12月1日，宏光半導體發(fā)布公告，擬以約1.14億元港元收購深圳鎵宏半導體約12.98%的股權(quán)，加碼第三代半導體業(yè)務。
交易方式上，代價A將由宏光半導體通過向賣方A各自的代名人配發(fā)及發(fā)行合共14677萬股股份的方式支付，發(fā)行價為每股0.50港元。代價B將由公司通過向賣方B發(fā)行承兌票據(jù)的方式支付，承兌票據(jù)本金額4081.6萬港元。
交易前，深圳鎵宏由宏光半導體全資子公司Swift Power持股約60.30%。交易完成后，深圳鎵宏將成為宏光半導體間接全資附屬公司，持股比例將提升至73.28%。
資料顯示，宏光半導體最初以LED燈珠設(shè)計、開發(fā)和制造為核心業(yè)務，憑借在背光模組、顯示驅(qū)動等細分市場的深耕，已在國內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要位置。
1、LED企業(yè)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，瞄準三代半賽道
近年來，面對LED需求趨緩和新能源、快充等新興應用的增長，宏光主動轉(zhuǎn)型，聚焦氮化鎵（GaN）功率芯片及相關(guān)射頻外延片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
圖片來源：宏光半導體官網(wǎng)
宏光半導體于2022年與協(xié)鑫集團簽署戰(zhàn)略合作框架，雙方將在GaN功率芯片在新能源充電、儲能、光伏逆變器等場景的應用展開長期合作，協(xié)鑫提供資本與供應鏈資源，宏光提供技術(shù)與產(chǎn)品化能力。
2023年3月，宏光進一步通過收購華芯邦科技的方式，補足模擬/混合信號芯片設(shè)計、先進封裝及Fab?Lite制造能力，以形成GaN全產(chǎn)業(yè)鏈的IDM布局。這些動作表明宏光正從單純的LED制造商向兼具材料、外延、芯片設(shè)計與封裝的綜合性第三代半導體企業(yè)轉(zhuǎn)變。
2、鎵宏半導體：聚焦氮化鎵技術(shù)
深圳鎵宏半導體成立于2023年，是宏光在GaN業(yè)務中的核心平臺，專注于GaN功率芯片及射頻外延片的研發(fā)、生產(chǎn)和代工。
在產(chǎn)能方面，深圳鎵宏半導體依托子公司江蘇鎵宏的徐州工廠實現(xiàn)核心產(chǎn)能落地，目前已達成 6 英寸氮化鎵外延片的量產(chǎn)。同時搭建的首條試驗線，已完整覆蓋外延生長、器件制造以及模組開發(fā)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，具備從芯片到模組的全流程生產(chǎn)能力。
在技術(shù)合作方面，鎵宏半導體在國內(nèi)與深圳泰高技術(shù)達成全面戰(zhàn)略合作，為其提供氮化鎵射頻與功率芯片工藝研發(fā)支持及穩(wěn)定的外延片服務，合作涵蓋硅基、碳化硅基等多類型氮化鎵外延片領(lǐng)域。
國際上則與以色列 VisIC、加拿大 Gan System（已被英飛凌收購）等頂尖氮化鎵大功率芯片設(shè)計公司建立技術(shù)與業(yè)務合作，以此加速自身 IDM 項目建設(shè)。
3、結(jié)語
宏光半導體通過1.14億元收購深圳鎵宏12.98%股權(quán)，實現(xiàn)對GaN外延與制造資源的進一步整合。兩者的協(xié)同將為宏光在新能源快充、光伏逆變、5G射頻等高增長應用場景提供強有力的技術(shù)與產(chǎn)能支撐。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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