近日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器”的專利。
專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器。該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上波導(dǎo)層、上限制層，上波導(dǎo)層與上限制層之間具有強(qiáng)布里淵光力耦合層；強(qiáng)布里淵光力耦合層的In/C元素比例具有函數(shù)y＝A+x?1/2x第一四象限曲線分布；In/O元素比例具有函數(shù)y＝B+x?1/2x第一四象限曲線分布；In/H元素比例具有函數(shù)y＝C+x?1/2x第一四象限曲線分布；該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，能夠降低激光光場(chǎng)耗散，抑制光場(chǎng)模式泄漏到襯底形成駐波，提升遠(yuǎn)場(chǎng)圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性。
天眼查資料顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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