當地時間5月21日，納微半導體宣布與英偉達達成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的800V高壓直流（HVDC）電源架構，該技術將率先應用于英偉達下一代AI數據中心及Rubin Ultra計算平臺。
圖片來源：納微半導體
當前數據中心普遍采用54V低壓配電系統(tǒng)，功率限制在幾百千瓦（kW），依賴笨重的銅母線傳輸電力。隨著AI算力需求激增，單個機架功率突破200kW時，傳統(tǒng)架構面臨效率下降、銅材消耗劇增等物理極限問題。800V架構通過減少銅材使用量45%、降低電流傳輸損耗，可支撐吉瓦級AI計算負載。
根據納微半導體官方披露，其GaNFast氮化鎵功率芯片與GeneSiC碳化硅技術將在合作中發(fā)揮核心作用。其GaNFast?功率芯片集成驅動、控制與保護功能，支持高達800V的瞬態(tài)電壓，并通過GaNSense?技術實現超高功率密度（92.36W/cm3）和97.9%的半載效率，顯著優(yōu)化了數據中心的能源利用率。
英偉達規(guī)劃顯示，該架構將直接服務于其“Kyber”機架級電力系統(tǒng)，配套維諦技術計劃于2026年推出的800VDC電源產品組合，包括集中式整流器、高效直流母線槽及機架級DC-DC轉換器。
800V高壓技術的應用不僅限于數據中心。新能源汽車領域已率先布局800V平臺，以解決充電速度與續(xù)航焦慮。例如，保時捷、小鵬、比亞迪等車企已推出相關車型，帶動碳化硅器件需求激增。
英偉達與納微半導體的合作，將AI計算需求與功率半導體創(chuàng)新深度綁定。從數據中心到電動汽車，800V高壓架構正成為提升能效、突破功率密度的核心路徑。隨著技術成熟與產業(yè)鏈協同，這一架構或將重新定義全球半導體及新能源產業(yè)格局。
此前5月5日，納微半導體公布了截至2025年3月31日的未經審計的2025年第一季度財務業(yè)績。數據顯示，納微半導體2025年第一季度總收入為1,400萬美元，較2024年同期的2,320萬美元和2024年第四季度的1,800萬美元有所下降。
圖片來源：納微半導體公告截圖
納微半導體表示預計2025年第二季度凈營收為1,400萬美元至1,500萬美元。非GAAP毛利率預計為38.5%，上下浮動0.5%，非GAAP運營費用預計約為1,550萬美元。
稍早一些3月，納微半導體發(fā)布了全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅動器。4月，納微半導體宣布與兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司正式達成戰(zhàn)略合作伙伴關系。
（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。