近期，碳化硅領(lǐng)域新進展不斷。三安光電全資子公司湖南三安舉行碳化硅芯片上車儀式，與理想汽車合作邁入新階段，未來還將加大研發(fā)投入鞏固優(yōu)勢；晶盛機電在接受鵬華基金調(diào)研時，回應(yīng)了碳化硅產(chǎn)能、不同尺寸進展等問題，其業(yè)務(wù)成果顯著，并對碳化硅未來前景充滿信心。
01、三安光電碳化硅芯片成功上車
近期，三安光電全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡稱“湖南三安”）在長沙舉行三安碳化硅芯片上車儀式，標(biāo)志著三安與理想汽車自2022年開啟合作以來，戰(zhàn)略協(xié)同取得實質(zhì)性突破，雙方合作正式邁入規(guī)?；?、深度化新階段。
圖片來源：三安半導(dǎo)體
湖南三安表示，未來湖南三安將繼續(xù)堅定推進以“車規(guī)化、平臺化、高效能、全鏈自主”為核心的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于為理想汽車這樣的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)提供更領(lǐng)先、更可靠的功率半導(dǎo)體解決方案，共同推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進步。
理想汽車指出，湖南三安在第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局以及其新一代碳化硅芯片所展現(xiàn)出的卓越產(chǎn)品力，為理想汽車純電車型的研發(fā)落地和快速迭代提供了堅實的技術(shù)支撐。我們期待與三安持續(xù)深化合作，共同探索前沿技術(shù)應(yīng)用，攜手推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與變革。
在未來三至五年，三安將持續(xù)加大在車規(guī)級SiC MOSFET與GaN（氮化鎵）制造服務(wù)平臺領(lǐng)域的研發(fā)投入，全力加速8英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡與良率提升，進一步鞏固其在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的核心競爭優(yōu)勢。
02、晶盛機電回應(yīng)碳化硅新進展
近期，晶盛機電接受鵬華基金調(diào)研，回應(yīng)了碳化硅產(chǎn)能，8寸、12寸碳化硅進展等一系列問題。
晶盛機電積極布局碳化硅產(chǎn)能，在上虞布局年產(chǎn)30萬片碳化硅襯底項目；并基于全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的良好發(fā)展前景和廣闊市場，在馬來西亞檳城投建8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化項目，進一步強化公司在全球市場的供應(yīng)能力；同時，在銀川投建年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項目，不斷強化公司在碳化硅襯底材料領(lǐng)域的技術(shù)和規(guī)模優(yōu)勢。
晶盛機電碳化硅襯底材料業(yè)務(wù)已實現(xiàn)6-8英寸碳化硅襯底規(guī)模化量產(chǎn)與銷售，量產(chǎn)的碳化硅襯底核心參數(shù)指標(biāo)達(dá)到行業(yè)一流水平，8英寸碳化硅襯底技術(shù)和規(guī)模處于國內(nèi)前列，公司積極推進碳化硅襯底在全球的客戶驗證，送樣客戶范圍大幅提升，產(chǎn)品驗證進展順利，并成功獲取部分國際客戶批量訂單。
今年9月26日，晶盛機電首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線，至此，子公司浙江晶瑞SuperSiC真正實現(xiàn)了從晶體生長、加工到檢測環(huán)節(jié)的全線設(shè)備自主研發(fā)，100%國產(chǎn)化，標(biāo)志著晶盛在全球SiC襯底技術(shù)從并跑向領(lǐng)跑邁進，邁入高效智造新階段。
圖片來源：晶盛機電
此外，晶盛機電還談及了碳化硅未來前景，其認(rèn)為SiC是第三代半導(dǎo)體材料的核心代表，因其耐高壓、高頻、高效等特性，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信等重點行業(yè)。同時，在AR設(shè)備、CoWoS先進封裝中間基板等新興應(yīng)用領(lǐng)域，SiC也正逐步成為推動技術(shù)突破的關(guān)鍵材料。
（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）
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