2月3日，英諾賽科在官網(wǎng)發(fā)布《有關(guān)與谷歌公司重大業(yè)務(wù)進展的公告》：公司旗下氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品已成功完成在谷歌公司相關(guān)AI硬件平臺的重要設(shè)計導(dǎo)入，并正式簽訂合規(guī)供貨協(xié)議。
圖片來源：英諾賽科公告截圖
作為全球氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)，英諾賽科此次與#谷歌 的合作，聚焦于AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等高增長潛力領(lǐng)域。根據(jù)公告內(nèi)容，英諾賽科將基于當(dāng)前項目開發(fā)與客戶對接進展，積極與產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴深化協(xié)作，合規(guī)推進相關(guān)產(chǎn)品的商業(yè)化落地，充分滿足谷歌在AI硬件領(lǐng)域的供應(yīng)鏈需求，以及全球算力市場對高性能、高可靠性氮化鎵產(chǎn)品的迫切需求。
據(jù)英諾賽科官網(wǎng)介紹，英諾賽科作為全球首家實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)的IDM企業(yè)，其蘇州工廠8英寸氮化鎵晶圓月產(chǎn)能達1.5萬片、良率穩(wěn)定在97%。旗下氮化鎵產(chǎn)品可實現(xiàn)服務(wù)器電源功率密度提升50%、系統(tǒng)元件減少60%，En-FCLGA封裝導(dǎo)熱率優(yōu)化65%，100V級方案降低系統(tǒng)功耗超50%。
2025年年底，英諾賽科宣布氮化鎵（GaN）功率芯片累計出貨量已達20億顆。
英諾賽科的合作版圖與算力布局
在全球產(chǎn)業(yè)鏈布局上，英諾賽科已與多家國際知名企業(yè)達成深度合作，合作領(lǐng)域覆蓋AI算力、半導(dǎo)體制造、汽車電子、工業(yè)電源等核心賽道。
2025年4月，英諾賽科公告稱與意法半導(dǎo)體簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議，雙方開展氮化鎵功率技術(shù)聯(lián)合開發(fā)，并實現(xiàn)產(chǎn)能資源互補。根據(jù)協(xié)議，英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體歐洲制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體可依托英諾賽科中國產(chǎn)能，共同拓展AI數(shù)據(jù)中心、汽車電子等領(lǐng)域市場，提升雙方供應(yīng)鏈韌性與全球供應(yīng)能力。
隨后11月，英諾賽科宣布其提供的700V GaN晶圓具備優(yōu)異的電氣性能和可靠性，助力意法半導(dǎo)體推出了一系列基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的反激式電源集成器件VIPerGaN50W。
2025年10月，英偉達在官網(wǎng)更新了其800V系統(tǒng)的供應(yīng)商名單，英諾賽科成為了唯一一家進入合作名單的中國本土功率半導(dǎo)體企業(yè)。
與英偉達的合作聚焦AI數(shù)據(jù)中心高端供電架構(gòu)，雙方聯(lián)合推動800伏直流電源架構(gòu)規(guī)?；涞?，英諾賽科提供覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案，助力AI數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)從千瓦級到兆瓦級的算力飛躍，適配英偉達新一代兆瓦級計算基礎(chǔ)設(shè)施的高效供電需求。
此外，英諾賽科還發(fā)表《英諾賽科利用全GaN技術(shù)推進800VDC架構(gòu)》論文，系統(tǒng)闡述全GaN技術(shù)與800VDC架構(gòu)的適配邏輯，為雙方合作提供了堅實的技術(shù)支撐，也為全球該領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化推進提供了可借鑒的技術(shù)路徑。
2025年12月，英諾賽科宣布與安森美簽署戰(zhàn)略合作諒解備忘錄，整合英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵硅基工藝與安森美在系統(tǒng)集成、封裝領(lǐng)域的專業(yè)能力，重點布局40-200V中低壓氮化鎵功率器件，合作覆蓋工業(yè)、汽車、電信基礎(chǔ)設(shè)施、AI數(shù)據(jù)中心等多場景，計劃2026年上半年推出樣品，共同推動氮化鎵產(chǎn)品的規(guī)?；慨a(chǎn)與市場普及。
AI算力驅(qū)動氮化鎵產(chǎn)業(yè)，重構(gòu)全球競爭新格局
在AI算力持續(xù)向兆瓦級躍升、數(shù)據(jù)中心加速向800VDC架構(gòu)迭代的背景下，英諾賽科憑借8英寸硅基氮化鎵的量產(chǎn)優(yōu)勢，先后切入英偉達、谷歌的高端供應(yīng)鏈。
根據(jù)英諾賽科2025年年中財報，報告期內(nèi)，他們面向AI及數(shù)據(jù)中心的銷售同比增長180%，基于100V氮化鎵的48-12V應(yīng)用進入量產(chǎn)，并開始規(guī)?；桓?。
氮化鎵作為高效能功率器件，已成為AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)功耗優(yōu)化與算力升級的核心支撐，也打開了行業(yè)從消費電子向高端算力基礎(chǔ)設(shè)施滲透的增長空間。
同時，英諾賽科通過與意法半導(dǎo)體、安森美的技術(shù)協(xié)同與產(chǎn)能互補，持續(xù)完善氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈布局，其商業(yè)化進展不僅推動了國產(chǎn)氮化鎵在全球高端市場的滲透率提升，更重塑了行業(yè)競爭格局。
未來，隨著全球算力需求的持續(xù)釋放，英諾賽科的AI及數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)將持續(xù)擴容，而氮化鎵行業(yè)也將在高端場景的規(guī)?；瘧?yīng)用中，迎來技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)升級的全新階段。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。