近日，英諾賽科通過官方微信公眾號宣布其氮化鎵（GaN）功率芯片累計出貨量已達20億顆。
圖片來源：英諾賽科
據(jù)公開數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科的氮化鎵芯片出貨量實現(xiàn)了跨越式增長：2019年累計出貨量尚不足500萬顆，到2024年已突破12億顆，2025年便攀升至20億顆，較2024年同比增長超66%，較2019年更是實現(xiàn)了400倍的指數(shù)級增長。
英諾賽科的出貨量爆發(fā)，離不開全球第三代半導體產業(yè)崛起的時代浪潮。從市場需求端來看，下游應用領域的持續(xù)擴張為氮化鎵產業(yè)提供了廣闊增長空間。
在消費電子領域，氮化鎵快充憑借體積小、效率高的優(yōu)勢，已成為主流手機廠商及安克、綠聯(lián)等頭部配件品牌的標配，推動低壓與高壓快充芯片需求持續(xù)攀升。
在新能源汽車領域，車載充電機（OBC）、激光雷達電源等核心部件對高效功率器件的需求激增，氮化鎵器件憑借輕量化、高效率特性，正加速替代傳統(tǒng)硅基器件。
在AI數(shù)據(jù)中心領域，英偉達推動的800V直流電源架構轉型，對氮化鎵芯片的高頻、高效特性提出迫切需求，單機柜功率密度提升至300kW的技術升級，進一步放大了氮化鎵的應用價值。
此外，光伏儲能、工業(yè)電源等領域在全球“雙碳”目標驅動下，對高效節(jié)能功率器件的需求也持續(xù)釋放，共同構成了氮化鎵產業(yè)增長的核心動力。
在全球氮化鎵產業(yè)的競爭格局中，成立于2015年的英諾賽科已成長為不容忽視的頭部力量。作為全球率先布局8英寸硅基氮化鎵量產線的企業(yè)之一，英諾賽科自成立之初已確立了“全產業(yè)鏈模式+8英寸規(guī)模化量產”的戰(zhàn)略定位。
目前，英諾賽科已建成兩座8英寸硅基氮化鎵生產基地，采用先進的IDM全產業(yè)鏈模式，實現(xiàn)了從外延、器件設計到芯片制造、封裝測試的全流程自主可控。
財務數(shù)據(jù)顯示，2025年上半年英諾賽科營收達到5.53億元，同比增長43.4%，毛利率實現(xiàn)6.8%的正向突破，結束了此前的虧損狀態(tài)，標志著企業(yè)已進入規(guī)?；年P鍵拐點。
（集邦化合物半導體整理）
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