6月23日，智新半導體六周年暨第100萬只模塊下線儀式舉行。
圖片來源：智新科技
活動現(xiàn)場，智新科技副總經(jīng)理曹永軍介紹，六年來，智新半導體體系能力持續(xù)增強，產(chǎn)品平臺不斷豐富，今年銷量同比大幅增長，兩條產(chǎn)線產(chǎn)能利用率逐步飽滿，開發(fā)的多款領先功率模塊產(chǎn)品填補了東風空白，應用于多款新投放整車，既達成了新能源自主事業(yè)自主可控的戰(zhàn)略目標，也成為東風新能源轉(zhuǎn)型升級的靚麗名片。
資料顯示，智新半導體作為東風汽車與中車時代半導體合資的功率半導體企業(yè)，自2019年成立以來，始終聚焦新能源汽車核心器件國產(chǎn)化。2021年，其首條IGBT產(chǎn)線量產(chǎn)，填補了華中地區(qū)車規(guī)級功率模塊的空白。近年來，隨著高壓平臺需求爆發(fā)，智新于2022年成功研制首款碳化硅（SiC）模塊。
今年6月15日，智新半導體首批1700V SiC MOSFET模塊正式下線，標志著該項目取得重大階段性成果，為后續(xù)批量裝車應用奠定了堅實基礎。
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該模塊產(chǎn)品開關(guān)損耗銳減60%，通過第二代SiC芯片技術(shù)優(yōu)化柵極驅(qū)動設計（支持+15~+18V驅(qū)動電壓）和低寄生電感封裝（≤10nH），顯著降低Eon/Eoff損耗。對比傳統(tǒng)IGBT，系統(tǒng)效率從96%躍升至99%，僅效率提升即可為整車續(xù)航延長3%以上。
智新半導體表示，隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)向1000V以上高壓架構(gòu)快速演進，電驅(qū)系統(tǒng)對#功率器件 的性能、效率與可靠性提出了更高要求。1700V電壓等級尤其契合1200V平臺主驅(qū)逆變器的需求，成為突破傳統(tǒng)硅基（IGBT）性能瓶頸、實現(xiàn)電驅(qū)系統(tǒng)高效化、輕量化、長續(xù)航的核心器件。
（集邦化合物半導體整理）
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