近日媒體報(bào)道,湖南三安半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱“湖南三安”)于今年8月正式推出首代高性能Trench MOSFET技術(shù)平臺(tái),在碳化硅功率器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)突破。
湖南三安Trench MOSFET技術(shù)平臺(tái)導(dǎo)通電阻最低達(dá)1.75 mΩ·cm2,擊穿電壓超過(guò)1400V,核心靜態(tài)性能處于行業(yè)...  [詳內(nèi)文]
湖南三安碳化硅器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新突破 |
作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 08 月 29 日 14:21 | 分類 碳化硅SiC |