東芝（Toshiba）集團(tuán)在2023年底完成私有化并從公開市場退市后，其業(yè)務(wù)重組和戰(zhàn)略方向調(diào)整的具體舉措正逐步明晰。今年8月11日，據(jù)外媒最新消息，東芝核心半導(dǎo)體制造子公司“日本半導(dǎo)體公司”（Japan Semiconductor Corporation, JSC）計劃擴大其8英寸晶圓的代工產(chǎn)能，顯示出集團(tuán)正將資源向功率半導(dǎo)體等核心業(yè)務(wù)集中。
JSC擴大8吋晶圓代工，目標(biāo)產(chǎn)能提升1.5倍
根據(jù)報道，JSC計劃擴大其位于日本巖手縣主力工廠的8英寸晶圓代工產(chǎn)能，目標(biāo)是提升至現(xiàn)有水平的1.5倍。擴充的產(chǎn)能將主要用于滿足車用和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域客戶對功率半導(dǎo)體和邏輯IC的需求。
公開消息顯示，2023年12月，由“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）主導(dǎo)的財團(tuán)完成了對東芝的收購，結(jié)束了其長達(dá)74年的上市歷史。此舉使東芝得以從資本市場的短期業(yè)績壓力中脫離，從而能夠進(jìn)行更長遠(yuǎn)的戰(zhàn)略規(guī)劃。重組后的東芝，業(yè)務(wù)重心向其具備傳統(tǒng)優(yōu)勢和較高利潤率的能源、基礎(chǔ)設(shè)施及半導(dǎo)體等領(lǐng)域收縮。本次JSC的擴產(chǎn)計劃，被認(rèn)為是東芝新管理層在半導(dǎo)體板塊作出的最重要投資決策之一。
日本半導(dǎo)體公司（JSC）是東芝的半導(dǎo)體制造核心實體，其主力工廠位于日本巖手縣，該公司整合了過去位于大分縣等地的制造資源，長期負(fù)責(zé)生產(chǎn)東芝的功率器件、模擬IC等產(chǎn)品，具備穩(wěn)定的量產(chǎn)經(jīng)驗和工藝基礎(chǔ)。
此次擴產(chǎn)旨在提升JSC的盈利能力。目前，來自外部客戶的晶圓代工業(yè)務(wù)約占JSC營收的10-20%，JSC希望通過此次擴產(chǎn)，在未來將這一比例提升至30%左右，從而有效提高工廠的產(chǎn)能利用率。雖然公司未透露具體的投資金額，但產(chǎn)業(yè)鏈人士透露，這將是一筆涉及數(shù)十億美元的長期資本支出。
東芝技術(shù)與市場動態(tài)頻頻
除了宣布產(chǎn)能擴張的遠(yuǎn)期規(guī)劃，東芝近期在第三代半導(dǎo)體技術(shù)和市場層面也有一系列具體進(jìn)展，顯示其戰(zhàn)略部署正在加速執(zhí)行。
在技術(shù)產(chǎn)品層面，東芝已于近期開始量產(chǎn)其最新的第四代SiC MOSFET。據(jù)公開資料顯示，該系列產(chǎn)品通過優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻（RDS(on)），從而減少了設(shè)備運行時的能量損耗。新產(chǎn)品主要面向需求日益增長的電動汽車逆變器、開關(guān)電源和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源等應(yīng)用。
在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域，市場消息顯示東芝正積極將其8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)推向市場。該公司已開始向部分服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心設(shè)備制造商提供GaN器件樣品，用于下一代高效電源供應(yīng)單元（PSU）的評估。相較于主流的6英寸平臺，8英寸平臺在成本控制和產(chǎn)能規(guī)模上更具潛力。
在生產(chǎn)鏈布局上，東芝也已補齊關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今年3月，其位于兵庫縣的姬路半導(dǎo)體工廠，用于生產(chǎn)車用功率半導(dǎo)體的后段制程（back-end）新廠房已宣布完工。該廠房將使姬路工廠的組裝產(chǎn)能提升一倍以上，并已進(jìn)入本財年上半年（2025年4月至9月）的全面量產(chǎn)階段。此舉與JSC在前段晶圓制造的擴張計劃相輔相成，構(gòu)成了從前到后的完整生產(chǎn)能力。此外，東芝也正在其位于日本石川縣的加賀東芝電子（Kaga Toshiba Electronics）工廠建設(shè)一座全新的300毫米（12英寸）晶圓廠。這是東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域最重大的投資，旨在實現(xiàn)產(chǎn)能的跨越式增長，這表明東芝的投資是系統(tǒng)性的，旨在提升從晶圓制造到后段封裝的整體生產(chǎn)能力。
圖片來源：東芝公告
公司發(fā)言人指出，無論是電動汽車的逆變器、車載充電器，還是太陽能發(fā)電的逆變系統(tǒng)、AI數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器電源以及5G基站的射頻模塊，都對高效能功率器件提出了前所未有的需求。通過擴大SiC和GaN的產(chǎn)能，日本半導(dǎo)體公司將能更好地服務(wù)于這些高增長領(lǐng)域的客戶。
然而，東芝也面臨著激烈的市場競爭。在SiC領(lǐng)域，德國的英飛凌、美國的Wolfspeed、意法半導(dǎo)體和日本的羅姆等公司已建立了顯著的先發(fā)優(yōu)勢和市場份額。在GaN領(lǐng)域，同樣有眾多初創(chuàng)公司和老牌大廠在積極布局。
分析認(rèn)為，東芝的競爭優(yōu)勢在于其作為IDM（整合元件制造商）的身份，能夠協(xié)同內(nèi)部的研發(fā)、制造與銷售，并依托其在日本汽車和工業(yè)領(lǐng)域的長期客戶關(guān)系。但其挑戰(zhàn)在于，如何在產(chǎn)能規(guī)模和成本控制上，快速追趕上第一梯隊的競爭對手。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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