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HKC惠科微間距LED大屏技術取得突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 11:26 | 分類 氮化鎵GaN
近日，HKC惠科成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微間距LED大屏直顯領域的應用的研發(fā)。 基于微間距LED大屏直顯領域迅速發(fā)展, 伴隨著像素間距的進一步微縮，縮小芯片在COB產(chǎn)品的需求急速提升。MiP方案成為微間距大屏直顯技術發(fā)展的不二...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵廠商獲得3200萬美元C輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 11:10 | 分類 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵廠商Cambridge GaN Devices (CGD)宣布 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國展望集團（Foresi...  [詳內(nèi)文]

印度積極布局第三代半導體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:36 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近年，印度積極推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體正受到極大關注。 近期，外媒報道，印度信息技術部長阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。 據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學研究所 (IISc) ...  [詳內(nèi)文]

中國電科、三安光電、中瓷電子碳化硅產(chǎn)品順利供貨
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:33 | 分類 功率 , 碳化硅SiC
近日，碳化硅領域喜訊頻傳，中國電科、三安光電和中瓷電子紛紛在業(yè)務上取得關鍵突破，為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動力。 中國電科：30臺套SiC外延設備順利發(fā)貨 近日，據(jù)中國電科官微消息，其所屬的48所成功實現(xiàn)第三代半導體SiC外延設備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計30臺套。截至目前，中...  [詳內(nèi)文]

120億元化合物半導體基地項目正在加速崛起！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 19 日 10:29 | 分類 光電 , 射頻 , 碳化硅SiC
據(jù)長江日報消息，近日，先導化合物半導體研發(fā)生產(chǎn)基地項目四座生產(chǎn)廠房中，兩座已封頂，另兩座正加緊澆筑。 source：先導科技集團 消息稱，該項目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬平方米，共19棟建筑，包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等，整個項目力爭2025年年底...  [詳內(nèi)文]

江蘇再添一碳化硅項目！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 11:15 | 分類 功率 , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，連云港市生態(tài)環(huán)境局公布了對“連云港鴻蒙硅材料有限公司年產(chǎn)1.5萬噸碳化硅高級研磨材料及年產(chǎn)10萬件碳化硅陶瓷制品項目”環(huán)評文件擬審批意見。 source：連云港市生態(tài)環(huán)境局 據(jù)介紹，本項目產(chǎn)品為碳化硅粉和碳化硅陶瓷。碳化硅粉可廣泛用于耐火材料、磨料、陶瓷、半導體、復合材料...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶預計，6英寸SiC襯底價格將保持穩(wěn)定
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 11:11 | 分類 碳化硅SiC
環(huán)球晶董事長徐秀蘭近日表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底，盡管2025年對SiC的市場預期仍較為保守，但2026年的前景似乎更為樂觀。 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究數(shù)據(jù)指出，SiC在汽車、可再生...  [詳內(nèi)文]

三家功率半導體相關企業(yè)獲得新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 10:52 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
功率半導體作為半導體產(chǎn)業(yè)中的重要細分領域，近年隨著新能源、汽車電子等領域的快速發(fā)展，功率半導體需求與日俱增，也愈發(fā)受到資本市場關注。近期，市場傳出三家功率半導體相關公司獲得新一輪融資，涉及碳化硅、氮化鎵、IGBT等領域。 01瑞為新材完成新一輪股權融資 2月17日，“君聯(lián)資本”官...  [詳內(nèi)文]

三安光電回復碳化硅項目進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 10:23 | 分類 碳化硅SiC
近期，投資者在互動平臺詢問三安光電，湖南三安二期、斯科半導及重慶意法這三個項目的各自進展情況如何，是否投入生產(chǎn)，是否大批量生產(chǎn)，各自產(chǎn)量如何？8英寸項目現(xiàn)狀如何？ 該公司回答表示：湖南三安已擁有碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月，后續(xù)擴產(chǎn)后配套年產(chǎn)能將達到36萬片/年，目前8英寸碳...  [詳內(nèi)文]

功率半導體相關廠商瑞為新材完成新一輪股權融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 18 日 10:20 | 分類 碳化硅SiC
2月17日，“君聯(lián)資本”官微消息，南京瑞為新材料科技有限公司（以下簡稱“瑞為新材”）于近日完成新一輪股權融資，由君聯(lián)資本投資。 資料顯示，瑞為新材成立于2021年，聚焦高性能射頻、功率電子、激光器、服務器等應用場景的散熱問題，提供全面的熱管理方案。同時，該公司致力于散熱材料領域前...  [詳內(nèi)文]