近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體工藝設(shè)備供應(yīng)商泛林集團(tuán)（Lam Research）與法國(guó)微電子研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti正式宣布達(dá)成一項(xiàng)新的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議。
圖片來(lái)源：泛林集團(tuán)新聞稿
根據(jù)雙方發(fā)布的官方新聞通稿，此次合作旨在加速下一代“特種技術(shù)”（Specialty Technologies）器件的開(kāi)發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，重點(diǎn)應(yīng)對(duì)人工智能、智能出行及可持續(xù)技術(shù)對(duì)高性能、低功耗半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的需求。雙方將共同探索包括功率電子、射頻信號(hào)處理、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）以及光子學(xué)在內(nèi)的多個(gè)關(guān)鍵前沿領(lǐng)域。
根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，此次研發(fā)任務(wù)將主要在CEA-Leti位于法國(guó)格勒諾布爾的先進(jìn)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)開(kāi)展。泛林集團(tuán)將向該研究中心提供其最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括具備脈沖等離子體技術(shù)（Pulsed Plasma Technologies）的先進(jìn)刻蝕系統(tǒng)以及各類(lèi)薄膜沉積平臺(tái)。
這些設(shè)備將被直接用于處理化合物半導(dǎo)體材料，特別是針對(duì)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體的加工挑戰(zhàn)。官方指出，這些材料在實(shí)現(xiàn)更高效的能源轉(zhuǎn)換、更快的5G/6G通信連接以及微型化傳感器方面具有不可替代的作用。
泛林集團(tuán)在新聞稿中強(qiáng)調(diào)，通過(guò)此次合作，能夠利用CEA-Leti在微納米技術(shù)領(lǐng)域的科研深度，快速驗(yàn)證新材料在復(fù)雜器件結(jié)構(gòu)中的表現(xiàn)。這種合作模式旨在克服從實(shí)驗(yàn)室原型向工業(yè)化量產(chǎn)（Lab-to-Fab）轉(zhuǎn)化過(guò)程中的技術(shù)障礙，縮短新一代特種芯片的上市時(shí)間。例如，在光子集成電路（PIC）和3D成像傳感器的研發(fā)中，雙方將共同優(yōu)化原子層沉積（ALD）等精密工藝，以確保這些精密器件在大規(guī)模生產(chǎn)中的一致性和良率。
泛林集團(tuán)首席技術(shù)官Vahid Vahedi在官方聲明中表示，特種技術(shù)是驅(qū)動(dòng)當(dāng)今互聯(lián)世界和新興AI創(chuàng)新的重要基石，此次攜手CEA-Leti將確保泛林集團(tuán)始終處于這些關(guān)鍵技術(shù)的最前沿。CEA-Leti首席執(zhí)行官Sébastien Dauvé也對(duì)此次長(zhǎng)期協(xié)議的簽署表示認(rèn)可，認(rèn)為通過(guò)提前在工業(yè)級(jí)平臺(tái)上進(jìn)行新材料的工藝表征，不僅能加速技術(shù)突破，也將進(jìn)一步鞏固歐洲在全球半導(dǎo)體研發(fā)生態(tài)系統(tǒng)中的地位。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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