300億,重慶三安意法半導體項目預計8月投產

作者 | 發布日期 2024 年 04 月 17 日 18:00 | 分類 企業

近日,據西永微電園官微消息,重慶三安相關負責人表示,三安意法半導體項目已實現主體結構封頂,正在進行室內裝修和設備采購,預計今年8月將實現點亮投產,比原計劃提前2個月。據此前消息,重慶三安意法半導體項目包括一個SiC功率芯片廠和一個SiC襯底廠。

圖片來源:拍信網正版圖庫

據悉,2023年6月,意法半導體官宣將與三安光電成立一家合資制造廠,進行8英寸SiC器件大規模量產。該合資廠全部建設總額預計約32億美元(約230億人民幣),占地462畝,總建筑面積26.5萬平方米,采取一次建設分期投產方式,規劃達產年生產能力為8英寸車規級SiC MOSFET功率芯片48萬片,主要應用在新能源汽車主驅逆變器、充電樁和車載充電器上。

意法半導體官網資料顯示,該合資廠將采用意法半導體SiC專利制造工藝技術,專注于為意法半導體生產SiC器件。三安光電也披露,該工廠制造的SiC外延、芯片將獨家銷售給意法半導體或其指定的任何實體。

為主導該合資項目實施,湖南三安半導體有限責任公司和意法半導體(中國)投資有限公司于2023年8月共同出資成立安意法半導體有限公司,注冊資金6.12億美元,雙方持股比例分別為51%、49%。

為滿足該合資廠的襯底需求,三安光電也將利用自有SiC襯底工藝,單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠,規劃總投資70億人民幣,占地276畝,采取一次建設分期投產方式,規劃達產年生產能力為8英寸SiC襯底48萬片,合資公司將與湖南三安簽訂長期SiC襯底供應協議。

為推進SiC襯底制造廠項目實施,湖南三安半導體有限責任公司于2023年7月全資設立重慶三安半導體有限責任公司,注冊資本18億人民幣。

整體來看,重慶三安意法半導體項目總投資約300億元,全面整合了8英寸車規級SiC襯底、外延、芯片的研發制造,致力于建設技術先進的8英寸SiC襯底和芯片工廠。(集邦化合物半導體Zac整理)

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