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士蘭微、方正微電子碳化硅新動(dòng)態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 17 日 14:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，國內(nèi)碳化硅廠商方正微電子、士蘭微電子最新產(chǎn)品動(dòng)態(tài)曝光。 1、方正微電子發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品 近期，方正微電子正式發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，在第一代的高可靠基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升性能，縮小Die size，提升FOM值，實(shí)現(xiàn)了在行...  [詳內(nèi)文]

河南，發(fā)力碳化硅等相關(guān)材料領(lǐng)域！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 16 日 12:59 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，河南省工業(yè)和信息化廳、河南省財(cái)政廳、河南省科學(xué)院聯(lián)合關(guān)于發(fā)布《河南省重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2025版）》的通告，涉及碳化硅等碳材料： 鋁基碳化硅復(fù)合材料薄板 (1)厚度0.05mm至1.0mm；(2)屈服強(qiáng)度≥320MPa；(3)延伸率≥3%；(4)熱導(dǎo)率≥12...  [詳內(nèi)文]

實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)！英諾賽科發(fā)布氮化鎵新產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 16 日 12:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，宣布自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 公告介紹，該款產(chǎn)品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢，有助于進(jìn)一步推動(dòng)能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源...  [詳內(nèi)文]

SK集團(tuán)擬151億元出售SK Siltron多數(shù)股權(quán)？
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 16 日 12:53 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)韓媒近日?qǐng)?bào)道，韓國SK集團(tuán)正在與私募基金Hahn & Company商討出售其持有的硅晶圓制造商SK Siltron的多數(shù)股權(quán)，交易估值約3萬億韓元（約合人民幣151億元）。 source：SK hynix 此次出售的股份總計(jì)70.6%，其中包括SK集團(tuán)直接持有的51...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)機(jī)器人“黑豹2.0”搭載GaN
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 15 日 13:07 | 分類 氮化鎵GaN
近日，中國“黑豹2.0”四足機(jī)器人搭載GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)了革命性突破。該機(jī)器人由中國浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心人形機(jī)器人創(chuàng)新研究院聯(lián)合鏡識(shí)科技有限公司、杭州凱達(dá)爾焊接機(jī)器人股份有限公司共同發(fā)布，被稱為是全球速度最快的四足機(jī)器人。 核心技術(shù)突破：氮化鎵（GaN）...  [詳內(nèi)文]

獨(dú)家對(duì)話方正微電子彭建華：碳化硅領(lǐng)域的突破與展望
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 15 日 13:05 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
Q1：近期貴公司在碳化硅芯片領(lǐng)域取得了哪些突破？ 彭建華：方正微電子從2023年底實(shí)現(xiàn)車規(guī)主驅(qū)SiC MOS芯片量產(chǎn)，2024年進(jìn)一步提升生產(chǎn)制造質(zhì)量與良率，夯實(shí)基礎(chǔ)。 在關(guān)鍵的新能源汽車市場，無論是產(chǎn)品性能質(zhì)量，還是出貨量，方正微電子均處于國內(nèi)領(lǐng)先地位。另外在光儲(chǔ)充UPS等工規(guī)...  [詳內(nèi)文]

上海成立一家芯片公司，或發(fā)力功率半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 15 日 13:01 | 分類 企業(yè) , 功率
企查查官網(wǎng)顯示，近期，海馭能科半導(dǎo)體（上海）有限公司成立，注冊(cè)資本為1億元，該公司主營半導(dǎo)體分立器件制造、電力電子元器件制造、電子專用材料制造等業(yè)務(wù)。 股權(quán)穿透顯示，海馭能科半導(dǎo)體（上海）有限公司由華域汽車旗下華域汽車系統(tǒng)（上海）有限公司、上海國策綠色科技制造私募投資基金合伙企業(yè)...  [詳內(nèi)文]

亞洲氧化鎵技術(shù)迎新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 14 日 13:44 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導(dǎo)體材料禁帶寬度的拓寬始終驅(qū)動(dòng)著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢，掀起一場新的半導(dǎo)體革命。 氧化鎵熔點(diǎn)高達(dá)1900℃，不溶于水...  [詳內(nèi)文]

12英寸碳化硅設(shè)備，三家企業(yè)實(shí)現(xiàn)突破！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 14 日 13:41 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期我國多家企業(yè)在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，推動(dòng)了我國在第三代半導(dǎo)體材料裝備制造方面的自主創(chuàng)新能力。 其中，晶馳機(jī)電成功開發(fā)出電阻法12英寸碳化硅晶體生長設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了同一爐臺(tái)8英寸和12英寸碳化硅單晶的穩(wěn)定量產(chǎn)；山西天成的12英寸碳化硅長晶爐也已進(jìn)入爐體組裝和工藝調(diào)試階段，計(jì)...  [詳內(nèi)文]

國際大廠擴(kuò)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)能！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 14 日 13:35 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
4月10日，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布了一項(xiàng)全面戰(zhàn)略計(jì)劃，旨在通過重塑制造布局和優(yōu)化全球成本基礎(chǔ)，提升其在半導(dǎo)體行業(yè)的競爭力。該計(jì)劃涉及先進(jìn)制造技術(shù)的投資以及全球生產(chǎn)基地的整合，目標(biāo)是在快速變化的碳化硅市場中占據(jù)有利地位。 source：意法半導(dǎo)體 ...  [詳內(nèi)文]