近日,鎵未來(lái)正式宣布推出G2E65R009系列650V 9mΩ車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)。這款符合汽車(chē)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的650V氮化鎵分立器件,以全球最小的9mΩ導(dǎo)通電阻(Rds(on)),將為新能源汽車(chē)、工業(yè)電機(jī)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、光伏逆變等多領(lǐng)域帶來(lái)更多技術(shù)突破的...  [詳內(nèi)文]
9mΩ車(chē)規(guī)級(jí)GaN FET:打破功率氮化鎵能效天花板? |
| 作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 12 月 01 日 17:58 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN |
