9月26日，據(jù)晶盛機電官微宣布，其旗下子公司浙江晶瑞SuperSiC首條12英寸碳化硅（SiC）襯底加工中試線正式通線。浙江晶瑞SuperSiC真正實現(xiàn)了從晶體生長、加工到檢測環(huán)節(jié)的全線設備自主研發(fā)，100%國產(chǎn)化。
圖片來源：晶盛機電
據(jù)晶盛機電介紹，該中試線覆蓋了晶體加工，切割，減薄，倒角，研磨，拋光，清洗，檢測的全流程工藝，所有環(huán)節(jié)均采用國產(chǎn)設備與自主技術，高精密減薄機、倒角機、雙面精密研磨機等核心加工設備更是由公司歷時多年自研攻關完成，性能指標達到行業(yè)領先水平。
相較于8英寸產(chǎn)品，12英寸碳化硅襯底單片晶圓芯片產(chǎn)出量可增加約2.5倍，能顯著降低長晶、加工等環(huán)節(jié)的單位成本，為下游新能源汽車、AI 算力等領域的成本優(yōu)化提供關鍵支撐。
12英寸方面，今年5月，晶盛機電宣布浙江晶瑞SuperSiC實現(xiàn)12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長技術突破，首顆12英寸SiC晶體成功出爐——晶體直徑達到309mm，質(zhì)量完好。
晶盛機電全球化產(chǎn)能網(wǎng)絡加速成型
產(chǎn)能布局方面，面對碳化硅材料的爆發(fā)式需求，晶盛機電已構建 “國內(nèi)+海外” 的全球化產(chǎn)能網(wǎng)絡。
今年7月，晶盛機電下屬公司寧夏創(chuàng)盛新材料科技有限公司（簡稱“寧夏創(chuàng)盛”）年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項目在銀川正式開工。據(jù)了解，該項目聚焦8英寸碳化硅晶體的規(guī)模化生產(chǎn)，定位為 “襯底前道核心環(huán)節(jié)配套樞紐”，重點解決8英寸襯底量產(chǎn)中的晶體供應瓶頸 —— 其產(chǎn)出的高質(zhì)量晶體將作為核心原料，支撐上虞基地的精密加工及全球客戶的襯底需求。
上虞基地是晶盛機電國內(nèi)產(chǎn)能布局的關鍵之一，其核心規(guī)劃為年產(chǎn)30萬片6-8英寸碳化硅襯底，是目前國內(nèi)規(guī)劃單體規(guī)模最大的碳化硅襯底量產(chǎn)基地之一，產(chǎn)品可兼容導電型（新能源汽車、光伏）與半絕緣型（5G通信）兩大品類。該基地在2025年向高端技術延伸，不僅實現(xiàn)8英寸導電型襯底規(guī)?；鲐洠€推出8英寸光學級襯底（適配AR眼鏡）、打通12英寸襯底中試線
除了本土產(chǎn)能建設外，晶盛機電在海外布局也積極推進，7月4日，浙江晶瑞SuperSiC馬來西亞新制造工廠在檳城州舉辦奠基儀式。該項目總占地面積4萬平方米，計劃于今年正式動工。一期項目建成后，8英寸碳化硅襯底預計可實現(xiàn)24萬片/年的高效產(chǎn)能。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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