最新文章

踐行綠色使命，天科合達獲ISO14067碳足跡認證
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 29 日 15:25 | 分類 企業(yè)
在全球“雙碳”目標不斷推進的今天，科技企業(yè)不僅肩負技術創(chuàng)新的使命，更需以實際行動回應環(huán)保責任。作為第三代半導體碳化硅襯底領域的核心材料供應商，天科合達始終深知，產品的高效與節(jié)能特性本身就是對環(huán)境保護的重要貢獻。但我們并未止步于此——我們更希望清晰衡量并管理產品全生命周期的碳足跡，...  [詳內文]

5家企業(yè)SiC新品集中亮相
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 29 日 15:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
9月，碳化硅（SiC）領域新品動態(tài)頻繁，英飛凌、羅姆半導體、方正微電子、茂睿芯、Wolfspeed等企業(yè)紛紛發(fā)力，陸續(xù)推出多款產品，覆蓋功率器件、模塊、材料等關鍵環(huán)節(jié)，應用場景涵蓋光伏、儲能、新能源汽車、工業(yè)設備等領域。 1、茂睿芯 9月22日，茂睿芯官微宣布，正式推出國內首款直...  [詳內文]

美國能源部啟動TRACE-Ga計劃，助力構建本土鎵供應鏈
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 19:13 | 分類 化合物半導體
近日，美國能源部（DOE）化石能源和碳管理辦公室正式宣布啟動鎵回收和先進關鍵材料提取技術（TRACE-Ga）計劃。 鎵作為第三代半導體材料的核心原料，在新能源汽車、5G通信、光伏設備以及軍事裝備等眾多關鍵領域發(fā)揮著不可替代的作用。隨著全球對第三代半導體產品需求的持續(xù)攀升，鎵的戰(zhàn)略...  [詳內文]

功率半導體領域再增兩起重磅合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 19:06 | 分類 功率
近期，功率半導體領域合作動態(tài)不斷，英飛凌與羅姆在碳化硅領域簽署合作備忘錄，就SiC功率器件封裝展開合作并計劃擴大合作范圍；與此同時，爍科晶體與韓國EYEQ Lab、NAMUGA達成戰(zhàn)略合作，在SiC襯底方面深度綁定。 英飛凌與羅姆達成碳化硅領域合作 近期，英飛凌宣布與羅姆就建立S...  [詳內文]

這條12英寸SiC中試線正式通線！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 19:02 | 分類 碳化硅SiC
9月26日，據(jù)晶盛機電官微宣布，其旗下子公司浙江晶瑞SuperSiC首條12英寸碳化硅（SiC）襯底加工中試線正式通線。浙江晶瑞SuperSiC真正實現(xiàn)了從晶體生長、加工到檢測環(huán)節(jié)的全線設備自主研發(fā)，100%國產化。 圖片來源：晶盛機電 據(jù)晶盛機電介紹，該中試線覆蓋了晶體加工，...  [詳內文]

中國科學院半導體研究所：氮化物片上光通信獲突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:54 | 分類 化合物半導體
近日，中國科學院半導體研究所#寬禁帶半導體 研發(fā)中心王軍喜、魏同波研究員團隊，與復旦大學沈超研究員、沙特國王科技大學李曉航副教授合作，制備出氮化物片上日盲光通信集成器件，并搭建了可以實時傳輸視頻信號的片上光通信集成系統(tǒng)。 該研究成果以“III-Nitride Micro-Arra...  [詳內文]

英諾賽科亮相PCIM Asia，集中呈現(xiàn)國內氮化鎵最新成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:48 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
9月24日至26日，PCIM Asia展會（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會）如火如荼召開，全球氮化鎵功率半導體領先企業(yè)英諾賽科（Innoscience）呈現(xiàn)了其最新的InnoGaN產品系列與多行業(yè)應用方案，吸引眾多業(yè)內人士駐足交流。 PCIM Asia作為亞太地...  [詳內文]

氮化鎵產能進一步釋放，兩家廠商迎重大進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:39 | 分類 氮化鎵GaN
近期，氮化鎵半導體領域發(fā)展勢頭強勁，山東鎵數(shù)智能科技有限公司與東部高科DB HiTek分別傳來重要消息。山東鎵數(shù)氮化鎵單晶襯底項目全面達產，在產能建設與市場拓展方面成果顯著；與此同時，東部高科650V GaN HEMT工藝開發(fā)進入最終階段，并計劃推出專屬氮化鎵多項目晶圓項目，同時...  [詳內文]

這家廠商全球首發(fā)8英寸低電阻碳化硅襯底
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 25 日 13:05 | 分類 碳化硅SiC
在近期召開的國際碳化硅及相關材料會議（ICSCRM） 上，國內廠商天科合達全球首次公開發(fā)布了8英寸低電阻碳化硅襯底。 圖片來源：天科合達 據(jù)悉，該低電阻襯底可將電阻率控制在7-12mΩ·cm范圍內，僅為常規(guī)N型襯底電阻率的一半。層錯缺陷控制是低電阻產品研發(fā)中的關鍵挑戰(zhàn)，天科合達...  [詳內文]

功率半導體大廠將進軍氮化鎵市場！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 25 日 13:04 | 分類 功率 , 氮化鎵GaN
在全球科技加速向清潔能源與智能化轉型的浪潮中，功率半導體市場正迎來新一輪技術革新與產業(yè)變革。作為行業(yè)領軍者，東芝電子元件近期動作頻頻，在碳化硅（SiC）、IGBT等領域持續(xù)深耕并取得顯著成果后，又將戰(zhàn)略目光投向了氮化鎵（GaN）這一極具潛力的新興領域。 東芝電子元件將進軍氮化鎵市...  [詳內文]