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國內(nèi)高校研制出世界首個(gè)氮化鎵量子光源芯片
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 19 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近日，據(jù)報(bào)道，電子科技大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)、中國科學(xué)院合作，在國際上首次研制出氮化鎵（GaN）量子光源芯片，這也是電子科技大學(xué)“銀杏一號(hào)”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，量子互聯(lián)網(wǎng)與傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)相比，由于利用“量子隱形傳態(tài)”或“量子...  [詳內(nèi)文]

江蘇GaN外延制造中心動(dòng)工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 19 日 17:59 | 分類 功率
張家港經(jīng)開區(qū)官微消息，4月18日上午，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。 公開資料顯示，能華半導(dǎo)體采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),藍(lán)寶石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-o...  [詳內(nèi)文]

供應(yīng)東風(fēng)800V平臺(tái)，智新科技SiC模塊項(xiàng)目二期廠房竣工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
4月15日，據(jù)武漢經(jīng)開區(qū)官微報(bào)道，智新科技總投資7.2億元的二期廠房完成項(xiàng)目竣工驗(yàn)收，即將正式啟用。新項(xiàng)目投用后，將主要生產(chǎn)SiC模塊等馬赫動(dòng)力總成的核心零部件。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，智新科技SiC模塊項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

化合物半導(dǎo)體廠商株洲科能、芯谷微IPO披露新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，株洲科能新材料股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱株洲科能）和合肥芯谷微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱芯谷微）兩家化合物半導(dǎo)體廠商相繼披露了IPO最新進(jìn)展。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 株洲科能科創(chuàng)板IPO進(jìn)入財(cái)報(bào)更新階段 2023年6月21日，株洲科能科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲上交所受理，隨后在7...  [詳內(nèi)文]

1個(gè)月3次，Axcelis SiC設(shè)備再次出貨
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 18 日 17:58 | 分類 企業(yè)
4月17日，半導(dǎo)體離子注入廠商Axcelis宣布向全球領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率器件芯片制造商交付多批Purion Power系統(tǒng)離子注入器系統(tǒng)。這些設(shè)備包括Purion H200 SiC大電流、Purion XE SiC高能和Purion M SiC中電流注入機(jī)，且均在第一季度...  [詳內(nèi)文]

推進(jìn)碳化硅研發(fā)，院企開展合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 18 日 17:56 | 分類 功率
4月17日，賓夕法尼亞州立大學(xué)宣布，學(xué)校已和摩根先進(jìn)材料公司（下文簡(jiǎn)稱“摩根公司”）簽署了一份諒解備忘錄（MOU），以促進(jìn)碳化硅（SiC）的研發(fā)。 source：賓夕法尼亞大學(xué) 該協(xié)議包括一項(xiàng)為期五年、耗資數(shù)百萬美元的新計(jì)劃。摩根公司承諾成為賓夕法尼亞州立大學(xué)最近發(fā)起的碳化硅創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

300億，重慶三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計(jì)8月投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 17 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，據(jù)西永微電園官微消息，重慶三安相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目已實(shí)現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂，正在進(jìn)行室內(nèi)裝修和設(shè)備采購，預(yù)計(jì)今年8月將實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮投產(chǎn)，比原計(jì)劃提前2個(gè)月。據(jù)此前消息，重慶三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目包括一個(gè)SiC功率芯片廠和一個(gè)SiC襯底廠。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，...  [詳內(nèi)文]

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 17 日 18:00 | 分類 企業(yè)
4月17日，納芯微官微消息顯示，其推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。 source：納芯微 據(jù)介紹，納芯微的SiC...  [詳內(nèi)文]

耗資1.3億元，阿肯色大學(xué)SiC研究制造中心封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 17 日 17:55 | 分類 企業(yè)
4月17日，阿肯色大學(xué)宣布，其將于明日舉行多用戶碳化硅（Multi-User SiC）研究和制造中心的封頂儀式。 據(jù)了解，該SiC中心獲美國國家科學(xué)基金會(huì)（NSF）提供的1800萬美元（折合人民幣約1.3億元）資助和美國陸軍研究實(shí)驗(yàn)室的額外支持，于2023年8月破土動(dòng)工。 so...  [詳內(nèi)文]

發(fā)力GaN射頻市場(chǎng)，韓國RFHIC與歐洲SweGaN達(dá)成跨國合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 16 日 18:28 | 分類 射頻
GaN市場(chǎng)雖不如SiC市場(chǎng)火熱，但今年以來行業(yè)內(nèi)動(dòng)作也不少，既反映了GaN市場(chǎng)格局處于調(diào)整期的事實(shí)，也透露出GaN廠商在各應(yīng)用市場(chǎng)穩(wěn)步前行的信號(hào)。目前，相關(guān)廠商依舊看好該技術(shù)的前景并積極挖掘其應(yīng)用潛力。近期，在臺(tái)亞半導(dǎo)體公布了GaN功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展進(jìn)度超前之后，GaN射頻（RF...  [詳內(nèi)文]