Author Archives: florafeng

氮矽科技攜手Ulike打造首款超聲炮美容儀產(chǎn)品，加速GaN元件導入消費市場
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 30 日 16:42 | 分類 氮化鎵GaN
致力于引領全球氮化鎵(GaN)革命的解決方案供應商氮矽科技近日宣布，氮矽科技先進低壓氮化鎵集成方案DXC3510S2CA產(chǎn)品成功應用于由萊智能(Ulike)旗下高端品牌極萌(Jmoon)的一款超聲美容儀JCS10。依靠其超高頻、高效能等性能優(yōu)勢，該技術方案強力支持產(chǎn)品超聲聚能和能...  [詳內(nèi)文]

AI、機器人、氮化鎵等浪潮來襲，英飛凌四大新品亮劍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了深度探討，其首次在國內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

安世半導體推出采用行業(yè)領先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:52 | 分類 碳化硅SiC
近日，Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧...  [詳內(nèi)文]

意法半導體與重慶郵電大學戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:41 | 分類 碳化硅SiC
近日，意法半導體與重慶郵電大學在重慶安意法半導體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正式簽署產(chǎn)學研戰(zhàn)略合作協(xié)議。 雙方將在以下三方面展開產(chǎn)學研資源深度融合： 共建創(chuàng)新平臺：意法半導體在智能功率技術、寬禁帶帶隙半導體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數(shù)字和混合信號技術等...  [詳內(nèi)文]

安徽格恩半導體申請氮化鎵基化合物半導體激光器專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分類 氮化鎵GaN
近日，國家知識產(chǎn)權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為“一種氮化鎵基化合物半導體激光器”的專利。 專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導體激光元件技術領域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導體激光器。該氮化鎵基化合物半導體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上...  [詳內(nèi)文]

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:02 | 分類 功率
近日，安森美推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成獲聯(lián)合電子“卓越技術創(chuàng)新獎”
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 17 日 10:42 | 分類 碳化硅SiC
近日，聯(lián)合電子2025年供應商大會隆重舉行，芯聯(lián)集成作為聯(lián)合電子的重要供應鏈合作伙伴出席此次大會。會上，芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動力，憑借高性能碳化硅（SiC）MOSFET等技術產(chǎn)品供應，榮獲“2024年度供應商卓越技術創(chuàng)新獎”。 作為一家半導體產(chǎn)業(yè)界的創(chuàng)新科技公司，芯聯(lián)集成致力于...  [詳內(nèi)文]

CGD官宣突破性技術
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:49 | 分類 氮化鎵GaN
近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術，目標瞄準規(guī)模超百億美元的電動汽車市場。革命性的 Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同...  [詳內(nèi)文]

東芝功率半導體后道生產(chǎn)新廠房竣工
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:46 | 分類 功率
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導體工廠的車載功率半導體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財年的水平增加一倍以上，并將于2025財年上半年開始全面生產(chǎn)。 功率器件是提高各種電氣和電子設備能源效率的重要元件，在電力供應和...  [詳內(nèi)文]

納微助力長城電源打造超高功率密度模塊電源
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:16 | 分類 氮化鎵GaN
納微半導體宣布其搭載GaNSense?技術的GaNFast??氮化鎵功率芯片進入長城電源供應鏈，成功助力其打造AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進行計算，400V獨立機柜的架構將成為數(shù)據(jù)中心的全...  [詳內(nèi)文]