相關資訊：氮化鎵

先為科技首臺GaN MOCVD外延設備正式發(fā)貨
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 18 日 13:53 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“先為科技”官微消息，6月16日無錫先為科技有限公司首臺 GaN MOCVD BrillMO 外延設備正式發(fā)往國內(nèi)頭部的化合物半導體企業(yè)。 圖片來源：先為科技 先為科技表示，此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設備，各項性能均達到行業(yè)領先水平。該設備運用特有的溫...  [詳內(nèi)文]

GaN驅(qū)動電源革新，多款氮化鎵電源產(chǎn)品發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 13 日 17:00 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在科技飛速發(fā)展的當下，氮化鎵（GaN）技術正以其卓越的性能，為電源領域帶來一場深刻變革。近期，MPS芯源系統(tǒng)和小米生態(tài)鏈企業(yè)酷態(tài)科，分別推出集成氮化鎵技術的新產(chǎn)品，引發(fā)行業(yè)廣泛關注。 1、MPS發(fā)布集成氮化鎵的高效電源方案 6月初，MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布兩款新品——NovoOne開關...  [詳內(nèi)文]

華東理科大學氮化鎵晶圓檢測研究新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:11 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，華東理科大學上海市智能感知與檢測技術重點實驗室智能傳感團隊在氮化鎵晶圓檢測研究中取得重要進展。 圖片來源：華東理科大學 團隊利用開發(fā)的二維有機薄膜憶阻器實現(xiàn)了有圖案晶圓的缺陷檢測和無圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內(nèi)文]

穩(wěn)懋半導體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 06 日 13:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術正迎來重大突破。近日，純化合物半導體代工廠#穩(wěn)懋半導體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長度D型GaN HEMT技術，預計2025年第三季度量產(chǎn)，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術在5G/...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)首顆機器人關節(jié)“氮化鎵驅(qū)動器芯片”正式商用
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 06 日 13:49 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，中科無線半導體有限公司正式宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機器人關節(jié)ASIC驅(qū)動器芯片已成功推出并投入商用。該芯片作為中科半導體機器人動力系統(tǒng)芯片家族 “機器人關節(jié)驅(qū)動器芯片系列” 的重要一員，具備卓越性能，可有效滿足高功率密度場景需求。 圖片來源：中科半導體 ...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子：從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 05 日 15:30 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半導體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團隊，并取消原定于2025年初的SiC功率半導體量產(chǎn)計劃，這一消息在半導體行業(yè)激起千層浪。 結(jié)合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內(nèi)文]

布里斯托大學團隊實現(xiàn) GaN 突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 03 日 9:24 | 分類 氮化鎵GaN
近日，英國布里斯托大學研究團隊在《自然·電子學》（Nature Electronics）期刊發(fā)表突破性研究，首次揭示了氮化鎵（GaN）多通道晶體管中鎖存效應的物理機制，并成功開發(fā)出超晶格城堡場效應晶體管（SLCFET）技術。 圖片來源：《自然·電子學》期刊截圖 該研究通過設計超...  [詳內(nèi)文]

羅姆首款高耐壓GaN驅(qū)動器IC量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:16 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月27日，羅姆宣布推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。 圖片來源：羅姆半...  [詳內(nèi)文]

英偉達攜手納微升級電源架構(gòu)，氮化鎵和碳化硅發(fā)揮核心作用
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:31 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當?shù)貢r間5月21日，納微半導體宣布與英偉達達成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)，該技術將率先應用于英偉達下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計算平臺。 圖片來源：納微半導體 當前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配...  [詳內(nèi)文]

阿爾法推出氮化鎵機器人關節(jié)模組
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 20 日 15:42 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
作為第三代半導體材料的代表，氮化鎵（GaN）正以高電子遷移率、高耐壓、低損耗等特性，成為人形機器人核心部件升級的關鍵推手。近期，國內(nèi)公司傳出相關新動態(tài)。 5月17日，中科阿爾法科技有限公司發(fā)布了一款基于氮化鎵（GaN）驅(qū)動的機器人關節(jié)模組（型號：ZK-RI 0–PRO...  [詳內(nèi)文]