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外延基地投產(chǎn)、氮化鎵芯片破億，華潤(rùn)微雙線告捷
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 19 日 15:33 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月16日，華潤(rùn)微電子功率器件事業(yè)群旗下潤(rùn)新微電子（大連）有限公司在大連高新區(qū)黃泥川智能制造產(chǎn)業(yè)園舉行“氮化鎵億顆芯片慶典暨外延生產(chǎn)基地通線儀式”?；顒?dòng)上正式宣告其氮化鎵外延生產(chǎn)基地建成投產(chǎn)，并同步慶祝氮化鎵芯片累計(jì)出貨量突破一億顆。 外延生產(chǎn)基地正式通線 據(jù)官方披露，該外延生產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

演講嘉賓集結(jié)完畢，TSS2025集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇與您相約6.10
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 19 日 15:31 | 分類 研討會(huì)
TSS2025 6.10/集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇 2025年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在復(fù)雜國(guó)際形勢(shì)、終端市場(chǎng)需求波動(dòng)及顛覆性技術(shù)突破的三重變量中深度演進(jìn)。AI算力革命與人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)風(fēng)口加速形成，晶圓代工市場(chǎng)呈現(xiàn)高端制程與成熟工藝兩極化發(fā)展，先進(jìn)封裝產(chǎn)能需求持續(xù)攀升，存儲(chǔ)芯片周期波動(dòng)...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵領(lǐng)域強(qiáng)強(qiáng)合作，國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 19 日 15:28 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
5月16日，中國(guó)氧化鎵襯底領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)鎵仁半導(dǎo)體與德國(guó)氧化鎵外延頭部企業(yè) NextGO.Epi 簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將依托技術(shù)優(yōu)勢(shì)協(xié)同攻關(guān)，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合將共同推動(dòng)氧化鎵在新能源、電力電子等領(lǐng)域的應(yīng)用突破，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新動(dòng)能...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域再現(xiàn)兩起重大并購(gòu)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 16 日 14:25 | 分類 企業(yè) , 功率
近日，半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生兩起重要收購(gòu)案，分別為江蘇綜藝股份有限公司收購(gòu)江蘇吉萊微電子股份有限公司，以及日月光投資控股股份有限公司子公司臺(tái)灣福雷電子股份有限公司收購(gòu)元隆電子股份有限公司。這兩起收購(gòu)案不僅體現(xiàn)了半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部的資源整合趨勢(shì)，也反映了功率半導(dǎo)體在AI新世代下的戰(zhàn)略布局。 0...  [詳內(nèi)文]

事關(guān)碳化硅，中電三公司中標(biāo)多個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 16 日 14:22 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
“中電三公司”官微消息，近期中電三公司 在半導(dǎo)體等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)斬獲多個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目，涉及碳化硅等領(lǐng)域，包括廈門士蘭集宏項(xiàng)目CUB機(jī)電安裝工程、武漢化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地項(xiàng)目（EPC）。 其中，廈門士蘭集宏項(xiàng)目CUB機(jī)電安裝工程 項(xiàng)目總投資120億元，位于廈門市海滄區(qū)，中電三公司...  [詳內(nèi)文]

華為布局SiC超充賽道！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 16 日 14:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，華為數(shù)字能源正式發(fā)布兆瓦級(jí)全液冷超充解決方案，透露該方案搭載自主研發(fā)的SiC芯片，能量密度是傳統(tǒng)硅基器件的3倍。 據(jù)悉，華為數(shù)字能源的兆瓦超充方案最大充電電流為2400安，最大功率達(dá)1.44兆瓦，每分鐘可以補(bǔ)能約20度電，15分鐘內(nèi)即可補(bǔ)能350度電，補(bǔ)能效率提升近4倍。據(jù)...  [詳內(nèi)文]

上海臨港出手寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，“東方芯港”再添火力！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 15 日 14:12 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
寬禁帶半導(dǎo)體（如碳化硅SiC、氮化鎵GaN）及超寬禁帶半導(dǎo)體（如氧化鎵Ga?O?、金剛石）因具備高擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率及高熱導(dǎo)率等特性，成為支撐高壓、高頻、高功率應(yīng)用的核心材料，可廣泛應(yīng)用于5G/6G通信、新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、航空航天、數(shù)據(jù)中心以及高端消費(fèi)電子等關(guān)鍵...  [詳內(nèi)文]

重慶碳化硅模組生產(chǎn)基地項(xiàng)目獲最新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 15 日 14:10 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
2025年一季度，重慶市碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)蓬勃發(fā)展，多個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目取得顯著進(jìn)展，為當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)勁動(dòng)力。 1、奕能碳化硅模組生產(chǎn)基地項(xiàng)目 進(jìn)入主體施工階段 據(jù)重慶市發(fā)展改革委5月14日消息，位于重慶兩江新區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園的重慶奕能碳化硅模組生產(chǎn)基地項(xiàng)目已正式進(jìn)入主體施工階段。該項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]

2024年前十大封測(cè)廠營(yíng)收合計(jì)年增3%，長(zhǎng)電科技/天水華天等呈雙位數(shù)成長(zhǎng)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 15 日 14:07 | 分類 企業(yè)
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新#半導(dǎo)體封測(cè)研究報(bào)告，2024年全球封測(cè)(OSAT)市場(chǎng)面臨技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)業(yè)重組的雙重挑戰(zhàn)。從營(yíng)收分析，日月光控股、Amkor（安靠）維持領(lǐng)先地位，值得關(guān)注的是，得益于政策支持和本地需求帶動(dòng)，長(zhǎng)電科技和天水華天等封測(cè)廠營(yíng)收皆呈雙位數(shù)成長(zhǎng)，對(duì)既有市...  [詳內(nèi)文]

芯片級(jí)印刷機(jī) | 功率器件框架窄邊印刷，搭配芯上印刷技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 14 日 14:24 | 分類 企業(yè) , 功率
? 半導(dǎo)體行業(yè)首臺(tái)采用窄邊印刷的芯片級(jí)印刷機(jī)，能實(shí)現(xiàn)高精度3D臺(tái)階印刷。 ? 搭配芯上印刷技術(shù)，在高精度壓力控制下，使芯片上再印刷成為現(xiàn)實(shí)。 ? 應(yīng)用產(chǎn)品包括：大功率二極管、MOS 管、DrMOS、多芯 Clip等等。 窄邊印刷 框架類產(chǎn)品通常比較薄且長(zhǎng)寬比差異較大，容易產(chǎn)生彎...  [詳內(nèi)文]