功率半導(dǎo)體領(lǐng)域再增兩起重磅合作

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 19:06 | 分類 功率

近期,功率半導(dǎo)體領(lǐng)域合作動態(tài)不斷,英飛凌與羅姆在碳化硅領(lǐng)域簽署合作備忘錄,就SiC功率器件封裝展開合作并計劃擴大合作范圍;與此同時,爍科晶體與韓國EYEQ Lab、NAMUGA達成戰(zhàn)略合作,在SiC襯底方面深度綁定。

英飛凌與羅姆達成碳化硅領(lǐng)域合作

近期,英飛凌宣布與羅姆就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。

圖片來源:英飛凌官微

雙方旨在對應(yīng)用于車載充電器、太陽能發(fā)電、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的SiC功率器件封裝展開合作,推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應(yīng)商。

這意味著,未來客戶可同時從英飛凌與羅姆采購兼容封裝的產(chǎn)品,既能靈活滿足客戶的各類應(yīng)用需求,亦可輕松實現(xiàn)產(chǎn)品切換。此次合作將顯著提升客戶在設(shè)計與采購環(huán)節(jié)的便利性。

羅姆將采用英飛凌創(chuàng)新的SiC頂部散熱平臺(包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封裝)。

英飛凌將采用羅姆的半橋結(jié)構(gòu)SiC模塊“DOT-247”,并開發(fā)兼容封裝。這將使英飛凌新發(fā)布的Double TO-247 IGBT產(chǎn)品組合新增SiC半橋解決方案。

英飛凌與羅姆計劃未來擴大合作范圍,將涵蓋采用硅基及碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶功率技術(shù)的更多封裝形式。此舉也將進一步深化雙方的合作關(guān)系,為客戶提供更廣泛的解決方案與采購選擇。

爍科晶體與韓國EYEQ Lab、NAMUGA達成戰(zhàn)略合作

近期,電科材料下屬山西爍科晶體有限公司(以下簡稱“爍科晶體”)與韓國知名半導(dǎo)體制造商EYEQ Lab、模塊制造商NAMUGA在釜山達成戰(zhàn)略合作,并受邀出席韓國首座可實現(xiàn)8英寸SiC功率半導(dǎo)體全流程本土化生產(chǎn)的標桿工廠,EYEQ Lab 8英寸SiC生產(chǎn)設(shè)施的落成儀式。

圖片來源:電科材料

依托爍科晶體SiC襯底方面領(lǐng)先的技術(shù)水平和穩(wěn)定的供應(yīng)能力,結(jié)合EYEQ Lab在韓國本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局優(yōu)勢,雙方將圍繞SiC襯底展開深度綁定和廣域協(xié)同,共促行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新與下游應(yīng)用領(lǐng)域拓展,實現(xiàn)雙向賦能和生態(tài)共建。

據(jù)悉,當(dāng)前爍科晶體已向EYEQ Lab實現(xiàn)批量產(chǎn)品供應(yīng),雙方在SiC領(lǐng)域的跨國合作取得實質(zhì)性進展,并持續(xù)為全球新能源、5G通信及AR光波導(dǎo)等高增長賽道注入強勁動能。

期間,爍科晶體還亮相寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)與產(chǎn)業(yè)會議——2025年第22屆國際碳化硅及相關(guān)先進材料會議(ICSCRM),并在會上展出了12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品,吸引了全球客戶、專家學(xué)者的高度關(guān)注與深度互動。

(集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理)

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