納芯微發布首款1200V SiC MOSFET

作者 | 發布日期 2024 年 04 月 17 日 18:00 | 分類 企業

4月17日,納芯微官微消息顯示,其推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規與工規兩種等級。

source:納芯微

據介紹,納芯微的SiC MOSFET具有RDSon溫度穩定性、門極驅動電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性,適用于電動汽車(EV)OBC/DC-DC、熱管理系統、光伏和儲能系統(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領域。

據悉,為了提供更可靠的SiC MOSFET產品,納芯微在SiC芯片生產過程中施行嚴格的質量控制,所有SiC產品做到100%靜態電參數測試,100%抗雪崩能力測試。此外,會執行比AEC-Q101更加嚴格的測試條件來驗證產品可靠性。

作為一家高性能高可靠性模擬及混合信號芯片公司,納芯微自2013年成立以來,聚焦傳感器、信號鏈、電源管理三大方向,提供半導體產品及解決方案,并被廣泛應用于汽車、工業、信息通訊及消費電子領域。

2023年,納芯微開始布局SiC產業并于當年7月推出1200V系列SiC二極管產品,該系列產品專為光伏、儲能、充電等工業場景而設計。其在單相或三相PFC、隔離或非隔離型DC-DC電路中均能展現出卓越的效率特性,能夠滿足中高壓系統的需求。

據介紹,納芯微的SiC二極管采用MPS結構設計,與傳統的JBS結構相比,具有較大優勢。MPS結構中的PN結構在大電流下更容易開啟,通過向高電阻的漂移區注入少數載流子形成電導調節效應,從而降低漂移區的導通電阻。在保持器件正向導通電壓不變的情況下,器件的抗浪涌電流能力得到增強。

同時,納芯微NPD020N120A SiC二極管在額定電流下的正向導通電壓實測典型值為1.39V,而單次浪涌電流的實測典型值可以達到220A,是正向額定電流的11倍,性能優于行業水平。(集邦化合物半導體Zac整理)

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