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