Author Archives: KikiWang

天岳先進(jìn)，港股IPO獲備案！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 16 日 13:58 | 分類 企業(yè)
6月13日，天岳先進(jìn)發(fā)布公告稱，公司于近日收到中國證監(jiān)會出具的《關(guān)于山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司境外發(fā)行上市備案通知書》。該公司擬發(fā)行不超過87,206,050股境外上市普通股并在香港聯(lián)合交易所上市。 圖片來源：中國證券監(jiān)督管理委員會 天岳先進(jìn)表示，公司申請發(fā)行境外上市外資股（...  [詳內(nèi)文]

復(fù)旦碳化硅器件新突破：成功制備兩種布局 1.7kV MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 16 日 13:57 | 分類 碳化硅SiC
近日，在行業(yè)會議上，復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊宣布，其基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種不同布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。這一創(chuàng)新成果，相較于傳統(tǒng)超結(jié)結(jié)構(gòu)，在保障器件性能的同時，不僅大幅降低了制造成本...  [詳內(nèi)文]

聚焦AI和HPC應(yīng)用，Coherent發(fā)布突破性金剛石SiC材料
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 13 日 17:05 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著人工智能（AI）和高性能計算（HPC）領(lǐng)域的快速發(fā)展，芯片功耗不斷攀升，散熱問題已成為限制性能和可靠性的關(guān)鍵瓶頸。6月13日，美國Coherent（高意）宣布，推出其突破性的金剛石-碳化硅（diamond-SiC）復(fù)合材料，旨在徹底改變?nèi)斯ぶ悄芎透咝阅苡嬎鉎PC應(yīng)用中的熱管理...  [詳內(nèi)文]

GaN驅(qū)動電源革新，多款氮化鎵電源產(chǎn)品發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 13 日 17:00 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，氮化鎵（GaN）技術(shù)正以其卓越的性能，為電源領(lǐng)域帶來一場深刻變革。近期，MPS芯源系統(tǒng)和小米生態(tài)鏈企業(yè)酷態(tài)科，分別推出集成氮化鎵技術(shù)的新產(chǎn)品，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。 1、MPS發(fā)布集成氮化鎵的高效電源方案 6月初，MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布兩款新品——NovoOne開關(guān)...  [詳內(nèi)文]

助力功率半導(dǎo)體，羅姆發(fā)布新SPICE模型
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 功率
6月10日，羅姆宣布推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。 圖片來源：羅姆——用戶可從第4代SiC MOSFET相應(yīng)產(chǎn)品頁面的“設(shè)計模型”中下載 羅姆介紹，功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計階段的仿真驗證中，模...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體“朋友圈”+1，碳化硅助力重型農(nóng)業(yè)運輸
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，納微半導(dǎo)體正式宣布與BrightLoop達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方將圍繞新一代氫燃料電池充電系統(tǒng)，運用先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，致力于推動高效、高可靠性的能源管理方案在農(nóng)業(yè)與重型運輸領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化落地。 圖片來源：納微半導(dǎo)體 此次合作中，納微將為BrightLoop最新系列的氫燃料...  [詳內(nèi)文]

AI時代芯片生存法則，TSS2025集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇演講劃重點！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 16:05 | 分類 研討會
2025年6月10日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢及其旗下全球半導(dǎo)體觀察聯(lián)合主辦的“TSS2025集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇”在深圳圓滿落幕。 本屆論壇以封閉式線下交流形式匯聚行業(yè)精英，吸引300多位半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖企業(yè)高層參與，涵蓋芯片設(shè)計、材料、制造、封...  [詳內(nèi)文]

又一批第三代半導(dǎo)體項目刷新進(jìn)度：封頂、試運行、沖刺生產(chǎn)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 15:20 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競爭日益激烈的當(dāng)下，第三代半導(dǎo)體憑借其卓越的性能，成為推動電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域多個項目取得重要進(jìn)展，為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導(dǎo)體級等靜壓石墨項目：設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行 6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號消息，奧通碳素（內(nèi)...  [詳內(nèi)文]

格力電器：已建立SiC SBD和MOS芯片工藝平臺，董明珠卸任零邊界董事長
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 15:16 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，格力電器在芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局迎來關(guān)鍵性人事調(diào)整與技術(shù)突破。格力電器披露，已成功建立起#碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片的完整工藝平臺，部分產(chǎn)品不僅實現(xiàn)內(nèi)部批量使用，更已為多家芯片設(shè)計公司提供晶圓流片制造服務(wù)，這標(biāo)志著格力在第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。 與此同時，格...  [詳內(nèi)文]