當(dāng)?shù)貢r間5月21日,納微半導(dǎo)體宣布與英偉達(dá)達(dá)成戰(zhàn)略合作,共同開發(fā)基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術(shù)的800V高壓直流(HVDC)電源架構(gòu),該技術(shù)將率先應(yīng)用于英偉達(dá)下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計算平臺。
圖片來源:納微半導(dǎo)體
當(dāng)前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配...  [詳內(nèi)文]
英偉達(dá)攜手納微升級電源架構(gòu),氮化鎵和碳化硅發(fā)揮核心作用 |
作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:31 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC |