2026年1月30日，斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：斯達(dá)半導(dǎo)）發(fā)布公告稱(chēng)，公司向不特定對(duì)象發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“可轉(zhuǎn)債”）的申請(qǐng)，已獲上海證券交易所上市審核委員會(huì)審核通過(guò)，距離正式發(fā)行僅剩中國(guó)證監(jiān)會(huì)注冊(cè)批復(fù)這一關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
圖片來(lái)源：斯達(dá)半導(dǎo)體公告截圖
據(jù)悉，本次斯達(dá)半導(dǎo)擬通過(guò)可轉(zhuǎn)債募資不超過(guò)15億元，核心投向車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊相關(guān)項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金，其中超六成資金將直接用于第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域布局。
具體來(lái)看，6億元將投入車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊制造項(xiàng)目，擴(kuò)大產(chǎn)能并優(yōu)化工藝；3億元用于車(chē)規(guī)級(jí)GaN模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，搭建完整工藝平臺(tái)，推動(dòng)產(chǎn)品量產(chǎn)適配車(chē)載驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，二者均聚焦第三代半導(dǎo)體核心材料SiC（碳化硅）與GaN（氮化鎵）的產(chǎn)業(yè)化落地。
官網(wǎng)介紹，斯達(dá)半導(dǎo)成立于2005年4月，專(zhuān)業(yè)從事以IGBT為主的半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售服務(wù)，是目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司，并在國(guó)內(nèi)和歐洲德國(guó)及瑞士設(shè)有研發(fā)中心
斯達(dá)半導(dǎo)深耕IGBT賽道，目前已實(shí)現(xiàn)“IGBT+第三代半導(dǎo)體”全矩陣布局，在SiC（碳化硅）與GaN（氮化鎵）兩大核心領(lǐng)域均形成明確的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化成果。
2025年3月18日，據(jù)西部重慶科學(xué)城官方消息，斯達(dá)半導(dǎo)與長(zhǎng)安汽車(chē)旗下深藍(lán)汽車(chē)合資打造的重慶車(chē)規(guī)級(jí)模塊生產(chǎn)基地項(xiàng)目正式封頂，該項(xiàng)目由雙方2023年共同出資成立的重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司負(fù)責(zé)運(yùn)營(yíng)，總投資4億元，分兩期建設(shè)。
基地聚焦車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）模塊及IGBT模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，按工業(yè)4.0標(biāo)準(zhǔn)打造，配備全流程自動(dòng)化與AI質(zhì)量控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)“無(wú)人化”生產(chǎn)，核心產(chǎn)品可適配新能源汽車(chē)800V高壓平臺(tái)主控制器需求。其中一期占地35畝，規(guī)劃年產(chǎn)能50萬(wàn)片，預(yù)計(jì)2025年6月實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)；二期全面建成后，年產(chǎn)能將提升至180萬(wàn)片，年產(chǎn)值預(yù)計(jì)突破10億元。
根據(jù)斯達(dá)半導(dǎo)披露的2025年第三季度報(bào)告，2025年前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入29.90億元，整體營(yíng)收保持穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)；歸母凈利潤(rùn)為3.82億元，同比下降9.80%。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）
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