山東粵海金半導體科技有限公司(下文簡稱“粵海金”)于昨日(11/20)宣布自主研制的SiC單晶生長爐上成功制備出直徑超過205毫米的8英寸導電型SiC晶體,晶體表面光滑無缺陷,厚度超過20毫米,同時已經順利加工出8英寸SiC襯底片。
粵海金是高金富恒集團旗下專門從事第三代半導體材...  [詳內文]
國產企業粵海金8英寸SiC襯底取得突破 |
作者 huang, Mia|發布日期 2023 年 11 月 21 日 17:45 | 分類 功率 |