4月17日,賓夕法尼亞州立大學(xué)宣布,學(xué)校已和摩根先進(jìn)材料公司(下文簡稱“摩根公司”)簽署了一份諒解備忘錄(MOU),以促進(jìn)碳化硅(SiC)的研發(fā)。
source:賓夕法尼亞大學(xué)
該協(xié)議包括一項為期五年、耗資數(shù)百萬美元的新計劃。摩根公司承諾成為賓夕法尼亞州立大學(xué)最近發(fā)起的碳化硅創(chuàng)新聯(lián)盟的創(chuàng)始成員,并向賓夕法尼亞州立大學(xué)提供碳化硅開發(fā)所需的石墨材料和解決方案,供內(nèi)部和外部合作伙伴使用。
據(jù)了解,該碳化硅創(chuàng)新聯(lián)盟(SCIA)是一個由行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)和政府支持組成的聯(lián)盟,致力于開發(fā)碳化硅晶體技術(shù)和培養(yǎng)相關(guān)勞動人才。美國國防大學(xué)研究儀器計劃(DURIP)獎項為SCIA的建成提供了關(guān)鍵支持。此外,SCIA中的碳化硅晶體中心(SiC3)還將獲得了來自安森美每年80萬美元,累計800萬美元(折合人民幣約5800萬元)的資助。
賓夕法尼亞大學(xué)指出,碳化硅晶體在極端溫度(高于1982攝氏度)下在物理蒸汽輸送(PVT)爐中生長,晶體在爐中生長過程中要利用大量碳來保持溫度。與家庭中的隔熱材料類似,摩根制造的碳材料充當(dāng)隔熱層,可減少熱量損失并能在長達(dá)一周的過程中維持熔爐運行所需的電量。
摩根公司首席技術(shù)官Thomas Connolly表示:“與賓夕法尼亞州立大學(xué)達(dá)成的新協(xié)議無縫銜接了我們的目標(biāo),即將公司打造成碳化硅市場的關(guān)鍵參與者——我們不僅在提高自己產(chǎn)品的競爭能力,而且還在為市場上高價值產(chǎn)品的開發(fā)做出貢獻(xiàn)。”
賓夕法尼亞州立大學(xué)內(nèi)的新碳化硅生長設(shè)施由賓夕法尼亞州立大學(xué)高級研究副校長辦公室和美國空軍科學(xué)研究辦公室資助,預(yù)計將于2025年初全面投入使用。該大樓將容納一個模擬整個碳化硅晶體批量生長供應(yīng)鏈的試驗規(guī)模設(shè)施。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯)
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