近日媒體報道,湖南三安半導(dǎo)體(以下簡稱“湖南三安”)于今年8月正式推出首代高性能Trench MOSFET技術(shù)平臺,在碳化硅功率器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)突破。
湖南三安Trench MOSFET技術(shù)平臺導(dǎo)通電阻最低達1.75 mΩ·cm2,擊穿電壓超過1400V,核心靜態(tài)性能處于行業(yè)...  [詳內(nèi)文]
湖南三安碳化硅器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新突破 |
作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 08 月 29 日 14:21
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關(guān)鍵字:
SiC碳化硅
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