文章分類: 化合物半導體

美國能源部啟動TRACE-Ga計劃,助力構建本土鎵供應鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 28 日 19:13 |
| 分類: 化合物半導體
近日,美國能源部(DOE)化石能源和碳管理辦公室正式宣布啟動鎵回收和先進關鍵材料提取技術(TRACE-Ga)計劃。 鎵作為第三代半導體材料的核心原料,在新能源汽車、5G通信、光伏設備以及軍事裝備等眾多關鍵領域發(fā)揮著不可替代的作用。隨著全球對第三代半導體產品需求的持續(xù)攀升,鎵的戰(zhàn)略...  [詳內文]

中國科學院半導體研究所:氮化物片上光通信獲突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 28 日 18:54 |
| 分類: 化合物半導體
近日,中國科學院半導體研究所#寬禁帶半導體 研發(fā)中心王軍喜、魏同波研究員團隊,與復旦大學沈超研究員、沙特國王科技大學李曉航副教授合作,制備出氮化物片上日盲光通信集成器件,并搭建了可以實時傳輸視頻信號的片上光通信集成系統(tǒng)。 該研究成果以“III-Nitride Micro-Arra...  [詳內文]

盛美上海、先為科技、北方華創(chuàng)齊發(fā)力,國產化合物半導體設備三連突破!

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 22 日 17:11 |
| 分類: 化合物半導體
隨著電動汽車、5G/6G通信、射頻和人工智能應用等領域的需求日益強勁,化合物半導體市場持續(xù)增長。近期,國內化合物半導體設備領域喜訊頻傳,包括盛美上海推出新設備、先為科技設備發(fā)貨等,展現出國產設備正加速突圍的勢頭。 盛美上海 9月18日,盛美上海官微宣布,推出首款專為寬禁帶化合物半...  [詳內文]

政企攜手,珠海高新區(qū)謀化合物半導體新篇章

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 09 日 18:38 |
| 分類: 化合物半導體
9月8日,珠海高新區(qū)召開化合物半導體產業(yè)座談會,珠海高新區(qū)黨工委書記趙適劍,區(qū)黨工委副書記、管委會主任高磊,區(qū)黨工委委員、管委會副主任薛飛、田力出席會議。華芯微電子、鼎泰芯源等重點企業(yè),中山大學、北京理工大學(珠海)科研團隊和行業(yè)協會代表齊聚一堂,圍繞科技創(chuàng)新、產學研融合和產業(yè)生...  [詳內文]

發(fā)力化合物半導體,合肥高新區(qū)出臺新方案!

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 08 日 17:53 |
| 分類: 化合物半導體
近日,合肥高新區(qū)出臺《合肥高新區(qū)化合物半導體產業(yè)發(fā)展實施方案》。 主要目標是圍繞碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(lnP)及氧化鎵(Ga203)、金剛石等材料,到2027年,合肥高新區(qū)形成以襯底和外延材料、器件、模塊為核心的全產業(yè)鏈條,建成較大規(guī)模特...  [詳內文]

云南鍺業(yè)披露化合物半導體新進展!

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 02 日 15:13 |
| 分類: 化合物半導體
9月1日,云南鍺業(yè)在互動平臺回答投資者提問時表示,公司控股子公司云南鑫耀半導體材料有限公司生產的半絕緣砷化鎵晶片(襯底)可用于生產射頻器件,相關器件運用場景包括手機等多個領域。 此外,云南鍺業(yè)同步披露,其化合物半導體材料已成功向國內外多家客戶供貨,客戶反饋使用情況良好。公司正積極...  [詳內文]

武漢光谷化合物半導體產業(yè)創(chuàng)新街區(qū)迎兩大新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 02 日 15:11 |
| 分類: 化合物半導體
近期,湖北武漢光谷化合物半導體產業(yè)創(chuàng)新街區(qū)(以下簡稱“創(chuàng)新街區(qū)”)迎來兩大新進展。 圖片來源:中國光谷 圖為光谷化合物半導體產業(yè)創(chuàng)新街區(qū)結構規(guī)劃 其一,湖北九峰山創(chuàng)新街區(qū)投資有限公司揭牌成立,該公司將作為實施主體,全面負責創(chuàng)新街區(qū)的規(guī)劃、建設、投資、運營、服務等工作,這標志著...  [詳內文]

正式動工!這一功率半導體項目計劃明年底建成

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 21 日 14:18 |
| 分類: 化合物半導體
據“南閘發(fā)布”消息,近日賽英電子功率半導體模塊散熱基板新建生產基地及產能提升項目正式開工。 公開資料顯示,賽英電子成立于2002年,專業(yè)從事陶瓷管殼、封裝散熱基板等功率半導體器件關鍵部件研發(fā)、制造和銷售,為半導體廠商提供用于晶閘管、IGBT和IGCT等功率半導體器件的關鍵部件產品...  [詳內文]

印度首座化合物半導體晶圓廠獲批!

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 18 日 14:26 |
| 分類: 化合物半導體
近日,印度官方宣布,在印度半導體計劃(ISM)框架下,新增批準4個半導體項目,使ISM項目總數由6個增至10個。這4個項目涉及約460億盧比(約合37.77億元人民幣)投資。值得關注的是,這四個項目中包含印度首座商業(yè)化合物半導體晶圓廠。 據了解,該廠由印度SiCSem公司與英國C...  [詳內文]