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華為、比亞迪押注！碳化硅外延“第一股”港股敲鐘，募資2.24億美元
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 08 日 17:00 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
12月5日，廣東天域半導體股份有限公司（以下簡稱“天域半導體”）正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。作為中國碳化硅（SiC）外延片領域的領軍企業(yè)，天域半導體的成功上市不僅打破了國內同類企業(yè)在港股的“零記錄”，也標志著松山湖科學城在培育高科技上市梯隊方面取得了重要突破。 圖片來源：...  [詳內文]

氧化鎵入選浙江省重大科技成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 17:02 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
近期，浙江省科技廳公布2025年度重大科技成果，杭州鎵仁半導體有限公司的氧化鎵系列成果入選。 圖片來源：鎵仁半導體 半導體材料的發(fā)展歷經(jīng)數(shù)代更迭：從以硅、鍺為代表的第一代，到以砷化鎵等化合物為代表的第二代，再到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代。如今，被譽為“第四代半導體”的氧化鎵...  [詳內文]

揚杰科技與頭部車企達成長期合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:57 | 分類 企業(yè)
12月2日，揚杰科技與奔馳正式簽署長期合作協(xié)議，標志著揚杰科技在核心產(chǎn)品競爭力與全球市場拓展方面取得積極進展。 圖片來源：揚杰科技 根據(jù)雙方披露的合作細節(jié)，早在協(xié)議簽署的兩年前，揚杰科技便已啟動與奔馳技術團隊的深度對接。面對奔馳及其供應鏈在應用適配、可靠性驗證等方面的嚴苛標準，...  [詳內文]

九峰山實驗室氮化鎵新突破！即將中試驗證
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:52 | 分類 氮化鎵GaN
2025年12月4日，九峰山實驗室宣布了一項重大的科技突破——氮化鎵電源模塊的研發(fā)成功。該電源模塊只有拇指大小，100萬個指甲蓋大小的“黑盒子”，裝入一座容量1吉瓦（10億瓦）的超大型AI算力中心機柜里，一年可省近3億度電，約合2.4億元電費。 圖片來源：中國光谷 團隊負責人李...  [詳內文]

新微半導體：氮化鎵功率全工藝平臺年產(chǎn)能突破60,000片
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:40 | 分類 氮化鎵GaN
近期，由臨港新片區(qū)管理委員會指導，新微半導體主辦的“氮化鎵驅動AI芯時代——臨港氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈峰會”成功舉行。 會上，新微半導體宣布其100V-200V氮化鎵功率工藝平臺發(fā)布，同時該公司氮化鎵功率全工藝平臺實現(xiàn)年產(chǎn)能突破60,000片。 圖片來源：新微半導體 新微半導體指出...  [詳內文]

芯聯(lián)紹興集成電路產(chǎn)業(yè)基金成立，兩大半導體項目同步落地
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:37 | 分類 企業(yè) , 半導體產(chǎn)業(yè)
近期，芯聯(lián)集成在資本、財務及技術端密集布局。12月2日，公司正式設立產(chǎn)業(yè)基金并綁定關鍵供應商，此前三季報顯示營收增長近兩成且虧損大幅收窄。結合最新發(fā)布的碳化硅G2.0技術平臺，公司正通過“補鏈”與“擴產(chǎn)”雙管齊下，為2026年預期的扭虧為盈目標積蓄動能。 圖片來源：芯聯(lián)集成官微...  [詳內文]

英諾賽科“朋友圈”+1，攜手安森美劍指200毫米氮化鎵技術
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:29 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月3日，英諾賽科（Innoscience）與安森美（Onsemi）半導體共同宣布，雙方簽署諒解備忘錄，探討利用Innoscience經(jīng)過驗證的200毫米氮化鎵對硅工藝，擴大氮化鎵（GaN）功率器件的生產(chǎn)。 圖片來源：英諾賽科新聞稿截圖 此次合作將結合Onsemi的系統(tǒng)集成、...  [詳內文]

全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:17 | 分類 氮化鎵GaN
近日，廣東致能半導體官微宣布，于2025年11月攜手國際知名8英寸Fab完成全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地。 圖片來源：廣東致能半導體官微 據(jù)介紹，致能半導體通過導入行業(yè)領先的制造工藝及創(chuàng)新的技術平臺，產(chǎn)品在芯片尺寸、生產(chǎn)成本、電學性能、制造一致性等核心指標方面均...  [詳內文]

這個碳化硅芯片封裝項目正式落地成都
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:12 | 分類 碳化硅SiC
中科光智近期完成B輪融資首家簽約并獲數(shù)千萬元投資，碳化硅芯片封裝設備研發(fā)制造中心正式落地成都金牛，將填補區(qū)域半導體制造后道環(huán)節(jié)空白。 圖片來源：中科光智 項目落地金牛區(qū)，補強半導體封測產(chǎn)業(yè)鏈 近期，成都市金牛區(qū)人民政府與中科光智簽署投資合作協(xié)議，標志著碳化硅芯片封裝設備研發(fā)制造中...  [詳內文]

1.14億港元，LED企業(yè)收購氮化鎵廠商
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 15:52 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月1日，宏光半導體發(fā)布公告，擬以約1.14億元港元收購深圳鎵宏半導體約12.98%的股權，加碼第三代半導體業(yè)務。 交易方式上，代價A將由宏光半導體通過向賣方A各自的代名人配發(fā)及發(fā)行合共14677萬股股份的方式支付，發(fā)行價為每股0.50港元。代價B將由公司通過向賣方B發(fā)行承兌票...  [詳內文]