在第三代半導體產(chǎn)業(yè)加速推進的背景下,碳化硅(SiC)作為核心材料的技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)突破。據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計,近期國內(nèi)碳化硅領(lǐng)域共有7項關(guān)鍵專利集中公開或授權(quán),覆蓋襯底制備、功率器件結(jié)構(gòu)、單晶生長設(shè)備及應(yīng)用拓展等核心環(huán)節(jié),其中襯底絕緣層創(chuàng)新、高精度光柵制備及熱場控制技術(shù)成為亮...  [詳內(nèi)文]
芯粵能、頂立科技等7家企業(yè)公布SiC專利 |
| 作者 KikiWang|發(fā)布日期 2026 年 01 月 13 日 15:41 | 分類 碳化硅SiC |
